We performed angle resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) studies on Ru doped $BaFe_2As_2$ with various Ru contents. Ru, which is doped into a parent compound $BaFe_2As_2$ and substitute Fe, does not donate or accept electrons. However, it induces superconductivity. From ARPES data along the high symmetry cuts and Fermi surface maps, we investigate the electron correlation and carrier density at the Fermi level. We observe that the Fermi velocity increases with Ru doping, suggesting reduction in electron correlation. In addition, we address issues on local vs. itinerant pictures for the magnetism in $BaFe_2As_2$.
Electrical transport properties were measured on $SmFeAsO_{0.85}$ single crystals along the c-axis for various temperatures and magnetic fields. For the measurements a mesa structure was fabricated on the surface of the single crystals. Samples showed a metallic temperature dependence of resistance and current-voltage curves without hysteretic multiple branch splitting that is usually observed in tunneling Josephson junctions. In addition, in ab-planar magnetic fields, samples did not show the Fraunhofer-type field modulation of the critical current. All these features indicate that the c-axis transport characteristics of $SmFeAsO_{0.85}$ single crystals are explained by the anisotropic bulk superconductivity rather than Josephson tunneling.
An enhancement of the c-axis differential conductance around the zero-bias voltage near the superconducting transition temperature $T_{c}$ has been observed in $Au/Bi_2$$Sr_2$$CaCu_2$$O_{8+x}$ junctions. We attribute such an enhancement to the Andreev reflection (AR) between the surface Cu-O bilayer with suppressed superconductivity and the next superconducting Cu-O bilayer. The continuous evolution of the differential conductance, from gap like depression to an AR-like peak structure, around the zero-bias voltage points to weakening of the barrier strength of the nonsuperconducting layer between adjacent Cu-O bilayers as temperature approaches $T_{c}$ from below. The peak structure disappeared just below the bulk $T_{c}$ value of underdoped Bi2212 single crystals, whereas it survived up to ~1 K above $T_{c}$ in Junctions prepared on slightly overdosed crystals. According to a recently proposed theoretical consideration, a wider temperature range of the AR a bone $T_{c}$ is expected in the underdoped regime when phase-incoherent preformed pairs emerge in the pseudogap state. Our result is in contradiction to the preformed pair scenario. scenario.o.
The crystal structure and properties of YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$(YBCO) and CeO$_2$ thin films deposited on r-plane (1(equation omitted)02) sapphire substrate by pulsed- laser deposition(PLD) have been investigated. C-axis oriented epitaxial YBCO thin films with critical temperature (Tc) of 88 K were routinely grown on (200) oriented CeO$_2$ buffer layers with thickness in the range between 20 to 80 nm. When the thickness of the (200)oriented CeO$_2$ buffer layer increases over than 80 nm, the superconducting properties of YBCO thin films on that were deteriorated. The decrease in Tc of YBCO thin films was explained by the microcrack formation in CeO$_2$ buffer layer. These results indicate that the thickness of the (200) oriented CeO$_2$ buffer layer is critical to the epitaxial YBCO thin nim growth on r-plane (1(equation omitted)02) sapphire substrate.e.
단결정의 덩어리 시료로부터 박리된 NbSe2와 FeSe 박막을 이용한 동종 초전도 vdW 접합을 만들고 저온전도측정을 통해 JJ 효과를 확인하였다. 각 물질의 초전도 틈을 측정하였으며 기존 결과와 잘 일치하는 것을 확인하였다. FeSe 접합의 경우 NbSe2 접합과 다르게 JJ가 구현되지 않는 경우가 다수 발생하는데 이는 NbSe2와 구분되는 FeSe의 특성때문으로 보이며 일관성있는 JJ 구현을 위해서 저온 접합이나 접합 각도 의존성을 통한 향후 연구가 필요하다. 그럼에도 불구하고, 본 연구 결과는 FeSe 2차원 결정을 이용해 JJ가 잘 구현될 수 있음을 실험적으로 보인 첫 사례로서 그 의의를 갖는다.
Since the discovery of high Tc superconductors, great efforts have been focused to develop high performance HTS magnets for the ultimate applications to power system devices. Magnet designers, however, have had difficulties in the estimation of the maximum operating current of the designed magnet from the tested short sample data, due to the degradation of the critical current density in the magnet. Similar story applies to the HTS electrical bus bar. It has been found that the critical current of Bi-2223 stacked tapes is much less than the total summation of critical currents of each tape, which is mainly attributed to the self magnetic fields. Furthermore, since the critical current degradation of Bi-2223 tape is greater in the normal magnetic field (to the tape surface) than in the parallel one, detailed magnetic field configurations are required to reduce the self field effects. In this paper, we calculate the self field effects of a stacked conductor, defining self field factors of normal and parallel magnetic fields to the tape surface. Finally, the critical current degradations in the HTS magnet are explained by the introduced self field factors of the stacked conductor.
Deposition condition of NiO that is one of Possible buffer layers for YBCO coated conductors was studied. NiO was deposited on textured Ni substrates by a MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition) method. The degree of texture, and the surface roughness were analyzed by X-ray Pole figure, atomic force microscope and scanning electron microscope. The (111) and (200) textures were competitively developed , depending on an oxygen partial Pressure(PO2) and deposition temperature (Tp). The (200) textured NiO layer was deposited at Tp=450~47$0^{\circ}C$ and PO2= 1.67 Torr Out-of-Plane ($\omega$-scan) and in-plane ($\Phi$-scan) textures of the (200) NiO films were as good as 10.34$^{\circ}$ and 10.00$^{\circ}$ respectively The AFM surface roughness of NiO was in the range of 3~4.5 nm at PO2=0.91~3.34 Torr and at Tp=47$0^{\circ}C$ , and in the range of 3~13 nm at TP=450~53$0^{\circ}C$ and at PO2=1.67 Torr.
In this work, the yttrium oxide($Y_2O_3$) thin films as the buffer layer were prepared by the simple solution coating and reel-to-reel process on an unpolished metal tape substrate. The $Y_2O_3$ thin films were successfully synthesized by the hydrolysis of yttrium acetate. We have studied the improvement of surface roughness with the concentration of solution(0.1 M, 0.4 M, M) and the number of coatings. The planarization by solution coating process is simple in comparison with the existing polishing process, and it is eco-friendly, and has the benefits of low cost process. The thickness of $Y_2O_3$ films was increased with the $Y_2O_3$ concentration in the solution, and the surface became smoother with the number of coating cycles. Using this process, we have achieved 1.2 nm RMS roughness from a starting roughness of over 31 nm on 25 ${\mu}m^2$ area.
YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$(YBCO) coated conductors were deposited by pulsed laser deposition (PLD) on short buffered substrate in continuous PLD reel-to-reel system. The oxide multilayer buffered substrate of architectures of CeO$_2$/YSZ/Y$_2$O$_3$was fabricated by PLD at steady status. The degree of texture of each layer was investigated using X-ray diffraction including $\theta$-2$\theta$ scans, $\omega$-scans and $\Phi$-scans analysis. Their surface morphology was observed by scanning electron microscopy (SEM) The FWHM of the X-ray $\omega$-scans and $\Phi$-scans indicated that YBCO and buffer layers closely replicate the in-plane and out-of-plane texture of metal tape. Critical current at 77K self-field of 19A, critical temperature of 86K, and current density of 2MA/$\textrm{cm}^2$ were measured. The film also exhibits a homogeneous and dense surface morphology.e morphology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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