• 제목/요약/키워드: sol-gel growth

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Sol-Gel and photoreduction 공정에 의한 Au 미립자분산 $TiO_{2}$ 박막 제조 (Preparation of Au fine particle dispersedf $TiO_{2}$ film by sol-gel and photoreduction process)

  • 현부성;김병일;강원호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.23-28
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    • 1999
  • Au 미립자가 분산된 $TiO_{2}$ 박막을 졸겔담금법과 열처리공정으로 실리카 유리기판위에 제조하였다. $TiO_{2}$ 박막제조는 titanium tetraisopropoxide-EtOH-HCl-$H_{2}O$-hydrogen tetrachloroaurat (III) tetrahydrate계를 이용하였다. 고농도로 Au 화합물을 함유하면서 투명한 코팅용액을 형성하는 조건을 검토하였다. Au 금속미립자의 크기를 조절하기 위하여 광환원공정을 채택하였다. UV 조사에 따른 Au 입자의 변화와 $TiO_{2}$ 매트릭스의 상전이과정을 XRD, SEM, TEM and UV-visible spectrophotometer로 관찰하였다. 분산제로서 CPCl (Cetylpyridinium chloride monohydrate)의 효과를 평가하였다.

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졸-겔법으로 증착된 ZnO 나노막대를 이용한 고감도 이산화질소 가스 센서 제작 및 특성 연구 (The highly sensitive NO2 gas sensor using ZnO nanorods grown by the sol-gel method)

  • 박소정;곽준혁;박종혁;이홍열;문승언;박강호;김종대;김규태
    • 센서학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.147-150
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    • 2008
  • Multiple ZnO nanorod device detecting $NO_2$ gas was fabricated by sol-gel growth method and gas response characteristics were measured as a chemical gas sensor. The device is mainly composed of sensing electrode and sensing nano material. To acquire high sensitivity of the device for $NO_2$ gas it was heated by a heat chuck up to $400^{\circ}C$ The sensing part was easily made using the CMOS compatible process, for example, the large area and low temperature nano material growth process, etc. The sensors were successfully demonstrated and showed high sensitive response for $NO_2$ gas sensing.

Sol-gel법에 의한 LiCoO2 박막의 합성과 특성평가 (Synthesis and characterization of LiCoO2 thin film by sol-gel process)

  • 노태호;연석주;고태석
    • 한국결정성장학회지
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    • 제24권3호
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    • pp.94-98
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    • 2014
  • $LiCoO_2$는 박막 베터리의 양극재료로써 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 스핀 코터를 이용한 졸-겔 합성공정과 열처리 과정에 의해서 Au 지지체 위에 $LiCoO_2$ 박막을 합성하였다. 합성된 박막의 구조는 X-선회절분석, 라만분광 광도계를 이용하여 분석하였다. 박막의 입자 형태는 전자현미경에 의해 관찰하였다. X-선회절분석, 라만분광광도계의 결과로부터, $550^{\circ}C$$750^{\circ}C$에서 합성된 박막은 스피넬구조와 층상 암염 형 구조를 가지는 박막으로 보이며, $650^{\circ}C$에서 합성된 박막은 층상 암염 형 구조와 스피넬 구조가 혼재되어져 있는 것으로 생각된다. $750^{\circ}C$에서 합성된 박막은 다른 낮은 온도에서 합성된 박막보다 큰 결정질의 균일한 분포의 입자를 가지는 것으로 확인되었다.

솔-젤 Dip Coating에 의한 Sb-doped $SnO_2$ 투명전도막의 제조 및 특성 (Fabrication of Sb-doped $SnO_2$ transparent conducting films by sol-gel dip coating and their characteristics)

  • 임태영;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제13권5호
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    • pp.241-246
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    • 2003
  • ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 sol-gel dip coating 방법에 의해 $SiO_2$/glass 기판 위에 성공적으로 제조하였다 ATO막의 결정상은 $SnO_2$상임을 확인하였고, 막의 두께는 withdrawal speed를 50 mm/minute로 코팅시 약 100 nm/layer였다. $SiO_2$/glass 기판 위에 코팅한 400 nm두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 후, 측정한 광 투과율과 전기 저항치는 각각 84%와 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$였다. 이러한 특성은 $SiO_2$막이 Na 이온의 확산을 제어하여 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 불순물의 형성을 억제하고, 막 내부의 Sb의 농도와 $Sb^{3+}$에 대한 $Sb^{5+}$의 비를 증가시키는데 기여했기 때문으로 확인되었다. 또한, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$뿐만 아니라 $Sn^{4+}$를 환원시킴으로써 전기전도도를 향상시킴을 확인하였다.

Sol-Gel법에 의한 PZT박막 제조에서 완충층의 영향 (Effect of buffer layers on preparation of Sol-Gel processed PZT thin films)

  • 김종국;박지련;박병옥
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.307-314
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    • 1998
  • 졸-겔법을 이용하여 PZT박막을 제조하였다. 출발물질로는 Pb-acetate trihydrate, Zr-normal propoxide와 Ti-ispropoxide를 사용하였으며, 용매로는 2-Methoxyethanol과 iso- Propanol을 사용하였다. 기판에 따른 Pb 이온 및 Si 이온의 확산을 고찰하기 위해 bare Si와 열산화된 $SiO_2/Si$ 그리고 산화된 기판 위에 졸-겔 spin-coating법으로 $TiO_2$를 입힌 $TiO_2/SiO_2/Si$ 기판을 사용하였다. 박막의 치밀화 및 기판과의 접착상태는 SEM을 이용하였고, 상생성 온도는 XRD, 그리고 Pb 이온 및 Si 이온의 확산 정도는 ESCA를 사용하였다. 기판으로 bare Si 및 $SiO_2/Si$를 사용한 경우, $700^{\circ}C$에서 perovskite상을 얻을 수 있었으며, SiO2/Si 기판을 사용하여 Si의 막으로의 확산을 다소 방지할 수 있었다. $TiO_2/SiO_2/Si$기판을 사용한 경우, $500^{\circ}C$에서 perovskite상을 얻을 수 있었고, Pb 이온 및 Si 이온의 확산을 방지할 수 있었다.

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Sol-gel 하이브리드 용액을 이용한 반사방지막 제조 (Fabrication of anti-reflection thin film by using sol-gel hybrid solution)

  • 박종국;이지선;이미재;이영진;전대우;김진호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제26권6호
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    • pp.220-224
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    • 2016
  • 초음파 스프레이를 이용하여 유리기판 위에 반사방지 박막이 제조되었다. GPTMS와 TEOS는 솔-젤 하이브리드 코팅 용액을 제조하기 위하여 사용되었다. 반사방지막의 코팅 두께를 제어하기 위하여 스프레이 노즐의 이동속도는 15~25 mm/s로 변경되었다. 스프레이 노즐의 이동속도가 증가 됨에 따라 반사방지막의 두께는 138 nm에서 86 nm로 감소되었다. 20 mm/s의 노즐 이동속도에 의해 제조된 반사방지막의 굴절률은 약 1.31, 막의 두께는 104 nm이며, 380 nm에서 780 nm의 가시광 영역에서의 평균 반사율은 0.75 %, 투과율은 94 %로 측정되었다.

졸-겔법에 의한 강유전 BST 박막의 제조 및 특성(II) - 초음파의 효과 (Fabrication and Properties of ferroelectric BST thin films prepared by sol-gel method (II) - effect of ultrasound on properties of thin film)

  • 이진홍;박병옥;이승엽
    • 한국결정성장학회지
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    • 제11권6호
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    • pp.252-258
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    • 2001
  • ($Ba_{0.7}Sr_{0.3})TiO_3$박막을 ITO-coated glass 기판위에 spin-coating법으로 제조하였다. 제조된 용액을 초음파 bath 내에서 초음파 처리하여 균일화를 촉진시킨 후 박막을 제조하여 초음파 처리하지 않은 용액으로 제조한 박막과의 비교를 통하여 초음파 효과를 알아보았다. 용액의 초음파 처리로 박막의 결정화 온도를 다소 낮추었으며 박막의 표면이 보다 균일하고 치밀화되었고 거칠기도 8.4nm에서 5.6nm로 더 낮아졌다. 그리고 박막의 투광성 및 전기적 특성 또한 용액의 초음파 처리로 인하여 향상되었다.

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UV노광 공정 도입이 Sol-gel 법으로 제조된 Sr0.9Bi2.1Ta2O9박막의 결정화에 미치는 영향 (Effect of the Introduction of UV Irradiation on Crystallization of Sr0.9Bi2.1Ta2O9 Thin Films by Sol-gel Method)

  • 최병옥;김병호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권2호
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    • pp.184-190
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    • 2003
  • 광감응성 sol-gel 용액을 사용하여 spin coating법으로 $IrO_2$전극 위에 $Sr_{0.9}$$Bi_{2.1}$$Ta_2$$O_{9}$ 박막을 성막하였다. UV 노광이 SBT 박막에 어떤 영향을 미치는지 알아보기 위해 UV 노광을 한 시편과 하지 않은 시편을 XRD 및 SEM로 분석한 결과 UV 노광이 SBT 결정성장을 촉진함을 확인할 수 있었다. UV 노광을 하고 $740^{\circ}C$ 산소분위기에서 1시간 로열처리 한 SBT 박막의 경우 2Pr 값은 5V 인가전압하에서 11.48$\mu$C/$ extrm{cm}^2$, Pr/Ps 값은 0.53이었고 660-$740^{\circ}C$에서 UV 노광을 하지 않은 시편에 비해 UV 노광을 한 시편들에서 약 12% 높은 2Pr 값을 얻었다.

졸 코팅 법을 이용한 BaTiO3 분체의 첨가제 코팅 I - BaTiO3 졸 코팅 공정 연구 (Additive Coating of BaTiO3 Powder using Sol Coating Method I - Development of Coating Process by BaTiO3 Sol)

  • 신효순
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권9호
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    • pp.953-959
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    • 2004
  • BaTiO$_3$ powder has been applied in so much electronic ceramics. Therefore, as recent, the method to add or coat additive will be needed BaTiO$_3$ powder. As a kind of the method, the coating of BaTiO$_3$ powder was considered. In this study, during BaTiO$_3$ powder was coated by BaTiO$_3$ sol, gelation path was experimented. Standard coating condition was set for homogeneous coating. The phase of the gel was deferent by gelation path. It was confirmed the amorphous gel was made in BaTiO$_3$ phase easily at low temperature. In the amorphous gel, particle growth was shown at 900$^{\circ}C$, because crystallization temperature was low. The optimal ratio of sol and powder was at 10 vol% for the homogeneous coating.

The Synthesis of Vanadium-Doped Forsterite by the $H_2O_2$-Assisted Sol-Gel Method, and the Growth of Single Crystals of Vanadium-Doped Forsterite by the Floating Zone Method

  • 박동곤;Mikio Higuchi;Rudiger Dieckmann;James M. Burlitch
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제19권9호
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    • pp.927-933
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    • 1998
  • Polycrystalline powder of vanadium-doped forsterite (Vδ $Mg_2SiO_4$) was synthesized by the $H_2O_2$-assisted sol-gel method. The vanadium dopant, which was added as VO$(OMe)_3$ in methanol, went through several redox reactions as the sol-gel reaction proceeded. Upon adding VO$(OMe)_3$ to a mixture of $Mg(OMe)_2$ and Si$(OEt)_4$ in methanol, V(V) reduced to V(IV). As hydrolysis reaction proceeded, the V(IV) oxidized all back to V(V). Apparently, some of the V(V) reduced to V(IV) during subsequent gelation by condensation reaction. The V(IV) remained even after heat treatment of the gel in highly oxidizing atmosphere. The crystallization of the xerogel around 880 ℃ readily produced single phase forsterite without any minor phase. Using the polycrystalline powder as feeding stock, single crystals of vanadium-doped forsterite were grown by the floating zone method in oxidizing or reducing atmosphere. The doping was limited in low level because of the high partitioning of the vanadium in liquid phase during melting. The greenish single crystal absorbed visible light of 700∼1100 nm. But, no emission was obtained in near infrared range.