This study examined the adsorption of CO on a Mo(110) surface by Thermal Desorption Spectroscopy (TDS) and synchrotron-radiation based photoemission spectroscopy (SRPES). CO desorption was observed at approximately 400 K ($\alpha$-CO) and > 900 K ($\beta$-CO). When CO was exposed to Mo(110) at 100 K, it showed a tilted structure at low CO coverage and a vertical structure after saturation of the tilted CO. After heating the CO-precovered sample to 900 K, a broad peak at 12 eV below the Fermi level was identified in the valence level spectra, which was assigned to either the 4$\sigma$-molecular orbital of CO, or 2s of dissociated carbon. TDS results of the $\beta$-CO showed a first order desorption. These results are in a good agreement with the observations of CO adsorption on W(110) surfaces.
Ethanol is a prototype molecule used in probing catalytic reactivity of oxide catalysts such as $TiO_2$. In the present study, we adsorbed ethanol on $TiO_2$(001) at room temperature (RT) and the corresponding bonding state of ethanol was systematically studied by x-ray photoemission spectroscopy (XPS) using synchrotron radiation. Especially, we compared $TiO_2$(001) surfaces prepared in ultra-high vacuum (UHV) with different surface treatments such as $Ar^+$-sputtering and oxidation with molecular $O_2$, respectively. We find that the saturation coverage of ethanol at RT varies depending on the amount of reduced surface defects (e.g., $Ti^{3+}$) which are introduced by $Ar^+$-sputtering. We also find that the oxidized $TiO_2$(001) surface has other type of surface defects (not related to Ti 3d state) which can dissociate ethanol for further reaction above 600 K. Our C 1s core level spectra indicate clearly resolved features for the two chemically distinct carbon atoms from ethanol adsorbed on $TiO_2$(001), showing the adsorption of ethanol proceeds without C-C bond dissociation. No other C 1s feature for a possible oxidized intermediate was observed up to the substrate temperature of 650 K.
Kim, Soo-Young;Choi, Ho-Won;Kim, Kwang-Young;Tak, Yoon-Heung;Lee, Jong-Lam
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제5권2호
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pp.77-82
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2005
We compare electrical and optical properties of organic light emitting diodes (OLEDs) using rhodium-oxide-coated indium-tin-oxide ($O_2$-Rh/ITO) to that using $O_2$-plasma-treated ITO (ITO) anodes. The turn-on voltage decreased from 7 V to 5 V and luminance value increased when the $O_2$ plasma treated Rh layer was deposited on ITO. Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy results showed the dipole energies of both ITO and $O_2$-Rh/ITO were same with each other, - 0.3 eV, meaning the formation of same amount of interface dipole. The secondary electron emission spectra revealed that the work function of $O_2$-Rh/ITO is higher hy 0.2 eV than that of ITO, resulting in the decrease of the tum-on voltage via reduction ofhole injection barrier.
Among various metal oxides, ZrO2 is of particular interests and has received widespread attention thanks to its ideal mechanical and chemical stability. As a cheap metal, Ag nanoparticles are also widely used as catalysts in ethylene epoxidation and methanol oxidation. However, the nature of Ag-ZrO2 interfaces is still unknown. In this work, the growth, interfacial interaction and thermal stability of Ag nanoparticles on ZrO2(111) film surfaces were studied by low-energy electron diffraction (LEED), synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The ZrO2(111) films were epitaxially grown on Pt(111). Three-dimensional (3D) growth model of Ag on the ZrO2(111) surface at 300 K was observed with a density of ${\sim}2.0{\times}1012particles/cm2$. The binding energy of Ag 3d shifts to low BE from very low to high Ag coverages by 0.5 eV. The Auger parameters shows the primary contribution to the Ag core level BE shift is final state effect, indicating a very weak interaction between Ag clusters and ZrO2(111) film. Thermal stability experiments demonstrate that Ag particles underwent serious sintering before they desorb from the zirconia film surface. In addition, large Ag particles have stronger ability of inhibiting sintering.
Kim, Yong-Su;Bostwick, Aaron;Rotenberg, Eli;Ross, Philip N.;Hong, Soon-Cheol;Mun, Bong-Jin Simon
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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pp.61-61
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2010
By using high resolution x-ray photoelectron spectroscopy, we show that inelastic scattering of photoelectron at low temperature (30K~50K) generates two kinds of oxygen species on Pt (111) surface. Intense synchrotron radiation source dissociates oxygen molecules into chemisorbed atomic oxygen and induces the formation of PtO on surface. Estimated coverage of dissociated atomic oxygen is 0.5 ML, suggesting possible formation of p($2{\times}1$) surface structure, while PtO coverage shows saturation coverage of 0.5 ML. Molecular oxygen dosed at 30 K undergoes thermally activated transition from physisorbed to chemisorbed state at around 40K.
방사광 광전자분광법을 이용하여 $Co_{x}Pd_{100-x}$ 합금박막들(x = 0, 25, 40, 65)의 가전자띠 스펙트럼들을 측정하고, Co 3d 전자와 Pd 4d 전자들에 의한 각각의 부분스펙트럼 무게분포(partial spectral weight distribution : PSW)를 결정하였다. Co-Pd 합금박막에서의 Co 3d PSW는 수직자기이방성을 나타내는 영역에 해당하는 Co 함량 25% 이하에서 순수 Co 박막의 스펙트럼과 상당히 다른 구조를 보인 반면, Co 함량이 약 40% 이상이 되면 순수 Co 박막의 PES스펙트럼과 거의 일치하였다. Co 함량이 25% 이하의 Co 3d PSW에서 관찰된 페르미준위 근처의 봉우리 구조와 결합에너지 2 eV 근처의 어깨구조는 혼성에 의한 Co 3d 전자구조의 변화를 반영한다. 따라서 Co 3d 전자와 Pd 4d 전자 간의 혼성상호작용이 수직자기이방성의 결정에 중요한 역할을 하는 것으로 추측되었다. Co-Pd 합금박막에서의 Pd 4d PSW는 순수 Pd 스펙트럼에 비하여 그 폭이 넓고, 주 봉우리의 결합에너지가 크며, 페르미준위에서의 스펙트럼의 세기가 작게 관찰되었다. 그리고 Pd 함량이 감소함에 따라 Pd 4d PSW의 반치폭이 증가하였는데, 이러한 결과는 Co-Pd 합금이 형성될 때의 무질서 효과 또는 Co 3d 전자와 Pd 4d 전자간의 혼성상 호작용으로 인한 Pd 4d 전자구조의 변화를 반영하는 것으로 추측되었다.
이 연구에서는 방사광을 이용한 연 X-선 흡수 분광법(soft X-ray absorption spectroscopy: XAS)과 광전자 분광법(photoemission spectroscopy: PES) 을 이용하여 반쪽금속 반강자성체 후보 물질인 $Mn_3Ga$ 호이슬러 화합물의 전자구조를 연구하였다. 이 연구에 사용된 시료는 full-Heusler $Mn_3Ga$로 ball milling 후 열처리하지 않은 시료와 ball milling 후 $400^{\circ}C$에서 열처리한 두 시료를 사용하였다. XAS 분석에 의하면 $Mn_3Ga$에서 Mn 이온들의 원자가는 $Mn^{2+}$ 상태임을 알 수 있었으며, 국소적으로 팔면체 대칭성을 가진 Mn 이온들과 사면체 대칭성을 가진 Mn 이온들이 섞여 있음을 알 수 있었다. 그리고 $Mn_3Ga$의 가전자띠 PES 스펙트럼은 전자구조 계산에 의한 반쪽 금속성 상태밀도와 대체로 유사함을 발견하였다.
Adsorption and subsequent catalytic reactions of ethanol and acetaldehyde on chemically modified rutile TiO2(001) surfaces are probed by x-ray photoemission spectroscopy (XPS) using synchrotron radiation. TiO2 is a well-known photocatalyst for various catalytic reactions including oxidation of organic molecules. In this respect, the surface atomic structure has been found to play a vital role in determining the catalytic reactivity and selectivity of TiO2. In this study, we employ an atomically well-ordered reduced TiO2(001) surface which is prepared in a UHV chamber by repeated Ar+-sputtering and annealing (900 K) cycles. We systematically modify the surface by treating the surface with H2O or O2 at room temperature (RT). The catalytic reactivity of the surface-modified TiO2(001) is evaluated by dosing ethanol/acetaldehyde onto the surface at RT and by subsequent annealing to higher temperatures (400~600 K). XPS spectra of C 1s core level are intensively used to probe any change in the oxidation state of carbon atoms. We find that the reactivity as well as the saturation coverage are significantly affected by the RT-treatment of the TiO2 surface with H2O or O2. For both reactant molecules (ethanol/acetaldehyde), oxidation reactions are found to be enhanced on the O2-treated surface compared with the reduced or H2O-treated surfaces. Possibly reaction pathways are discussed based on the observed XPS spectra.
Hirahara, T.;Sakamoto, Y.;Saisyu, Y.;Miyazaki, H.;Kimura, S.;Okuda, T.;Matsuda, I.;Murakami, S.;Hasegawa, S.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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pp.14-15
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2010
Recently there has been growing interest in topological insulators or the quantum spin Hall (QSH) phase, which are insulating materials with bulk band gaps but have metallic edge states that are formed topologically and robust against any non-magnetic impurity [1]. In a three-dimensional material, the two-dimensional surface states correspond to the edge states (topological metal) and their intriguing nature in terms of electronic and spin structures have been experimentally observed in bulk Bi1-xSbx single crystals [2,3,4]. However, if we want to know the transport properties of these topological metals, high purity samples as well as very low temperature will be needed because of the contribution from bulk states or impurity effects. In a recent report, it was also shown that an intriguing coupling between the surface and bulk states will occur [5]. A simple solution to this bothersome problem is to prepare a topological metal on an ultrathin film, in which the surface-to-bulk ratio is drastically increased. Therefore in the present study, we have investigated if there is a method to make an ultrathin Bi1-xSbx film on a semiconductor substrate. From reflection high-energy electron diffraction observation, it was found that single crystal Bi1-xSbx films (0${\sim}30\;{\AA}A$ can be prepared on Si(111)-$7{\times}7$. The transport properties of such films were characterized by in situ monolithic micro four-point probes [6]. The temperature dependence of the resistivity for the x=0.1 samples was insulating when the film thickness was $240\;{\AA}A$. However, it became metallic as the thickness was reduced down to $30\;{\AA}A$, indicating surface-state dominant electrical conduction. Figure 1 shows the Fermi surface of $40\;{\AA}A$ thick Bi0.92Sb0.08 (a) and Bi0.84Sb0.16 (b) films mapped by angle-resolved photoemission spectroscopy. The basic features of the electronic structure of these surface states were shown to be the same as those found on bulk surfaces, meaning that topological metals can be prepared at the surface of an ultrathin film. The details will be given in the presentation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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