Dual mode ring resonators(DMRR) have been fabricated using laser ablated $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ superconducting thin films. The transition temperature of YBCO thin films were 85 - 88 K and the film thicknesses were about 5,000 $\AA$. Dual mode ring resonators were patterned by standard photolithography process and wet-etching. Then two-layer metal thin films (Ti/Ag) have been deposited for the ground plane on the back side of substrate by e-beam and thermal evaporation. The input/output feedline angles of each resonator were $60^{\circ}$, $100^{\circ}$, $180^{\circ}$. A network analyzer was used for testing the performance of the resonators in the frequency range of 6-13 GHz at 77 K.
$SrPd_2Ge_2$ single crystals were grown by self-flux method. Several shiny plate-like single crystals were obtained. The crystal structure and lattice parameters were characterized using the x-ray diffractometor, which indicates the crystals are in a single phase of $ThCr_2Si_2$-type. We confirmed superconducting transition temperature at 2.7 K by measuring magnetization and electrical resistivity.
Dual mode resonators were fabricated using high temperature superconductor. The deposited material was $Y_1Ba_2Cu_3O_{7-x}$(YBCO) on MgO(100) substrate using pulsed laser deposition. Dual mode resonators were patterned by standard photolithography process and wet etching. At the back-side of the substrate, the ground plane with the metal layer of Ti and Ag was fabricated. The transition temperatures of YBCO films were 85-88 K, and network analyzer was used for testing the performance of the resonators. The input/output feedline angles of each resonator were $60^{\circ}$and $100^{\circ}$. The resonant frequency of resonators was 10 GHz. In this paper, dual mode resonator was fabricated for the application of satellite communication.
Seong Han Kim;Dong Hoon Lee;Jong Sik Park;Seung Koo Cho;Sung Han Lee;Keu Hong Kim
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제15권2호
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pp.115-118
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1994
Samples of ($Bi_{2-x}Sb_x)PbSr_2Ca_2Cu_3O_y$, compositions with x=0.0, 0.1, and 0.2 were prepared by solid-state reaction. The solubility of Sb into the 2223 phase is lower than 0.05 for the ratio of Sb/Bi. The lack of stability of the Sb-substituted $Bi_2O_2$ double layers is likely to cause the solubility low. There is no great dependence of lattice parameters on the Sb-content, and bonds around the square-pyramidal Cu atom are not affected by the $Sb^{3+}$ ion substituted. The superconducting transition temperature of this system is decreased gradually with increase of Sb, which is tentatively attributable to the perturbation of the Bi 6p-O 2p band and/or to the low volume fraction of the 2223 phase.
Sm 원소가 첨가된 $(Sm/Y)_{1.8}Ba_{2.4}Cu_{3.4}O_{7-x}$[이하 (Sm/Y)1.8] 고온초전도체를 국부용융성장법을 이용해 대기 중에서 용융성장실험을 하였다. 초기 (Sm/Y)1.8 초전도체 시편은 rubber 몰드를 이용해 냉간정수압성형(CIP) 과정을 거쳐 길이 방향 원통형상으로 제조되었다. 이렇게 얻어진 (Sm/Y)1.8 초전도체는 용융온도 및 성장속도에 따라 광학현미경, TEM그리고 SQUID magnetometer를 이용해 미세구조 및 초전도특성을 평가하였다. 이 결과 (Sm/Y)1.8 초전도체의 최적의 용융온도 및 성장속도는 $1085^{\circ}C$에서 3.5mm/hr로 나타났다. 특히 일방향으로 용융성장된 (Sm/Y)1.8 초전도체의 광학현미경 및 TEM에 의하 미세구조 관측 결과, 초전도상인 (Sm/Y)123 matrix내에 비초전도상인 (Sm/Y)211 inclusions이 균질하게 분포되어 있는 것이 관측되었다. 초전도특성을 평가한 결과 용융성장된 (Sm/Y)1.8초전도체는 90K에서 임계온도가 시작되어 77K이상의 온도에서 포화되는 특성을 보였다.
Since the discovery of the high-temperature superconductors, many researches have been performed for the practical applications of superconductivity technologies in various fields. As results, significant progress has been achieved. Especially, Superconducting Fault Current Limiter (SFCL) offers an attractive means to limit fault current in power systems. The SFCLS, in contrast to current limiting reactors or high impedance transformers, are capable of limiting short circuit currents without adding considerable voltage drop and energy loss to power systems during normal operation. Under fault conditions, a resistance is automatically inserted into the power grid to limit the peak short-circuit current by transition from the superconducting state to the normal state, the quench. The advantages, like fail safe operation and quick recovery, make SFCL very attractive, especially for rapidly growing power systems with higher short-circuit capacities. In order to verify the effectiveness of the SFCL, in this paper, the analysis of fault current and voltage stability assessment in a sample distribution system and a transmission system are performed by the PSCAD/EMTDC based simulation method. Through the simulation, the advantage of SFCL application is shown, and the effective parameters of the SFCL are also recommended for both distribution and transmission systems. A resistive type component of SFCL is adopted in the analysis. The simulation results demonstrate not only the effectiveness of the proposed simulation scheme but also SFCL parameter assessment technique.
Production of $MgB_2$ film on metallic Hastelloy with SiC as the buffer layer was achieved by means of hybrid physical-chemical vapor deposition technique, whereas SiC buffer layers with varied thickness of 170 and 250 nm were fabricated inside a pulsed laser deposition chamber. Superconducting transition temperature and critical current density were verified by transport and magnetic measurement, respectively. With SiC buffer layer, the reduced delaminated area at the interface of $MgB_2$-Hastelloy and the slightly increased $T_c$ of $MgB_2$ tapes were clearly noticed. It was found that the upper critical field, the irreversibility field and the critical current density were reduced when $MgB_2$ tapes were buffered with SiC buffer layer. Clarifying the mechanism of SiC buffer layer in $MgB_2$ tape in affecting the superconducting properties is considerably important for practical applications.
We present an experimental investigation of the superconducting transition temperatures, $T_c$, of superconductor/ferromagnet bilayers with varying the thickness of ferromagnetic layer. FeN was used for the ferromagnetic (F) layer, and NbN and Nb were used for the superconducting (S) layer. The results were obtained using three different-thickness series of the S layer of the S/F bilayers: NbN/FeN with NbN thickness, $d_{NbN}{\approx}9.3nm$ and $d_{NbN}{\approx}10nm$, and Nb/FeN with Nb thickness $d_{Nb}{\approx}15nm$. $T_c$ drops sharply with increasing thickness of the ferromagnetic layer, $d_{FeN}$, before maximal suppression of superconductivity at $d_{FeN}{\approx}6.3nm$ for $d_{NbN}{\approx}10nm$ and at $d_{FeN}{\approx}2.5nm$ for $d_{Nb}{\approx}15nm$, respectively. After shallow minimum of $T_c$, a weak $T_c$ oscillation was observed in NbN/FeN bilayers, but it was hardly observable in Nb/FeN bilayers.
(YNdSm)-Ba-Cu-O system high Tc composite superconductors were directionally grown by zone melting process, having large temperature gradient, in air atmosphere. Cylindrical green rods of $(YNdSm)_{1.8}Ba_{2.4}Cu_{3.4}O_x$ [(YNS)1.8]composite oxides by CIP (cold isostatic pressing) method using rubber mold were fabricated. The microstructure and superconducting properties were investigated by XRD, TEM and SQUID magnetometer. The size of nonsuperconducting $(YNdSm)_2BaCuO_5$ inclusions of the melt-textured (YNS)1.8 sample with $CeO_2$ additive were remarkably reduced and uniformly distributed within the superconducting (YNS)1.8 matrix. (YNS)1.8 samples, with / without $CeO_2$ additive, showed an onset $T_c{\geq}90K$ and sharp superconducting transition. The critical current density $J_c$ value of the (YNdSm)1.8 superconductor with $CeO_2$ additive were 840 A, $1.2{\times}104A/cm^2$ in 77 K, 0 Tesla by direct current transport method.
The effect of electron beam (EB) irradiation on superconducting properties and microstructures of MgB2 bulk superconductors were investigated. At E-beam doses of 1×1016 e/cm2 and 1×1017 e/cm2, the effect of irradiation on a superconducting transition temperature (Tc) of MgB2 was weak. As a dose increases to 5×1017 e/cm2, Tc decreases by 0.5 K. The critical current density (Jc) measured at 4.2 K and 20 K, and 0 T - 5 T increases slightly as exposure time increases. X-ray diffraction for the irradiation surface of MgB2 shows that the diffraction intensity of (hkl) peaks decreases proportionally as the exposure time increases. This indicates that the crystallinity of MgB2 was degraded by irradiation. TEM investigation for the irradiated sample showed distorted lattice structure, which is consistent with the XRD results. The Jc increase and Tc reduction of MgB2 by irradiation are believed to be caused by the lattice distortion.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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