An environmental radon monitoring system, comprising a radon-cup, an etching system, and a track counting system, was constructed. The radon cup is a cylindrical chamber with a radius of 2.2 cm and a height of 3.2 cm in combination with a CR-39 detector. Carbon is impregnated in the bodies of the detector chamber to avoid problem of an electrostatic charge. The optimized etching condition for the CR-39 exposed to a radon environment turned out to be a 6 N NaOH solution at 70^{\circ}$ over a 7hour period. The bulk etch rate under the optimized condition was $1.14{\pm}0.03\;{\mu}m\;h^{-1}$. The diameter of the tracks caused by radon and its progeny were found to be in the range of $10\~25\;{\mu}m$ under the optimized condition. The track images were observed with a track counting system, which consisted of an optical microscope, a color charged couple device (CCD) camera, and an image processor. The calibration factor of this system is obtained to be $0.105{\pm}0.006$ tracks $cm^2$ per Bq $m^{-3}$ d.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.18
no.6
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pp.330-333
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2017
$Co_xMn_{3-x}O_4$ ($1.48{\leq}x{\leq}1.63$) ceramics were fabricated using the solid-state reaction method. Structural and electrical properties of specimens based on the composition ratio of Co were observed in order to investigate their applicability in NTC thermistors. All specimens showed a single spinel phase with a homogeneous tetragonal structure. The $Co_{1.57}Mn_{1.43}O_4$ specimen showed a maximum average grain size of approximately $6.47{\mu}m$. In all specimens, TCR properties displayed excellent characteristics of over $-4.2%/^{\circ}C$. The resistivity at 298 K and B-value of the $Co_{1.57}Mn_{1.43}O_4$ specimen were approximately $418{\Omega}-cm$ and 4300, respectively.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.17
no.4
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pp.227-230
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2016
ZnxMn3-xO4 (0.95≤x≤1.20) specimens were prepared using a conventional solid state reaction method. All specimens were sintered in air at 1,200℃ for 12 h, cooled at a rate of 2℃/min to 800℃, and subsequently quenched to room temperature. We investigated the electrical properties of ZnxMn3-xO4 specimens with various amounts of ZnO for use as IR detectors. At a composition of x≥1.15, the ZnO phase precipitates beside the spinel structure. The electrical resistivity at room temperature, activation energy, responsivity, and detectivity of a Zn1.10Mn1.90O4 specimen are 653.2 kΩ-cm, 0.392 eV, 0.016 V/W, and 7.52×103 cmHz1/2/W, respectively.
The present paper describes the design of a Solid State Telescope (SST) on board the Korea Astronomy and Space Science Institute satellite-1 (KASISat-1) consisting of four [TBD] nanosatellites. The SST will measure these radiation belt electrons from a low-Earth polar orbit satellite to study mechanisms related to the spatial resolution of electron precipitation, such as electron microbursts, and those related to the measurement of energy dispersion with a high temporal resolution in the sub-auroral regions. We performed a simulation to determine the sensor design of the SST using GEometry ANd Tracking 4 (GEANT4) simulations and the Bethe formula. The simulation was performed in the range of 100 ~ 400 keV considering that the electron, which is to be detected in the space environment. The SST is based on a silicon barrier detector and consists of two telescopes mounted on a satellite to observe the electrons moving along the geomagnetic field (pitch angle $0^{\circ}$) and the quasi-trapped electrons (pitch angle $90^{\circ}$) during observations. We determined the telescope design of the SST in view of previous measurements and the geometrical factor in the cylindrical geometry of Sullivan (1971). With a high spectral resolution of 16 channels over the 100 keV ~ 400 keV energy range, together with the pitch angle information, the designed SST will answer questions regarding the occurrence of microbursts and the interaction with energetic particles. The KASISat-1 is expected to be launched in the latter half of 2020.
The occurrence of saturation in the CR-39 detector reduces and limits its detection dynamic range; nevertheless, this range could be extended using spectroscopic techniques and by measuring the net bulk rate of the saturated CR-39 detector surface. CR-39 detectors were irradiated by 1.5 MeV high alpha-particle fluence varying from $0.06{\times}10^8$ to $7.36{\times}10^8\;alphas/cm^2$ from Am-241 source; thereafter, they were etched in a 6.25N NaOH solution at a temperature of $70^{\circ}C$ for different durations. Net bulk etch rate measurement of the 1.5 MeV alpha-irradiated CR-39 detector surface revealed that rate increases with increasing etching time and reaches its maximum value at the end of the alpha-particle range. It is also correlated with the alpha-particle fluence. The measurements of UV-Visible (UV-Vis) absorbance at 500 and 600 nm reveal that the absorbance is linearly correlated with the fluence of alpha particles at the etching times of 2 and 4 hour. For extended etching times of 6, 10, and 14.5 hour, the absorbance is saturated for fluence values of $4.05{\times}10^8$, $5.30{\times}10^8$, and $7.36{\times}10^8\;alphas/cm^2$. These new methods pave the way to extend the dynamic range of polymer-based solid state nuclear track detectors (SSNTDs) in measurement of high fluence of heavy ions as well as in radiation dosimetry.
Han, Hyeuk Jin;Park, Chong Ook;Hong, Youngkyu;Kim, Jong Suk;Yang, Jeong Woo;Kim, Yoon Seo
Journal of Sensor Science and Technology
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v.24
no.1
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pp.6-9
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2015
Conventional leak detectors are widely based on helium gas sensors. However, the usage of hydrogen sensors in leak detectors has increased because of the high prices of helium leak detectors and the dearth in the supply of helium gas. In this study, a hydrogen leak detector was developed using solid-state hydrogen sensors. The hydrogen sensors are based on Park-Rapp probes with heterojunctions made by oxygen-ion conducting Yttria-stabilized zirconia and proton-conducting In-doped $CaZrO_3$. The hydrogen sensors were used for determining the potential difference between air and air balanced 5 ppm of $H_2$. Even though the Park-Rapp probe shows an excellent selectivity for hydrogen, the sensitivity of the sensor was low because of the low concentration of hydrogen, and the oxygen on the surface of the sensor. In order to increase the sensitivity of the sensor, the sensors were connected in series by Pt wires to increase the potential difference. The sensors were tested at temperatures ranging from $500-600^{\circ}C$.
In this paper, we have studies the images have been reconstructed by using combination of images which has been acquired by the variation of operating frequency. When inner images has been reconstructed, inner image has been superposition by surface state effect. In this case, image enhancement the phase object and enhance the contrast of inner image. In the result of the specimen for the round defect with 2mm diameter, for the types of the depth are 1.5mm, 2mm, 2.5mm, and 3mm, it has been show that the shape of defect has better than before this processing and phase contrast grow large twice. And we have constructed the acoustic microscope by using quadrature detector that is able simultaneously to acquired the amplitude and phase of the reflected signal. Father more we have studied the reconstruction method of the amplitude and phase images and the enhancement method of the defect images' contrast.
In recent years, the automatic remote control controller of the gamma ray irradiator malfunctions, and radiation workers are continuously exposed to radiation exposure accidents. In the non-destructive testing field, much time and resources are invested in establishing a radioactive source monitoring system in order to prevent potential incidents of radiation. In this study, the gamma-ray response properties of the lead monoxide-based radiation detector were estimated through monte carlo simulation as a previous study for the development of a radioactive source location monitoring system that can be applied universally to various non-destructive testing equipment. As a result of the study, the optimized thickness of the radiation detector varies according to the gamma-ray energy emitted from the radioactive source, and the optimized thickness gradually increases with increasing energy. In conclusion, the optimized thickness of the lead monoxide-based radiation detector was $200{\mu}m$ for the Ir-192, $150{\mu}m$ for the Se-75 and $300{\mu}m$ for the Co-60. Based on these results, the appropriate thickness of lead monoxide-based radiation detector considering secondary-electron equilibrium was evaluated to be $300{\mu}m$ for general application. These results can be used as a basic data for determining the appropriate thickness required in the radiation detector when developing a radiation source location monitoring system for universal application to various non-destructive testing equipment in the future.
Park, Ji-Koon;Choi, Jang-Yong;Kang, Sang-Sik;Lee, Dong-Gil;Seok, Dae-Woo;Nam, Sang Hee
Journal of radiological science and technology
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v.26
no.4
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pp.39-46
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2003
Digital radiographic systems based on solid-state detectors, commonly referred to as flat-panel detectors, are gaining popularity in clinical practice. Large area, flat panel solid state detectors are being investigated for digital radiography. The purpose of this work was to evaluate the active matrix flat panel digital x-ray detectors in terms of their modulation transfer function (MTF), noise power spectrum (NPS), and detective quantum efficiency (DQE). In this paper, development and evaluation of a selenium-based flat-panel digital x-ray detector are described. The prototype detector has a pixel pitch of $139\;{\mu}m$ and a total active imaging area of $14{\times}8.5\;inch^2$, giving a total 3.9 million pixels. This detector include a x-ray imaging layer of amorphous selenium as a photoconductor which is evaporated in vacuum state on a TFT flat panel, to make signals in proportion to incident x-ray. The film thickness was about $500\;{\mu}m$. To evaluate the imaging performance of the digital radiography(DR) system developed in our group, sensitivity, linearity, the modulation transfer function(MTF), noise power spectrum (NPS) and detective quantum efficiency(DQE) of detector was measured. The measured sensitivity was $4.16{\times}10^6\;ehp/pixel{\cdot}mR$ at the bias field of $10\;V/{\mu}m$ : The beam condition was 41.9\;KeV. Measured MTF at 2.5\;lp/mm was 52%, and the DQE at 1.5\;lp/mm was 75%. And the excellent linearity was showed where the coefficient of determination ($r^2$) is 0.9693.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.1
no.1
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pp.227-237
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1998
HgCdTe Is the most versatile material for the developing infrared devices. Not like III-V compound semiconductors or silicon-based photo-detecting materials, HgCdTe has unique characteristics such as adjustable bandgap, very high electron mobility, and large difference between electron and hole mobilities. Many research groups have been interested in this material since early 70's, but mainly due to its thermodynamic difficulties for preparing materials, no single growth technique is appreciated as a standard growth technique in this research field. Solid state recrystallization(SSR), travelling heater method(THM), and Bridgman growth are major techniques used to grow bulk HgCdTe material. Materials with high quality and purity can be grown using these bulk growth techniques, however, due to the large separation between solidus and liquidus line on the phase diagram, it is very difficult to grow large materials with minimun defects. Various epitaxial growth techniques were adopted to get large area HgCdTe and among them liquid phase epitaxy(LPE), metal organic chemical vapor deposition(MOCVD), and molecular beam epitaxy(MBE) are most frequently used techniques. There are also various types of photo-detectors utilizing HgCdTe materials, and photovoltaic and photoconductive devices are most interested types of detectors up to these days. For the larger may detectors, photovoltaic devices have some advantages over power-requiring photoconductive devices. In this paper we reported the main results on the HgCdTe growing and characterization including LPE and MOCVD, device fabrication and its characteristics such as single element and linear array($8{\times}1$ PC, $128{\times}1$ PV and 4120{\times}1$ PC). Also we included the results of the dewar manufacturing, assembling, and optical and environmental test of the detectors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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