• 벤처창업연구
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• 제6권3호
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• pp.19-42
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• 2011

본 연구는 외국의 대학과 사이언스파크, 테크노파크 등에 소재한 기술창업보육기관의 운영에 대한 사례를 다루었다. 기술창업보육센터는 지역경제 활성화, 일자리창출, 신 벤처산업의 육성이라는 점에서 공통점이 있으며 국내 센터운영과 비교하면 여러 가지 차이점이 있다. 외국은 기술창업보육센터 입지를 국가정책차원에서 경제적인 낙후성과 지역의 연관 산업을 고려하여 센터를 특성화하며 전문가 협력네트워크 구축과 운영을 활성화하고 있다. 입주기업은 산학협력을 통해 기술완성도를 높이며 대학과 연구소는 연구개발성과를 사업화로 연계하여 기술력 있는 벤처창업을 촉진함으로써 spin-offs를 통한 기술창업자들을 육성하고 있다. 외국사례를 통해 국내 기술창업센터 운영에 대한 시사점과 성공적인 센터 운영방안을 제시하였다.

• 한국지역지리학회지
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• 제21권3호
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• pp.489-502
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• 2015

실리콘펜 또는 케임브리지 현상으로도 알려져 있는 케임브리지 클러스터는 생명공학 산업 및 정보통신 산업에 특화되어 있는 혁신 클러스터로 잘 알려져 있다. 본 연구는 케임브리지 클러스터의 진화구조를 트리플힐릭스 관점을 중심으로 고찰한 것이다. 케임브리지 클러스터는 케임브리지대학을 중심축으로 형성된 자연발생적 클러스터로 간주할 수 있으나, 오늘날 케임브리지가 세계적인 첨단산업 클러스터의 기반을 갖추게 된 밑바탕에는 1960년대 후반에 결성된 산-학-관 협력체인 '케임브리지지역발전위원회'의 활동과 그 결과로 만들어진 모트보고서가 중요한 영향을 미쳤다. 그 후 1970년대부터 본격화된 클러스터의 성장과정에는 케임브리지대학의 칼리지들이 조성하기 시작한 사이언스 파크와 케임브리지대학의 스핀오프(스핀아웃) 활동이 활발하게 나타났다. 클러스터 진화의 역동성을 주도하는 지역 내 스핀오프 활성화의 기저에는 케임브리지 지역에 오랜 세월 누적되어 온 기업가주의 문화와 창업 및 기업 활동을 촉진하는 기업가 네트워크와 사회자본의 영향이 중요하게 작용했다. 그러나 2000년대 들어 대학의 재정 지원을 축소하고 기업가적 대학으로의 전환을 유도하는 정부의 정책기조가 심화됨에 따라 케임브리지대학의 스핀오프 활동은 크게 위축되었고, 이것이 케임브리지 클러스터의 역동적 진화를 위협하는 요소로 작용하고 있다.

• 한국자기학회지
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• 제8권6호
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• pp.362-368
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• 1998

반강자성 Cr86Al14계 스핀밸브막의 자기특성과 내열 내식성에 대해 연구하엿다. Cr86Al14스핀밸브막의 자기적성질은 강자성층, 자성층 및 비자성층두께에 의존하였으며, glass/Cr86Al14(600$\AA$)/Ni81Fe19(50$\AA$)/Cu(40$\AA$)/Ni81Fe19(40$\AA$)구조에서의 교환결합자장(Hex)은 20 Oe, 자기저항비(MR ratio (%))는 2%를 나타내었다. Cr96Al14 및 Fe50Mn50 스핀밸브막은 annealing온도가 증가함에 따라 모두 Hex 및 MR비가 감소하는 경향을 나타내엇으나 FeMn막에 비해 CrAl막이 우수하여, FeMn막은 15$0^{\circ}C$, CrAl막은 25$0^{\circ}C$에서 Hex 및 MR비값을 상실하였다. 또한 가혹한 환경에서의 스핀밸브막의 부식저항성을 평가하고자 35$^{\circ}C$,90% 습도상태의 챔버내에서 Hex와 MR비값의 변화를 관찰한 결과 CrAl막의 경우에는 Hex 및 MR비 값이 시간이 경과해는 변화지 않았으나, FeMn막은 15일정도 경과하자 거의 상실하는 결과를 나타냈다. SEM관찰결과 FeMn막은 pitting이 나타났으며 15일정도 경과후에는 박리가 발생하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.206.2-206.2
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• 2015

최근 비정질 산화물 반도체 thin film transistor(TFT)는 차세대 투명 디스플레이로 많은 관심을 받고 있으며 활발한 연구가 진행되고 있다. 산화물 반도체 TFT는 기존의 비정질 실리콘 반도체에 비하여 큰 on/off 전류비, 높은 이동도 그리고 낮은 구동전압으로 인하여 차세대 투명 디스플레이 산업에 적용 가능하다는 장점이 있다. 한편 기존의 sputter나 evaporator를 이용한 증착 방식은 우수한 막의 특성에도 불구하고 많은 시간과 제작비용이 든다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 별도의 고진공 시스템이 필요하지 않을 뿐만 아니라 대면적화에도 유리한 용액공정 방식을 이용하여 박막 트렌지스터를 제작하였으며 thermal 열처리와 microwave 열처리 방식에 따른 전기적 특성을 비교 및 분석하고 각 열처리 방식의 열처리 온도 및 조건을 최적화 하였다. 제작된 박막 트렌지스터는 p-type bulk silicon 위에 산화막이 100 nm 형성된 기판에 spin coater을 이용하여 Al-Zn-Sn-O 박막을 형성하였다. 연속해서 photolithography 공정과 BOE (30:1) 습식 식각 과정을 이용해 활성화 영역을 형성하여 소자를 제작하였다. 제작 된 소자는 Pseudo-MOS FET구조이며, 프로브 탐침을 증착 된 채널층 표면에 직접 접촉시켜 소스와 드레인 역할을 대체하여 동작시킬 수 있어 전기적 특성평가가 용이하다는 장점을 가지고 있다. 그 결과, microwave를 통해 열처리한 소자는 100oC 이하의 낮은 열처리 온도에도 불구하고 furnace를 이용하여 열처리한 소자와 비교하여 subthreshold swing(SS), Ion/off ratio, field-effectmobility 등이 개선되는 것을 확인하였다. 따라서, microwave 열처리 공정은 향후 저온 공정을 요구하는 MOSFET 제작 시의 훌륭한 대안으로 사용 될 것으로 기대된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.756-759
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• 2007

We have fabricated pentacene OTFT on ultra-thin flexible polyimide film with a rigid glass support. Polyimide film of the thickness of $10{\mu}m$ has formed on glass by spin coating from the solution. After the entire OTFT process, the OTFT exhibited a fieldeffect mobility of $0.4\;cm^2/Vs$, an $I_{on}/I_{off}$ ratio of $10^7$ and a subthreshold swing of 0.7 V/dec. The OTFT on polyimide film has been detached from the glass support and laminated on a plastic support of $130\;{\mu}m-thick$ PET film. After the detach process, in spite of the degrading of its field-effect mobility, the OTFT showed high $I_{on}/I_{off}$ as high $as{\sim}10^6$.

• Tribology and Lubricants
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• 제24권5호
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• pp.255-263
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• 2008

Adhesion tests were conducted to investigate the adhesion characteristics between mold and thermoplastic polymer film. Coating of anti-sticking layer (ASL), a kind of polymer material, imprint pressure, and separation velocity were considered as the process conditions. A piece of fused silica without patterns on its surface was used as a mold and the thermoplastic polymer films were made on Si substrate by spin-coating the commercial polymer solution such as mr-I PMMA and mr-I 7020. The ASL was derived from (1H, 1H, 2H, 2H - perfluorooctyl) trichlorosilane($F_{13}$-OTS) and coated on the fused silica mold in vapor phase. The pull-off force was measured in various process conditions and the surfaces of the mold and the polymer film were observed after separation. It was found that the adhesion characteristics between the mold and the thermoplastic polymer film and the release performance of ASL were changed according to the process conditions. The ASL was effective to reduce the pull-off force and the damage of polymer film. In cases of the mold coated with ASL, the pull-off force did not depend on imprint pressure and separation velocity.

• 한국재료학회지
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• 제32권9호
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• pp.384-390
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• 2022

A spin coating process for RRAM, which is a TiN/TiO₂/FTO structure based on a PTC sol solution, was developed in this laboratory, a method which enables low-temperature and eco-friendly manufacturing. The RRAM corresponds to an OxRAM that operates through the formation and extinction of conductive filaments. Heat treatment was selected as a method of controlling oxygen vacancy (V_O), a major factor of the conductive filament. It was carried out at 100 ℃ under moisture removal conditions and at 300 ℃ and 500 ℃ for excellent phase stability. XRD analysis confirmed the anatase phase in the thin film increased as the heat treatment increased, and the Ti³⁺ and OH- groups were observed to decrease in the XPS analysis. In the I-V analysis, the device at 100 ℃ showed a low primary SET voltage of 5.1 V and a high ON/OFF ratio of 10⁴. The double-logarithmic plot of the I-V curve confirmed the device at 100 ℃ required a low operating voltage. As a result, the 100 ℃ heat treatment conditions were suitable for the low voltage driving and high ON/OFF ratio of TiN/TiO₂/FTO RRAM devices and these results suggest that the operating voltage and ON/OFF ratio required for OxRAM devices used in various fields under specific heat treatment conditions can be compromised.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권5호
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• pp.315-320
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• 2000

This paper presents the fabrication and test of a micropump with an electromagnetic actuator and a pair of aluminum flap valves. The actuator consists of a solenoid coil, a permanent magnet and an actuator diaphragm. The actuator diaphragm is fabricated by the spin coating of silicone rubber. The valve are passive ones and are fabricated by micromachining. The deflection of the fabricated actuator diaphragm is measured with a laser vibrometer. The deflection of the actuator diaphragm is proportional to the input current. The measured deflection of the fabricated diaphragm is $400 \mum$,/TEX> when the input is 118 mApp, and the cut-off frequency is 50 Hz. The maximum flow rate of the fabricated micropump with the electromagnetic actuator is about 5$0 \muell/min$ at 5 Hz when the input current and the duty ratio of the square was are 118 mApp and 50%, respectively.

• Structural Engineering and Mechanics
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• 제7권4호
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• pp.377-386
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• 1999

The stress distribution in a symmetrically laminated composite plate subjected to in-plane compression are evaluated using finite element analysis. Six different finite element models are created for the study of stresses in the plate after buckling. Two finite element modelling approaches are adopted to obtain the stress distribution. The first approach starts with a full model of shell elements from which sub-models of solid elements are spin-off The second approach adopts a full model of solid elements at the beginning from which sub-models of solid elements are created. All sub-models have either 1-element thickness or 14-element thickness. Both techniques show high interlaminar direct and shear stresses at the free edges. The study also provides vital information of the distribution of all components of stresses along the unloaded edges in length direction and also in the thickness direction of the plate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.212.2-212.2
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• 2015

본 연구에서는 용액 공정을 통해 제작한 IGZO, ITZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 비교, 분석하였다. 실험에 사용된 용액의 농도는 In:Zn:Ga, In:Zn:Sn = 1:1:1로 제작하여 Spin-Coating을 통해 증착하였다. 두 소자 모두 $350^{\circ}C$에서 열처리 공정을 진행한 뒤, 전기적 특성을 측정 및 분석하였다. IGZO 박막 트랜지스터의 경우, Threshold Voltage, S.Swing, Mobility, On/Off ratio가 각각 2.2 V, 0.42, $0.18cm^2/Vs$, $1.5{\times}$10^5로 측정되었으나 ITZO 박막 트랜지스터의 경우, -6.92 V, 0.91, $0.43cm^2/Vs$, $2.1{\times}$10^5 로 IGZO보다 Negative한 방향으로 이동하였다. 이는 Sn이 Ga에 비해 Band gap이 넓고, 산소와의 결합력이 작기 때문에, ITZO 박막 트랜지스터가 Oxygen vacancy형성을 통한 Carrier density가 높은 것으로 판단된다.