• 한국광학회지
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• 제28권6호
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• pp.273-280
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• 2017

본 논문에서는 낮은 도로 조명을 위한 freeform reflector를 설계하였다. 높이에 비해 넓은 차선까지 배광을 보내야 하는 낮은 도로 조명의 경우, 기존의 등주식 도로 조명에 비해 균제도를 맞추기 힘들다는 단점이 있다. 조명 등급 M3를 만족시키기 위해 reflector를 part 9개로 나누어 part 별 반사면의 기울기를 변화시켜 원하는 배광을 갖도록 하였고, 각 점을 기준으로 fitted curve를 그려 이에 따른 수식을 도출하였다. LightTools의 street light simulation을 통해 M3 조명 등급에 만족하는 것을 확인하였고 직접 제작하여 실제 도로상에서 조명 등급을 만족시키며 설계 결과에 대한 타당성을 입증하였다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제7권1호
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• pp.123-132
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• 1989

A radiation beam incident on an irregular or sloping surface produces the non-uniformity of absorded dose. The use of a tissue compensator can partially correct this dose inhomogeneity. The tissue compensator is designed based on the patient's three dimensional contour. After required compensator thickness was determined according to tissue deficit at $25cm\pm25cm$ field size, 10cm depth for 6MV x-rays, tissue deficit was mapped by isoheight technique using laser beam system. Compensator was constructed along the designed model using 0.8mm lead sheet or 5mm acryl plate. Dosimetric verification were peformed by film dosimetry using humanoid phantom. Dosimetric measurements were normalized to central axis full phantom readings for both compensated and non-compensated field. Without compensation, the percent differences in absorbed dose ranged as high as $12.1\%$ along transverse axis, $10.8\%$ along vertical axis. With the tissue compensators in place, the difference was reduced to $0\~43\%$ Therefore, it can be concluded that the compensator system constructed by isoheihnt technique can produce good dose distribution with acceptible inhomogeneity, and such compensator system can be effectively applied to clinical radiotherapy.

• 폴리머
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• 제27권5호
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• pp.484-492
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• 2003

러빙에 의해 유도된 네마틱 액정의 배향 특성과 그 안정성이 액정-폴리이미드 계면 특성과 어떠한 관계가 있는지를 조사하였다. 합성된 5 종류의 폴리이미드 특성을 분석하고 폴리이미드 배향막에서의 액정 배향의 균일성, 선경사각, 정착 에너지, 그리고 열 안정성을 측정 조사하였다. 러빙된 폴리이미드는 강한 정착의 액정 배향을 유도하고 액정 배향의 특성과 안정성은 배향막 표면에서의 액정과 폴리이미드 간의 분자 차원의 상호작용에 의해 결정된다는 것을 확인하였다. 폴리이미드의 유연성의 증가는 이미드화를 촉진시키며 액정의 선경사각과 배향 안정성을 증대시킨다. 반면에, 폴리이미드의 플루오르화는 액정의 배향성 및 배향 안정성을 감소시키는 것으로 나타났다. 폴리이미드의 방향족과 지방족 고리 이무수물 구조에 따른 액정 배향의 특성과 안정성에는 뚜렷한 차이가 나타나지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.68-69
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• 2005

BTO ($BaTiO_3$) thin film is one of the high dielectric materials for high-density dynamic random access memories (DRAMs) due to its relatively high dielectric constant. It is generally known that BTO film is difficult to be etched by plasma etching, but high etch rate with good selectivity to pattern mask was required. The problem of sidewall angle also still remained to be solved in plasma etching of BTO thin film. In this study, we first examined the patterning possibility of BTO film by chemical mechanical polishing (CMP) process instead of plasma etching. The sputtered BTO film on TEOS film as a stopper layer was polished by CMP process with the self-developed $BaTiO_3$- and $TiO_2$-mixed abrasives slurries (MAS), respectively. The removal rate of BTO thin film using the$ BaTiO_3$-mixed abrasive slurry ($BaTiO_3$-MAS) was higher than that using the $TiO_2$-mixed abrasive slurry ($TiO_2$-MAS) in the same concentrations. The maximum removal rate of BTO thin film was 848 nm/min with an addition of $BaTiO_3$ abrasive at the concentration of 3 wt%. The sufficient within-wafer non-uniformity (WIWNU%)below 5% was obtained in each abrasive at all concentrations. The surface morphology of polished BTO thin film was investigated by atomic force microscopy (AFM).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.59-62
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• 1996

Plasma displays (PDP) as a large area wall-hanging display device are rabidly developed with flat CRT, TPT LCD and etc. Especially, AC Plasma Display Panels(AC PDPs) have the inherent memory function which is effective for large area displays. The memory function in AC PDPs is caused by the accumulation of the electrical charge on the protecting layer formed on the dielectric layer. This MgO protective layer prevents the dielectric layer from sputtering by ion in discharge plasma and also has the additional important roll in lowering the firing voltage due to the large secondary electron emission coefficient). Until now, the MgO Protective layer is mainly formed by E-Beam evaporation. With increasing the panel size, this process is difficult to attain cost reduction, and are not suitable for large quantity of production. To the contrary, the methode of shuttering are easy to apply on mass production and to enlarge the size of the panel and shows the superior adhesion and uniformity of thin film. In this study, we have prepared MgO protective layer on AC PDP Cell by reactive magnetron sputtering and studied the effect of MgO layer on the surface discharge characteristics of ac PDP.

• 전기화학회지
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• 제11권1호
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• pp.16-21
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• 2008

직접메탄올 연료전지 (DMFC)의 핵심 구성 요소 중에서 하나는 고분자 전해질막과 촉매층 (연료극과 공기극)으로 구성된 전해질/전극 접합체 (MEA)이다. 그중에서 촉매층은 브러싱법, 전시법, 스프레이 코팅법, 스크린 프린팅법과 같은 다양한 방법을 사용하여 carbon paper나 carbon cloth등과 같은 전극 지지체 위에 코팅한다. 그러나 이러한 촉매 코팅방법들은 전극 지지체 위에 촉매를 균일한 두께로 코팅하기 어렵고, 촉매의 손실이 많으며, 또한 코팅 시간이 많이 필요하다는 단점들이 있다. 본 연구에서는 DMFC용 MEA의 전극층을 바코팅 방법 (bar-coating method)을 사용하여 한 번에 원하는 양의 촉매가 코팅되도록 제조하였다. 이렇게 제조한 전극 촉매층 표면과 단면의 형태를 SEM을 사용하여 관찰하였다. 제조한 MEA의 성능과 저항은 단위전지와 임피던스 분석기를 사용하여 측정하였다.

• 한국진공학회지
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• 제18권5호
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• pp.337-345
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• 2009

패키지 기판의 지름 $100{\mu}m$ 이하 미세 드릴 구멍의 경우 습식 디스미어 공정만으로는 구멍 내부의 스미어를 효과적으로 제거할 수 없다. 본 연구에서는 습식 디스미어 공정의 이전 단계에서 대기압 플라즈마를 처리하여 소수성의 기판 표면을 친수성으로 개질하고자 하였다. 대기압 플라즈마 공정은 리모트 DBD 방식의 전극을 이용하여 패키지 제조 공정에 적합한 인라인 형태의 장비로 구성되었다. 대기압 플라즈마를 처리한 결과 접촉각 기준으로 $71^{\circ}$의 소수성 절연 필름 표면이 $30^{\circ}$ 정도의 친수성 표면으로 개질되었다. 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 습식 디스미어 공정의 특성을 평가하기 위하여 절연 필름의 두께, 드릴 구멍 지름, 표면 조도의 변화를 측정하였는데, 대기압 플라즈마 처리 시 기판 전면에서 공정 특성의 균일도가 향상되는 것을 확인하였다. 또한 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 드릴 구멍의 SEM 사진 분석 결과 대기압 플라즈마 처리 시 구멍 내부의 스미어가 효과적으로 제거됨을 실험적으로 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.252-253
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• 2011

ZnO-based thin film transistors (TFTs) are of great interest for application in next generation flat panel displays. Most research has been based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) TFTs, rather than single binary oxides, such as ZnO, due to the reproducibility, uniformity, and surface smoothness of the IGZO active channel layer. However, recently, intrinsic ZnO-TFTs have been investigated, and TFT- arrayss have been demonstrated as prototypes of flat-panel displays and electronic circuits. However, ZnO thin films have some significant problems for application as an active channel layer of TFTs; it was easy to change the electrical properties of the i-ZnO thin films under external conditions. The variable electrical properties lead to unstable TFTs device characteristics under bias stress and/or temperature. In order to obtain higher performance and more stable ZnO-based TFTs, HZO thin film was used as an active channel layer. It was expected that HZO-TFTs would have more stable electrical characteristics under gate bias stress conditions because the binding energy of Hf-O is greater than that of Zn-O. For deposition of HZO thin films, Hf would be substituted with Zn, and then Hf could be suppressed to generate oxygen vacancies. In this study, the fabrication of the oxide-based TFTs with HZO active channel layer was reported with excellent stability. Application of HZO thin films as an active channel layer improved the TFT device performance and bias stability, as compared to i-ZnO TFTs. The excellent negative bias temperature stress (NBTS) stability of the device was analyzed using the HZO and i-ZnO TFTs transfer curves acquired at a high temperature (473 K).

• 한국재료학회지
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• 제2권2호
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• pp.151-156
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• 1992

본 연구에서는 $Ba(OH)_2{\cdot}8H_2O,\;Sr(OH)_2{\cdot}8H_2O$ 및 $Ti(i-OC_3H_7)_4$를 사용하여 졸-겔법에 의해 미세한 $(Ba_{1-x}Sr_{x})TiO_3$ 분말을 제조하였다. TEM 관찰, BET 비표면적측정 및 XRD회절도의 분석결과 $700^{\cric}C$에서 하소한 뚠말의 입자크기는 20~40nm이고 입방정상으로 존재하였다. 또한 XRD 회절도고부터 계산된 격자상수 및 (112)피크의 이동으로부터 고용체분말이 형성되었음을 확인할 수 있었다. 제조된 분말에서의 EDAX 분석을 통한 양이온들의 상대적인 비율 및 소결체에 대한 유전상수의 측정결과로부터 제조된 분말에서 양이온들의 분포가 입자단위에서 균질함을 예상할 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.88.1-88.1
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• 2012

Silicon nanowires (SiNWs), due to their unusual quantum-confinement effects that lead to superior electrical and optical properties compared to those of the bulk silicon, have been widely researched as a potential building block in a variety of novel electronic devices. The conventional means for the synthesis of SiNWs has been the vapor-liquid-solid method using chemical vapor deposition; however, this method is time consuming, environmentally unfriendly, and do not support vertical growth. As an alternate, the electroless etching method has been proposed, which uses metal catalysts contained in aqueous hydrofluoric acids (HF) for vertically etching the bulk silicon substrate. This new method can support large-area growth in a short time, and vertically aligned SiNWs with high aspect ratio can be readily synthesized with excellent reproducibility. Nonetheless, there still are rooms for improvement such as the poor surface characteristics that lead to degradation in electrical performance, and non-uniformity of the diameter and shapes of the synthesized SiNWs. Here, we report a facile method of SiNWs synthesis having uniform sizes, diameters, and shapes, which may be other than just cylindrical shapes using a modified nanosphere lithography technique. The diameters of the polystyrene nanospheres can be adjustable through varying the time of O2 plasma treatment, which serve as a mask template for metal deposition on a silicon substrate. After the removal of the nanospheres, SiNWs having the exact same shape as the mask are synthesized using wet etching technique in a solution of HF, hydrogen peroxide, and deionized water. Different electrical and optical characteristics were obtained according to the shapes and sizes of the SiNWs, which implies that they can serve specific purposes according to their types.