• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.344-344
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• 2014

Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.421-427
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• 2009

We successfully fabricated 4.7-inch organic thin film transistors array with $640{\times}480$ pixels on flexible substrate. All the processes were done by photolithography, spin coating and ink-jet printing. The OTFT-Electrophoretic (EP) pixel structure, based on a top gate OTFT, was fabricated. The mobility, ON/OFF ratio, subthreshold swing and threshold voltage of OTFT on flexible substrate are: 0.01 ^2/V-s, 1.3 V/dec, 10E5 and -3.5 V. After laminated the EP media on OTFT array, a panel of 4.7-inch $640{\times}480$ OTFT-EPD was fabricated. All of process temperature in OTFT-EPD is lower than $150^{\circ}C$. The pixel size in our panel is $150{\mu}m{\times}150{\mu}m$, and the aperture ratio is 50 %. The OTFT channel length and width is 20 um and 200um, respectively. We also used OTFT to drive EP media successfully. The operation voltages that are used on the gate bias are -30 V during the row data selection and the gate bias are 0 V during the row data hold time. The data voltages that are used on the source bias are -20 V, 0 V, and 20 V during display media operation.

• 전자공학회논문지
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• 제52권7호
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• pp.33-39
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• 2015

본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^6$, $6.43cm^2/V{\cdot}s$, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ${\Delta}V_{th}$는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ${\Delta}V_{th}$는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.

• 기술혁신학회지
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• 제22권1호
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• pp.50-84
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• 2019

미국 대학들의 기술사업화가 베이돌 법 시행 이후 크게 활성화된 것과 같이, 국내 대학들의 기술사업화 실적도 2000년 기술이전촉진법의 제정이후 다수의 관련 법규 정비와 정부의 지원 사업 및 기술사업화 경험 축적 등으로 인하여 견실하게 증가하고 있는 추세이다. 그러나 국내 대학들의 기술사업화 수준은 미국 등 선진국 대비 아직도 부족한 편으로 본 연구에서는 이를 극복하기 위한 노력의 일환으로 체계적 문헌 고찰 방법론을 활용하여 동 분야에서 2000년부터 수행된 국내 논문들을 분석하여 국내 대학의 기술이전 또는 창업의 촉진 요인들에 대하여 확인하였다. 분석 결과 기술이전 영향요인에 관한 선행 연구가 가장 많았으며 창업 영향요인에 대한 논문은 최근 활발히 증가함을 알 수 있었고, 연구방식은 실증연구가 가장 높은 비중을 차지함을 확인하였다. 기술사업화 영향요인의 경우 대학 내부와 외부요인이 확인되었고, 전자는 인적자원, 기술 지식자원, 재정자원, 관리자원 전략, 대학 유형, 및 교육 문화로, 후자는 수요자, 지역, 및 인프라로 구분한 후 체계적 범주화를 통해 분야별 세부 요인들을 확인하였다. 본 연구는 국내 대학의 기술사업화에 대한 그간의 연구 결과들을 체계적으로 조망하여 부족하거나 추가적인 연구가 필요한 분야를 확인하였다는 의의가 있으며, 본 연구에서 집성된 국내 대학들의 기술사업화 촉진요인들은 이를 대학 또는 공공기관 등에서 체크리스트로 활용함이 가능할 것이다.

• 벤처창업연구
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• 제14권2호
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• pp.165-180
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• 2019

최근 정부는 사내벤처 및 분사창업을 집중 육성하겠다며 관련 정책을 발표하였다. 정부가 사내벤처를 장려하는 이유는 궁극적으로 산업과 시장의 개발, 혁신창업의 양적 성장, 일자리 창출 등을 꾀하기 때문이다. 특히 사내벤처 장려에 주목한 이유는 개인이 갖는 실패에 대한 부담을 줄이고 혁신창업 관련 기존 기업 내 자원을 활용하여 개방형 혁신(open innovation)을 확산하고 나아가 새로운 창업으로도 이어질 수 있도록 하겠다는 것이다. 이에 따라 본 논의는 우선 창업효능감과 사내기업가활동에 대한 선행연구들을 살펴보았다. 각각의 개념을 살펴보고 사내기업가활동에 대한 연구 동향을 짚어본 다음 사내기업가활동의 현황을 간단히 살펴보았다. 이후 2015년 Global Entrepreneurship Monitor Adult Population Survey 자료를 기반으로 OECD 가입 국가 27개국 및 한국 응답자 대상 로지스틱 회귀분석을 수행하였다. 그 결과 사내기업가 활동 경험이 궁극적으로 개인의 창업효능감 보유에 긍정적인 영향을 미칠 가능성을 확인할 수 있었다. 창업효능감이 창업에서의 실제 성과에 긍정적인 영향을 미친다고 확인해준 선행연구들과 종합해 정리하면, 사내기업가활동을 한 개인은 창업효능감을 가질 수 있고, 이러한 개인이 실제로 창업을 했을 때 창업성과를 높일 수 있다는 점에서 사내기업가활동을 지원하는 정책을 창업정책의 일환으로도 적극 고려할 만 하다고 볼 수 있다.

• Investigative Magnetic Resonance Imaging
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• 제8권1호
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• pp.42-49
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• 2004

목적 : 자기공명영상시스템에서 양자화잡음을 분석하였다. 신호대양자화잡음비를 이론적으로 유도하였고 다양한 자기공명영상시스템에서 신호대양자화잡음비를 계산하였다. 이러한 계산으로부터 고자장영상시스템에서는 양자화잡음이 전체시스템의 신호대잡음비를 결정짓는 주된 잡음원이 될 수 있음을 보였다. 하드웨어의 교체없이 양자화잡음을 줄일 수 있는 방법들을 제시하였다. 대상 및 방법 : 자기공명영상에서 사용되는 Fourier 영상기법에서는 위상 및 주파수 인코딩 방법으로 자기공명신호를 공간주파수 형태의 신호로 변환하여 측정하게 된다. 따라서 공간주파수 영역에서 발생하는 양자화잡음을 재구성된 영상에서의 신호대양자화잡음비로 나타내었다. 컴퓨터 시뮬레이션 및 실험을 통하여 유도된 식의 타당성을 보였다. 결과 : 유도된 식을 이용하여 다양한 주 자장 및 수신 시스템에 대하여 신호대양자잡음비를 계산하였다. 양자화잡음은 신호의 크기에 비례하여 증가하므로 상대적으로 신호가 큰 고자장 시스템에서 보다 큰 문제점으로 부각될 수 있다. 많은 수신 시스템에서 채택하고 있는 16 bits/샘플 양자기로는 양자화 잡음이 고자장 시스템에서 기대되는 신호대잡음비의 향상을 제한할 수 있는 주된 잡음원이 될 수 있음을 보였다. 결론 : fMRI나 spectroscopy를 위하여 자기공명영상의 주 자장은 지속적으로 높아지고 있다. 고자장에서는 신호가 커지고, susceptibility와 스펙트럼의 분리가 커져서 fMRI 나 spectroscopy에 유리한 면이 많다. 양자화잡음은 신호의 크기에 비례하여 증가하기 때문에 만약 양자기의 변환 비트가 충분히 크지 않을 경우 양자화잡음이 커져 신호의 증가에 비례하는 신호대잡음비의 향상을 이룰 수 없다. 이 논문에서는 신호대양자화잡음비를 이론적으로 유도하고, 다양한 자장의 세기 및 수신 시스템에 대하여 신호대양자화잡음비를 계산함으로써 고자장에서, 특히 상대적으로 신호가 큰 3차원영상에서 , 양자화잡음이 전체 시스템의 신호대잡음비를 제한할 수 있는 주된 잡음원이 될 수 있음을 보였다. 근원적인 해결책은 아닐 수 있으나 oversampling과 에코의 센터를 비껴가는 샘플링으로 하드웨어의 향상없이 양자화잡음을 줄일 수 있는 방법을 제시하였다.

• 만화애니메이션 연구
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• 통권38호
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• pp.145-176
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• 2015

애니메이션에서 '웃음'은 재미를 위한 중요한 요소다. 드림웍스 애니메이션 <슈렉>은 대중적으로 성공한 애니메이션으로 4편의 시리즈와 스핀오프 애니메이션까지 제작되었으며 작품 전반에 패러디를 전략적으로 활용해 재미를 추구한 성공적인 사례로 자리한다. 이 작품에 대한 기존의 연구들 역시 유머 혹은 패러디, 풍자를 중심으로 탐구되었다. 하지만 대중들이 원하는 재미있는 애니메이션을 제작하기 위하여 애니메이션이 가진 독자적 희극성을 중심으로 살펴본 연구는 부족했다. 따라서 본 논문에서는 애니메이션을 보고자 하는 수신자의 욕망이 현실에 대한 판타지에 근거한다고 보고, 이를 바탕으로 <슈렉>이 가지고 있는 희극성을 애니메이션 캐릭터 중심으로 탐구했다. 애니메이션 캐릭터는 현실의 규칙을 외면하는 재치로 대중과 소통한다. 현실에 존재하지 않는 캐릭터들이 창조되고, 현실세계를 전복시키며 생명력을 가지는 것이다. <슈렉>이 가지고 있는 희극성은 이렇듯 사회의 고정관념과 편견에 대한 유희적 변형에서 시작된다. 디즈니 애니메이션에 의해 고착되었던 동화세계라는 이데올로기를 유쾌하게 변주하며, 현실의 애니메이션 시장에서는 디즈니에게 도전하고, 작품 안에서는 동화라는 세계를 전복시키면서 대중들의 욕망을 해갈시킨다. 그 중심에 몬스터 캐릭터 '슈렉'이 존재한다. 안티의 자리에 위치했던 몬스터 캐릭터를 주인공으로 만들며 동화가 만들어 놓은 규칙들을 무너뜨린다. 이것이 첫 번째, 안티캐릭터의 주체화다. 두 번째는 과장되고 왜곡된 신체를 가진 새로운 안티 캐릭터다. 권력과 야망에 비해 몬스터형 캐릭터보다 비루한 외형을 가진 파과드 영주가 웃음을 선사한다. 세 번째는 다양한 동화 속 캐릭터들의 변주다. 동물, 무생물 가리지 않고 고정된 틀 속에 박혀있던 동화 속 캐릭터들이 고정관념을 탈피해 능청스럽게 등장하면서 극의 활력이 된다. <슈렉>은 동화가 꾸려놓은 현실세계의 고정관념과 편견, 그리고 이데올로기를 재해석하는 과정에서 희극적인 캐릭터를 활용한다. 한국의 성공적인 애니메이션을 위하여 작품의 활력소가 되는 캐릭터 기획의 포맷을 구축할 수 있는데 도움이 되었으면 한다.

• 벤처창업연구
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• 제18권1호
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• pp.203-223
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• 2023

최근 글로벌 시장에서 플랫폼 산업이 급격히 성장함과 동시에 경쟁이 심화되고 있으며, 향후 다양한 산업분야와 접목하여 플랫폼 산업의 영역과 범위는 더욱 확대될 전망이다. 따라서 플랫폼 시장에서 국내 플랫폼 기업들이 글로벌 경쟁력을 갖추기 위해서는 플랫폼 비즈니스 생태계 및 성공요인에 대한 연구가 필요하다. 그러나 최근 플랫폼 관련 연구는 플랫폼 비즈니스 현황분석, 플랫폼 경제, 플랫폼의 간접 네트워크 외부성 등의 특성에 관한 이론적 연구가 대부분을 차지했다. 따라서 본 연구는 기존 선행연구들에서 제안되고 있는 실리콘밸리 기업생태계의 성공요인들을 통합적으로 분석하고, 동시에 실제 실리콘밸리 플랫폼 기업생태계의 이해관계자들을 대상으로 추출된 성공요인들을 분석하였다. 그리고 이러한 요인들을 기반으로 플랫폼 기업생태계 이해관계자들에게 성공방안을 제안하기 위한 방안으로 IPA분석과 심층인터뷰(in-depth interview)를 진행하였다. 분석 결과, 선행연구들을 통해 수집한 성공요인들 중 비교적 현재 실리콘밸리에서 중요도와 만족도가 모두 잘 유지되고 있는 요인은 인력, 자본, 도전문화가 확인되었다. 결국 현재의 실리콘밸리가 우수한 인적자원과 풍부한 자본을 바탕으로 이를 활용해 마음껏 도전해볼 수 있는 환경과 문화가 조성된 것이 실리콘밸리의 플랫폼 비즈니스의 성공에 가장 크게 기여하고 있다는 것을 알 수 있다. 한편, 실리콘밸리의 플랫폼 기업생태계에 있어서 중요도는 높지만, 현재 이해관계자들의 만족도가 상대적으로 낮게 나타나는 요인으로는 '활발한 기업 간의 학습과 벤치마킹', '구성원 간의 강한 유대감과 협력관계'임을 확인되었고, 향후 해당 요인들을 강화하기 위한 관심과 노력이 필요한 것으로 분석되었다. 마지막으로 최소한의 관리만이 필요한 요인들은 시장의 자율경쟁에 필요한 제도 및 정책들과 '기업지원 서비스 산업', '네임밸류', '분사창업' 등이었으며, 이러한 요인들은 문헌조사에서는 중요하게 지적되었지만, 시대와 환경의 변화로 인해 그 중요도와 만족도에 있어서 우선순위가 낮아졌다는 연구결과가 도출되었다. 본 연구는 기존 선행연구들에서 제안되고 있는 실리콘밸리 기업생태계의 성공요인들을 통합적으로 분석하고, 동시에 실제 실리콘밸리 플랫폼 기업생태계의 이해관계자들을 대상으로 추출된 성공요인들을 분석하였다는데 이론적 의의를 찾을 수 있다. 또한, 추출된 다양한 요인들을 기반으로 IPA 분석을 통해 중요도 및 만족도를 동시에 살펴보았다는 점에서 또 다른 학문적 의의가 있다 하겠다. 실무적인 시사점으로는 정부 및 기업에게 국내 플랫폼 기업의 성장을 위한 이론적 근거와 플랫폼 기업 생태계의 성공요인에 대한 구체적인 정보를 제공함으로써 국내 플랫폼 생태계 형성에 기여하였다는 점에서 의의를 가진다.