The invention of VHDL(Very High Speed Integrated Circuit Hardware Description Language), Technical language of Hardware, is a kind of turning point in digital circuit designing, which is being more and more complicated and integrated. Because of its excellency in expression ability of hardware, VHDL is not only used in designing Hardware but also in simulation for verification, and in exchange and conservation, composition of the data of designs, and in many other ways. Especially, It is very important that VHDL is a Technical language of Hardware standardized by IEEE, intenational body with an authority. The biggest problem in modern circuit designing can be pointed out in two way. One is a problem how to process the rapidly being complicated circuit complexity. The other is minimizing the period of designing and manufacturing to survive in a cutthroat competition. To promote the use of VHDL, more than a simple use of simulation by VHDL, it is requested to use VHDL in composing logical circuit with chip manufacturing. And, by developing the quality of designing technique, it can contribute for development in domestic industry related to ASIC designing. In this paper in designing SMPS(Switching mode power supply), programming PWM by VHDL, it can print static voltage by the variable load, connect computer to chip with byteblaster, and download in Max(EPM7064SLCS4 - 5)chip of ALTER. To achieve this, it is supposed to use VHDL in modeling, simulating, compositing logic and product of the FPGA chip. Despite its limit in size and operating speed caused by the specific property of FPGA chip, it can be said that this method should be introduced more aggressively because of its prompt realization after designing.
실리콘 기판 위에서 $TiO_2$와 $Bi_2O_3$의 박막 성장은 반응속도론 측면에서 커다란 차이를 보였지만, $Bi_4Ti_3O_{12}$(BIT) 박막의 성장은 주로 $TiO_2$ 성장 거동에 의해 지배를 받았다. 그 결과 BIT 박막은 bismuth가 부족한 조성을 가지게 되었다. 박막 내에 부족한 bismuth의 양을 보충해줌으로써 이러한 문제점을 해결하고자 펄스 주입 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD) 방법을 사용하였다. 이러한 펄스 주입법에 의해 bismuth의 양은 증가하였고 또한, 박막의 깊이 방향으로의 조성이 균일해졌고 $Bi_4Ti_3O_{12}$과 Si사이의 계면이 향상되었다. 게다가, $Bi_4Ti_3O_{12}$ 박막의 결정성은 크게 향상되었고 누설 전류 밀도는 연속 주입법에 비해 1/2에서 1/3정도 낮아졌다. 시계 방향의 C-V 이력 곡선이 관찰되었고 이로 인해 펄스 주입법에 의해 증착된 $Bi_4Ti_3O_{12}$ 박막은 강유전성에 의해 스위칭이 됨을 알 수 있었다.
In broadband convergence network(BcN), heterogeneous broadband wired & wireless subnetworks and various terminal equipments will be interconnected. In order to provide end-to-end realtime multimedia services on such heterogeneous networking environment, as a result, two major problems should be resolved: i) Multimedia session establishment & negotiation that adjusts the differences in the capability of multimedia data processing at the end terminal nodes, ii) quality of service(QoS)-guaranteed connection establishment or resource reservation with connection admission control(CAC) in each heterogeneous subnetworks along the path. The session layer signaling(e.g., SIP/SDP) should be extended for QoS negotiation, and must be tightly cooperating with network layer signaling or resource reservation with CAC function. In this paper we propose a session and connection management architecture for the QoS-guaranteed realtime multimedia service provisioning on BcN, with Q-SIP/SDP, resource reservation protocol with traffic engineering extension, and CAC functions. The detailed interaction scenario and related algorithms for QoS-guaranteed realtime multimedia session, resource reservation and connection establishment are explained and analyzed. From the experimental implementation of the proposed scheme on a small scale BcN testbed, we verified that the proposed architecture is applicable for the realtime multimedia service provisioning. We analyze the network performance and QoS parameters in detail.
본 논문에서는 Ant Colony Optimization(ACO)을 이용하여 Single-Error Correcting & Double-Error Detecting(SEC-DED)을 제공하는 메모리 ECC 체커 회로의 소비전력을 절감하는 방안을 제시한다. H-매트릭스를 통해 구현되는 SEC-DED 코드인 Hsiao 코드의 대칭성과 H-매트릭스 구성상의 높은 자유도를 이용하여 회로의 면적, 딜레이에 영향을 주지 않고 최소의 비트 트랜지션이 일어나도록 H-매트릭스를 최적화한다. 실험을 통하여 H-매트릭스의 최적화를 위한 ACO 매핑과 파라메터의 설정을 알아보고 이의 구현 결과를 랜덤 매트릭스 구성을 통한 방식 및 기존의 GA알고리즘을 이용한 최적화 방식과 비교하여 소비 전력이 기존의 방식에 비해 절감될 수 있음을 보여준다.
Fe O 와 V O 를 적당한 mole비로 혼합하여 H -CO 분위기 중 1,100℃에서 10시간씩 5∼6회 반복소성하여 Fe V O Spinel을 제조하였다. 제조된 시편의 온도에 대한 저항률을 측정하고 이로부터 활성화에너지를 구해서 시편의 도전기구를 고찰하고, x, 주위온도, 시편의 두께 및 인가전압 상승률에 대한 I-V 특성곡선을 얻어서 부성저항 발생기구의 해명을 시도하였다. Fe V -O spinel의 도전은 주로 B자리의 Fe 와 F 사이의 전자 hopping에 기인되며, 부성저항은 filament형의 통전로에 기인되는 열적현상이라 생각된다.
We synthesized dendrimers containing light switchable units, azobenzene group. And the dendrimer containing 48 pyridinepropanol functional end group, which could form a complex structure with metal ions was synthesized. To apply to the molecular level devices or data storage system using Langmuir-Blodgett(LB) film, we firstly investigated the monolayer behavior using the surface pressure-area($\pi$-A) isotherms at air-water interface. And then the surface pressure shift of monolayer by light irradiation was also measured to the dendrimer with azobezene group. As a result, the monolayer of dendrimer with azobenzene group showed the reversible photo-switching behavior by the isomerization of azobenzene group in their periphery. The samples for electrical measurement were fabricated to two types which were pure dendrimer with pyridinepropanol group and its complexes with $Pt^4+$ ions by LB method. We have studied the electrical properties of the ultra thin dendrimer LB films investigated by the current-voltage(I-V) characteristics of Metal/Dendrimer LB films/Metal(MIM) structure. And we have investigated different results in the surface activity at the air-water interface as well as the electrical properties for the monolayers of pure dendrimer with pyridinevopanol group and its complex with $Pt^4+$ ions. In conclusion, it is demonstrated that the metal ion around dendrimer with pyri야nepropanol group can contribute to make formation of network structure among dendrimers and it result from the change of electrical properties. This results suggest that the dendrimers with azobenzene group and pvridinedropanol group can be applied to high efficient nano-device of molecular level.
기존의 MMA(Multi-Modulus Algorithm)는 심벌간 간섭(Intersymbol Interference: ISI)이 심한 등화 초기에는 부정확한 판단을 할 가능성이 매우 높기 때문에 눈모형을 열리게 하는데 어려움이 있다. 이러한 문제점을 피하기 위해 최근에 MCMA(Modified Constant Modulus Algorithm)를 기반으로 한 SMMA(Sliced MMA)가 제안되었다. SMMA는 높은 SNR 조건에서는 MMA보다 개선된 성능을 보이나, 낮은 SNR 조건에서는 비용함수에 사용되는 판정 값이 부정확할 가능성이 매우 높다는 사실을 알 수 있다. 그러므로 본 논문에서는 등화 초기에 블라인드 수렴 특성을 저하시키지 않으면서 정상상태 성능을 개선하는 다중 modulus 블라인드 등화 알고리즘 기법을 제시한다. 제안한 방법에서는 단일 modulus와 다중 modulus의 선택적 적용을 위해 등화기 출력의 잔류심벌간 간섭 양을 이용한 초기수렴검출 기법을 고안${\cdot}$적용하여 최적의 전환 시점을 자동으로 겨??ㅇ하였다. 제안 알고리즘의 성능을 모의실험을 통하여 수렴 속도와 잔류 ISI 성능에서 기존방식에 비해 제안한 방식의 유용성을 확인하였다.
기존의 다중 모듈러스 기반 자기복원 등화 유형은 등화 초기에 적용되지 못하고 정상상태 성능 개선에 활용되었다. 본 논문에서는 다중 모듈러스를 원하는 응답으로 하는 유형의 자기복원 등화에서, 오차를 증강하여 오차의 역동성을 확장함으로써 초기 수렴 성능을 개선하고, 그 특성을 분석하였다. 제안 방법에서 오차 증강은 등화기 출력에 대한 심볼 판정에 비례하여 이루어진다. 아울러 제안 방법은 오차 역동성의 확장으로 인한 초기 수렴 기능을 갖기 때문에, 초기 수렴속도와 정상상태 오차 레벨에서 우수한 성능을 보인다. 특히 제안 방법은 등화의 전 과정을 하나의 알고리즘으로 진행하므로 기존의 다른 동작 모드로의 전환이나 선택 방법, 또는 다른 알고리즘과의 동시 동작 등이 불필요하다. 다중경로 전파와 부가 잡음이 있는 채널 조건하에서 이루어진 고차 신호점에 대한 자기복원 등화의 성능 분석 시뮬레이션을 통해 제안 방법의 유용성을 검증하였다.
We synthesized dendrimers containing light switchable units, azobenzene group. And the dendrimer containing 48 pyridinepropanol functional end group, which could form a complex structure with metal ions was synthesized. To apply to the molecular level devices or data storage system using Langmuir-Blodgett(LB) film, we firstly investigated the monolayer behavior using the surface pressure-area($\pi$-A) isotherms at air-water interface. And then the surface pressure shift of monolayer by light irradiation was also measured to the dendrimer with azobezene group. As a result, the monolayer of dendrimer with azobenzene group showed the reversible photo-switching behavior by the isomerization of azobenzene group in their periphery. The samples for electrical measurement were fabricated to two types which were pure dendrimer with pyridinepropanol group and its complexes with $Pt^4+$ ions by LB method. We have studied the electrical properties of the ultra thin dendrimer LB films investigated by the current-voltage(I-V) characteristics of Metal/Dendrimer LB films/Metal(MIM) structure. And we have investigated different results in the surface activity at the air-water interface as well as the electrical properties for the monolayers of pure dendrimer with pyridinevopanol group and its complex with $Pt^4+$ ions. In conclusion, it is demonstrated that the metal ion around dendrimer with pyri야nepropanol group can contribute to make formation of network structure among dendrimers and it result from the change of electrical properties. This results suggest that the dendrimers with azobenzene group and pvridinedropanol group can be applied to high efficient nano-device of molecular level.
This study was carried out to investigate the optimum condition of a friction stir welding process for a joint of AA2219-T87 and AA2195-T8 dissimilar aluminum alloys. These alloys are known to have good cryogenic properties, and as such to be suitable for use in fuel tanks of space vehicles. The welding parameters include the travelling speed, rotation speed and rotation direction of the tool. The experiment was conducted under conditions in which the travelling speed of the tool was 120-300 mm/min and the rotation speed of the tool was 400-800 rpm. To investigate the effect of the rotation direction of the tool, the joining was performed by switching the positions of the two dissimilar alloys. After welding, the microstructure was observed and the micro-hardness were measured; non-destructive evaluation was carried out to perform tensile tests on defect-free specimens. The result was that the microstructure of the weld joint underwent dynamic recrystallization due to sufficient deformation and frictional heat. The travelling speed of the tool had little effect on the properties of the joint, but the properties of the joint varied with the rotation speed of the tool. The conditions for the best joining properties were 600 rpm and 180-240 mm/min when the AA2219-T8 alloy was on the retreating side(RS).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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