In order to form metallic electrodes on PZT (Pb (Zr, Ti)O$_3$) ceramics, plating conditions for optimal electroless Ni deposition were investigated. Pb in PZT is the major component to inhibit the electroless deposition, because it plays a active role of catalytic poison in plating solution. Adhesion of the electroless Ni deposits is measured by push-pull scale test and peel test. Results such as deposition ability, deposition rate, and thickness of deposits showed in terms of concentration of etchant, composition of catalyzing solution, and composition and pH of electroless bath solution.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.250-250
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2010
We have prepared CIGS thin film absorber layers with simple solution spray deposition technique and thin film were synthesized with different atomic ratio. CIGS thin films were synthesized using non-vacuum solution deposition method on pre-heated sodalime glass substrates and Mo-coated soadlime glass substrate. In precursor solution were Cu : In : Ga: S ratio 4 : 3 : 2 : 8 and the crystal type of sprayed thin film were CIGS chalcopyrite structures. This structure was identified as typical chalcopyrite tetragonal structure with XRD analysis. This result showed that CIGS solution deposition technique has potential for the one step synthesis and low cost fabrication process for CIS or CIGS thin film absorber layer.
The effect of solution agitation on the copper electroless deposition process of ULSI (ultra large scale integration) interconnections was investigated by using physical, electrochemical and electrical techniques. It was found that proper solution agitation was effective to obtain superconformal copper configuration within the trenches of $130{\sim}80nm$ width. The transition of open potential during electroless deposition process showed that solution agitation induced compact structure of copper deposits by suppressing mass transfer of cuprous ions toward substrate. Also, the specific resistivity of copper layers was lowered by increasing agitation speed, which made the deposited copper particles smaller. Considering both copper deposit configuration and electric property, around 500 rpm of solution agitation was the most suitable for the homogeneous electroless copper filling within the ultra-fine patterns.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.503-506
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2000
YBCO superconducting thick films were prepared on Ag wire by electrophoresis in acetone and ethanol with chemically modified suspension. The addition of organic compounds, such as PEG, EG into suspension solution for improving critical current density was investigated. Surface state, deposition condition, pore distribution and cracks were investigated by using SEM photographs. Controlling preparation conditions were studied for reducing these defects. As a results, in acetone solution, the surface crack of samples was decreased with increasing PEG. On the contrary, the surface crack of sample was increasing with increasing the amount of EG. In ethanol solution without I$_2$, which was generally used for an electrolyte, the deposition time was longer than this of acetone. For that reason the sample deposition in ethanol time was needed with enough stirring time for suspending YBCO powder and deposition time.
Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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2007.11a
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pp.327-328
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2007
The deposition conditions for plating polonium have been optimized with deposition parameters such as pH, volume and temperature of the deposition and deposition time. In the tap water, the chemical yields of polonium forthe deposition solution adjusted to pH 0 were higher than those for the deposition solution adjusted to pH 2. This modified auto-deposition method made it possible to obtain reliable data of activity concentration of Po-210.
In this study , fluoborte solution consisting of lead fluoborate, tin fluoborate and cupric acetate was used. By addition of small amount of Cu+= ion to the solution, the Cu content of deposition layer was almost controlled less than 5%. The amount of Cu in deposition layer was almost constant without any influence of Pb++ & Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution . Agitation of plating solution & low current density result in the increase of Cu content. Analyzing of microscopic structures and etching tests of the deposited alloy, it was believed that the alloy had a lamellar structure consisting of copper rich lamellar and lead rich layer.
The properties of AlTiN films by a cathodic arc deposition process have been studied. Oblique angle deposition has been applied to deposit AlTiN films. AlTiN films have been deposited on stainless steel (SUS304) and cemented carbide (WC) at a substrate temperature of $500^{\circ}C$. AlTiN films were analyzed by scanning electron microscopy, glow-discharge light spectroscopy, micro-vickers hardness, and nanoindenter. When applying a current of 50 A to the cathodic arc source, it showed that the density of macroparticle of AlTiN films was 5 lower than other deposition conditions. With the increase of the bias voltage applied to the substrate up to -150 V, the density of macroparticle was decreased. The change of the $N_2$ flow rate during coating process made no influence on the film properties. For the multi-layered films, the film prepared at oblique angle of $60^{\circ}$ showed the highest hardness of 28 GPa and $H^3/E^2$ index of 0.18. AlTiN films have been shown a good oxidation resistance up to $800^{\circ}C$.
Fe thin films containing Si particles were prepared on metallic substrates by electrodeposition method in sulfate solutions and the content of codeposited Si particles in the films was investigated as a function of applied current density, the content of Si particels in the solution, solution pH, solution temperature and concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film was not dependent on the applied current density, solution pH and solution temperature, while it was dependent on the content of Si particles in the solution and the concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film increased with increasing content of Si particles in the solution but reached a maximum value of about 6 wt% when the content of Si particles in the solution exceeds 100 g/l. On the other hand, the content of Si codeposited in the film increased up to about 17 wt% with decreasing concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. These results would be applied to the fabrication of very thin Fe-6.5 wt% Si sheets for electrical applications.
A co-spray deposition technique has been developed to bypass a fundamental limitation in the conventional spray deposition technique, i.e., the deposition of metal oxides from incompatible precursors in the starting solution. With this technique, ZnO films codoped with F and Al have been successfully synthesized, in which F is incompatible with Al. Two starting solutions were prepared and co-sprayed through two separate spray heads. One solution contained only the F precursor, $NH_4F$. The second solution contained the Zn and Al precursors, $Zn(O_2CCH_3)_2$ and $AlCl_3$. The deposition was carried out at $500^{\circ}C$ on soda-lime glass in air. A minimum sheet resistance, $55.4{\Omega}/{\square}$, was obtained for Al and F codoped ZnO films after vacuum annealing at $400^{\circ}C$, which was lower than singly-doped ZnO with either Al or F. The transmittance for the codoped ZnO samples was above 90% in the visible range. This co-spray deposition technique provides a simple and cost-effective way to synthesize metal oxides from incompatible precursors with improved properties for photovoltaic applications.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.04a
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pp.37-40
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2002
Superconductor wire fabricated by electrophoresis showed its critical current density depended on parameters such as applied voltage and deposition time. Substrate and suspension solutions. and its properties are also important parameters. When same optimal parameter and condition was used, deposition density of superconductor film affect directly its critical current density. In this study, therefore, electrophoretic deposition technique was utilized for a densification of YBCO superconducting wire, and researches on electrophoretic suspension solutions and additive were experimentally performed for an improvement of the critical current density of fabricated electrophoretically superconducting wire. The samples fabricated in the solution with the additive, 8 vol.% of 1% PEG(1000), showed the highest critical current density.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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