• Current Applied Physics
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• 제18권11호
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• pp.1447-1450
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• 2018

The electron spin resonance (ESR) detects point defect of the In-Ga-Zn oxide (IGZO) like singly ionized oxygen vacancies and excess oxygen, and get spin density as a parameter of defect state. So, we demonstrated the spin density measurement of the IGZO film with various deposition conditions and it has linear relationship. Moreover, we matched the spin density with the total BTS and the threshold voltage ($V_{th}$) distribution of the IGZO thin film transistors. The total BTS ${\Delta}V_{th}$ and the $V_{th}$ distribution were degraded due to the spin density increases. The spin density is the useful indicator to predict $V_{th}$ instability of IGZO TFTs.

• 한국환경보건학회지
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• 제49권4호
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• pp.218-227
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• 2023

Background: Since 2019, the Ministry of Environment has implemented a seasonal fine dust management system from December to March, targeting high PM_2.5 levels with the aim of reducing PM_2.5 concentrations and protecting public health. The focus of improving the seasonal management system lies in the atmospheric PM_2.5 levels. Considering the primary goal of protecting public health, it is necessary to analyze the policy effects from an exposure perspective rather than a concentration-based approach. Objectives: This study aims to quantitatively assess the improvement of indoor PM_2.5 levels and the health impacts of the seasonal management system by comparing the periods before and during its implementation in residential environments. Methods: PM_2.5 concentrations within residential environments in a metropolitan area were measured using an optical particle counter (IAQ-C7, K-weather, Ltd, Korea) at one-minute intervals during the pre-implementation period (November 21~25, 2022) and during the implementation period (December 19~23, 2022). Based on the measured PM_2.5 concentrations, a quantitative evaluation of cancer and mortality risks was conducted according to age and gender. Results: The results of comparing indoor and outdoor PM_2.5 concentrations before and during the implementation of the seasonal management system showed a decrease of approximately 56.6% and 47.9%, respectively. Health risk assessments revealed that both the safety-limit-based and safety-target-based Hazard Quotients (HQ) exceeded the threshold of 0.1 for children under 19 years of age, both before and after the implementation. The mortality risk decreased by approximately 47.9% after the implementation, with children aged 0-9 showing the highest mortality risk at 0.9%. Conclusions: The findings of this study confirmed the positive health impacts of the seasonal management system across all age groups, particularly children under 19 who are more vulnerable to fine dust exposure.

• Korean Journal of Radiology
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• 제25권4호
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• pp.351-362
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• 2024

Objective: To measure inter-reader agreement and identify associated factors in interpreting complete response (CR) on magnetic resonance imaging (MRI) following chemoradiotherapy (CRT) for rectal cancer. Materials and Methods: This retrospective study involved 10 readers from seven hospitals with experience of 80-10210 cases, and 149 patients who underwent surgery after CRT for rectal cancer. Using MRI-based tumor regression grading (mrTRG) and methods employed in daily practice, the readers independently assessed mrTRG, CR on T2-weighted images (T2WI) denoted as mrCR_T2W, and CR on all images including diffusion-weighted images (DWI) denoted as mrCR_overall. The readers described their interpretation patterns and how they utilized DWI. Inter-reader agreement was measured using multi-rater kappa, and associated factors were analyzed using multivariable regression. Correlation between sensitivity and specificity of each reader was analyzed using Spearman coefficient. Results: The mrCR_T2W and mrCR_overall rates varied widely among the readers, ranging 18.8%-40.3% and 18.1%-34.9%, respectively. Nine readers used DWI as a supplement sequence, which modified interpretations on T2WI in 2.7% of cases (36/1341 [149 patients × 9 readers]) and mostly (33/36) changed mrCR_T2W to non-mrCR_overall. The kappa values for mrTRG, mrCR_T2W, and mrCR_overall were 0.56 (95% confidence interval: 0.49, 0.62), 0.55 (0.52, 0.57), and 0.54 (0.51, 0.57), respectively. No use of rectal gel, larger initial tumor size, and higher initial cT stage exhibited significant association with a higher interreader agreement for assessing mrCR_overall (P ≤ 0.042). Strong negative correlations were observed between the sensitivity and specificity of individual readers (coefficient, -0.718 to -0.963; P ≤ 0.019). Conclusion: Inter-reader agreement was moderate for assessing CR on post-CRT MRI. Readers' varying standards on MRI interpretation (i.e., threshold effect), along with the use of rectal gel, initial tumor size, and initial cT stage, were significant factors associated with inter-reader agreement.

• 디지털융복합연구
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• 제11권2호
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• pp.299-307
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• 2013

본 논문은 SIFT-Grid 기반의 얼굴 인식 시스템에서 식별 능력의 향상과 계산량 감소를 목적으로 한다. 첫번째는 한 얼굴 클래스의 다양한 훈련 이미지로부터 비슷한 SIFT 특징점들은 제거하고, 상이한 특징점들은 병합하는 통합템플릿의 구성 방법을 제안한다. 통합템플릿은 SIFT-Grid를 통해 나누어진 훈련 이미지들의 동일 부분영역 내의 특징점들에 대한 유사도 행렬의 계산과 임계치 기반의 히스토그램의 계산을 통해 구성하였다. 두 번째는 구성된 통합템플릿들로부터 테스트 이미지의 효과적인 식별을 위한 유사도 계산 방법을 제안한다. 유사도의 계산은 테스트 이미지와 각 클래스의 통합템플릿간의 일대일 비교로 수행된다. 이때 동일 부분영역 별로 유사도 점수와 임계치 기반의 보팅 점수가 계산된다. 얼굴 인식 작업에 대한 실험 결과 제안된 방법이 SIFT-Grid 기반의 다른 두 방법보다 정확한 것으로 확인 되었고, 또한 계산량도 감소하였다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.1-8
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• 2013

본 논문은 수동소자를 사용하지 않고 선형성 향상을 얻는 가변이득증폭기(VGA, variable gain amplifier) 설계에 관련된 것이다. 이 제안된 VGA는 전류 귀환 증폭기 구조를 이용하고, 이득은 입력단과 귀환부의 트랜스컨덕턴스(GM) 비로 얻어진다. 선형성과 높은 이득을 얻기 위하여 귀환 트랜스컨덕턴스에 전류 분할 기법과 소스 축퇴(degeneration) 기법을 사용하였다. 이득의 변화는 가변 정류기로 입력 트랜스컨덕턴스의 바이어스 전류를 변화시켜 얻을 수 있다. 이 VGA는 $0.35{\mu}m$ CMOS공정을 사용하여 설계하였고, 저 전력을 위해 sub-threshold 영역에서 동작시키게 하였다. 가변 이득은 23dB~43dB의 결과를 얻도록 하였고, 소모 전류는 3.3V에서 $2.82{\mu}A{\sim}3{\mu}A$ 이다. 이 VGA가 차지하는 칩 면적은 $120{\mu}m{\times}100{\mu}m$이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.57-63
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• 2011

본 논문에서는 대역폭 조정이 가능한 다중 생체 신호 처리용 대역 통과 필터 회로에 관한 것이다. 일반적인 대역 통과 필터는 출력 단에 연결되는 커패시터 배열의 값을 조절하여 고역 -3dB 차단 주파수를 결정한다. 하지만 본 논문에서 제안하는 대역 통과 필터 회로는 커패시터 대신에, 증폭기에 사용되는 바이어스 전압을 통해 증폭기의 트랜스 컨덕턴스 값을 조절하여 차단 주파수를 조절한다. 이러한 방법은 기존의 방식보다 칩 면적을 최소한 1/10로 줄일 수 있어 저면적 설계가 가능하다. 조정 가능한 고역 -3dB 차단 주파수의 대역은 100Hz에서 1KHz이며 사용된 공정은 0.18um CMOS 표준 공정이다. 저 전력 설계를 위해 회로는 서브 스레쉬 홀드 영역에서 동작하며 공급전압은 1V이고, 회로의 총 전류 소모는 1uA이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.167.2-167.2
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• 2015

고 이동도(~10 cm/Vs), 낮은 공정온도 및 높은 투과율 등의 특성을 갖는 산화물 반도체는 저 소비전력, 대면적화 및 고해상도 LCD Panel에 적합한 재료로서 현재 일부 Mobile Panel 및 TFT-LCD Panel의 양산에 적용되고 있으나, 향후 UHD급(4 K, 8 K)의 대형, 고해상도 Panel에의 적용을 위해서는 30 cm2/Vs 이상의 고 이동도 재료의 개발 및 저 저항 배선의 적용에 따른 소자 신뢰성의 개선이 필요하다. Cu는 대표적인 저 저항 배선 재료로 일부 양산에 적용되고 있으나, Cu 전극과 산화물 반도체의 계면에서 Cu원자의 확산 및 Cu-O 층의 형성에 의한 소자 특성 저하의 문제가 있다. 본 연구에서는 고 이동도의 In doped-ZTO계 산화물 반도체를 기반으로 채널 층과 Cu source-Drain layer의 계면에서의 Cu element의 거동 및 TFT 소자 특성과의 상관관계를 고찰하고, 계면에 형성된 Cu-O layer에 대해 높은 전자 친화도를 갖는 Ca element를 첨가에 의한 TFT 소자 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구에서는 이러한 효과로 인한 소자 신뢰성의 향상을 기대하였으며, 우선 In doped-ZTO 채널 층에 Cu와 CuCa 2at% source-drain을 적용한 TFT 특성을 확인하였다. 그 결과, Cu는 Field-effect mobility: ~17.67 cm2/Vs, Sub-threshold swing: 0.76 mV/decade 및 Vth:, 4.40 V의 결과가 얻어졌으며 CuCa 2at%의 경우 Field-effect mobility: ~17.84 cm2/Vs, Sub-threshold swing: 0.86 mV/decade 및 Vth:, 5.74 V의 결과가 얻어졌다. 소자신뢰성 측면에서도 Bias Stress의 변화량 ${\delta}Vth$의 경우 Cu : 4.48 V에 대해 CuCa 2at% : 2.81 V로 ${\delta}Vth$:1.67 V의 개선된 결과를 얻었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권2호
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• pp.139-145
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• 2014

Control of threshold voltage ($V_T$) by ground-plane (GP) technique for planar tunnel field-effect transistor (TFET) is studied for the first time using TCAD simulation method. Although GP technique appears to be similarly useful for the TFET as for the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), some unique behaviors such as the small controllability under weak ground doping and dependence on the dopant polarity are also observed. For $V_T$-modulation larger than 100 mV, heavy ground doping over $1{\times}10^{20}cm^{-3}$ or back biasing scheme is preferred in case of TFETs. Polarity dependence is explained with a mechanism similar to the punch-through of MOSFETs. In spite of some minor differences, this result shows that both MOSFETs and TFETs can share common $V_T$-control scheme when these devices are co-integrated.

• 한국도서관정보학회지
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• 제53권2호
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• pp.95-115
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• 2022

이 연구의 목적은 국가과학기술표준분류체계의 소분류 용어를 기계학습 알고리즘을 적용하여 기술키워드 변환하는 것이 목적이다. 이를 위해 본 연구에서는 주제어 추천에 적합한 학습 알고리즘으로 AttentionMeSH를 활용했다. 원천데이터는 한국과학기술기획평가원이 정제한 2017년부터 2020년까지 4개년 연구현황 파일을 사용하였다. 학습은 과제명, 연구목표, 연구내용, 기대효과와 같이 연구내용을 잘 표현하고 있는 4개 속성을 사용했다. 그 결과 임계치(threshold)가 0.5일 때 MiF 0.6377이라는 결과가 도출됨을 확인하였다. 향후 실제 업무에 기계학습을 활용하고, 기술키워드 확보를 위해서는 용어관리체계 구축과 다양한 속성들의 데이터 확보가 필요할 것으로 보인다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제7권1호
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• pp.7-11
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• 2006

The changes of the electrical conductivity in chalcogenide amorphous semiconductors, $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$, have been studied. A phase change random access memory (PRAM) device without an access transistor is successfully fabricated with the $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$-phase-change resistor, which has much higher electrical resistivity than $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}$ and its electric resistivity can be varied by the factor of $10^5$ times, relating with the degree of crystallization. 100 nm thick $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin film was formed by vacuum deposition at $1.5{\times}10^{-5}$ Torr. The static mode switching (DC test) is tested for the $100\;{\mu}m-sized$ $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ PRAM device. In the first sweep, the amorphous $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin film showed a high resistance state at low voltage region. However, when it reached to the threshold voltage, $V_{th}$, the electrical resistance of device was drastically reduced through the formation of an electrically conducting path. The pulsed mode switching of the $20{\mu}m-sized$ $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ PRAM device showed that the reset of device was done with a 80 ns-8.6 V pulse and the set of device was done with a 200 ns-4.3 V pulse.