• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.382-383
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• 2013

Gate-controlled spin-orbit interaction parameter is a key factor for developing spin-Field Effect Transistor (Spin-FET) in a quantum well structure because the strength of the spin-orbit interaction parameter decides the spin precession angle [1]. Many researches show the control of spin-orbit interaction parameter in n-type quantum channels, however, for the complementary logic device p-type quantum channel should be also necessary. We have calculated the spin-orbit interaction parameter and the effective mass using the Shubnikov-de Haas (SdH) oscillation measurement in a GaSb two-dimensional hole gas (2DHG) structure as shown in Fig 1. The inset illustrates the device geometry. The spin-orbit interaction parameter of $1.71{\times}10^{11}$ eVm and effective mass of 0.98 $m^0$ are obtained at T=1.8 K, respectively. Fig. 2 shows the gate dependence of the spin-orbit interaction parameter and the hole concentration at 1.8 K, which indicates the spin-orbit interaction parameter increases with the carrier concentration in p-type channel. On the order hand, opposite gate dependence was found in n-type channel [1,2]. Therefore, the combined device of p- and n-type channel spin transistor would be a good candidate for the complimentary logic device.

• 전기전자학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.41-44
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• 2015

소자의 집적화에 필수적인 소자 분리공정에서 화학약품의 오염 문제등을 발생시키는 화학적 기계연마기술(CMP) 공정을 사용하지 않고 벌크 finFET(fin field effect transistor) 의 트랜치 구조를 형성할 수 있는 공정에 대하여 제안하였다. 사진 감광막 도포시 발생하는 두께차이와 희생층으로 사용되는 실리콘 질화막을 사용하면 에칭 공정만을 사용하여 상대적으로 표면 위로 돌출된 부분의 실리콘 산화막 층을 에칭하는 것은 물론 finFET 의 채널로 사용되는 실리콘 트랜치 구조를 한번에 형성할 수 있는 특징을 갖는다. 본 연구에서는 AZ1512 사진 감광막을 사용하여 50 나노미터급 실리콘 트랜치 구조를 형성하는 공정을 수행하였으며 그 결과를 소개한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2008년도 제34회 동계학술대회 초록집
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• pp.117-117
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• 2008

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 동계학술연구발표회 및 스핀트로닉스와 나노물리에관한 국제심포지움
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• pp.102-102
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• 2007

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 동계학술연구발표회 및 스핀트로닉스와 나노물리에관한 국제심포지움
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• pp.112-113
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• 2007

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2006년도 동계학술연구발표회 및 자성 스핀트로닉스 국제학술대회
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• pp.72-72
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• 2006

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.301.1-301.1
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.59-59
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• 2010

Graphene has attracted much interest because of its fascinating electronic structure with excellent electron mobility. However, there are some difficulties in making graphene of large and uniform area for real applications. One alternative is graphite oxide. Since graphite oxide is water soluble, it can be sprayed or spin-coating onto any substrates for applications such as Transparent Conducting Film (TCF) and Field Effect Transistor (FET). In this talk, chemical and physical properties of graphite oxide will be discussed. In addition, possible applications made of graphite oxide (GO) will be introduced.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2008년도 Asian Magnetics Conference
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• pp.154.2-154.2
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• 2008

• 센서학회지
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• 제2권1호
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• pp.35-40
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• 1993

$Si_{3}N_{4}$ 박막의 코팅된 pH-ISFET의 게이트 부위 위에 lipase 효소를 고정화하여 FET(field effect transistor) 형지질(lipid) 센서를 제조하였다. 효소 고정화막 형성 물질로는 수용성 고분자인 polyvinyl alcohol(PVA)에 감광성기인 1-methyl-4-(formylstyryl) pyridinium methosulfate(SbQ)를 결합시킨 PVA-SbQ를 사용하였다. PVA-SbQ 수용액 (SbQ 1mole %, 10 wt%) $200{\mu}L$, bovine serum albumin (BSA) 7.5 mg, lipase 10 mg으로 구성 된 현탁액을 사용한 사진식각(photolithographic) 공정의 최적 조건은 피막의 상온 진공 건조 시간 45분, spin coater의 회전수 $5,000{\sim}6,000$ rpm, UV 노광시간 $20{\sim}30$초, 증류수 현상 시간 $30{\sim}40$초로 나타났다. 이렇게 구성된 지질 센서는 triacetin을 지질 시료로 하였을 때 $10{\sim}100$ mM의 농도 범위에서 직선성의 검정선을 나타내었다.