• 센서학회지
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• 제5권5호
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• pp.11-20
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• 1996

본 연구에서는 가속기에서 발생하는 치료방사선을 방사선원으로 사용하여 다이오드 치료방사선 검출센서의 특성을 조사하였다. 방사선량에 따른 선형성, 재현성, 오차율, 에너지의존성, 방사선조사후의 감도변화량, 다이오드의 숫자에 따른 출력값 측정 및 Portal 영상을 위한 가능성 검사를 위해서 핵계측기를 이용한 펄스 성형(成形)을 시도하였다. 제작된 시스템의 효율성을 검증하기 위하여 구성된 다이오드 센서로 조사야(照射野)별 심부량(深部量)를 백분율을 기존의 측정장치인 기체 전리함을 이용한 값과 상호 비교하여 보았다. 또한 다이오드의 선량측정회로를 다채널로 구성하여 A/D 변환후 컴퓨터 상에서 치료영역의 범위를 읽을 수 있었다. 모형인체(模型人體)를 치료대 위에 놓고 읽은 출력값과 모형인체(模型人體)없이 직접 읽은 출력값을 비교하여 Portal 영상을 위한 가능성을 제시하여 보았다.

• Current Applied Physics
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• 제18권12호
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• pp.1496-1506
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• 2018

Organic/inorganic ultraviolet photodetector was fabricated using thermal evaporation technique. Organic/inorganic heterojunction based on thermally evaporated copper (II) acetylacetonate thin film of thickness 200 nm deposited on an n-type silicon substrate is introduced. I-V characteristics of the fabricated heterojunction were investigated under UV illumination of intensity $65mW/cm^2$. The diode parameters such as ideality factor, n, barrier height, ${\Phi}_B$, and reverse saturation current, $I_s$, were determined using thermionic emission theory. The series resistance of the fabricated diode was determined using modified Nord's method. The estimated values of series resistance and barrier height of the diode were about $0.33K{\Omega}$ and 0.72 eV, respectively. The fabricated photodetector exhibited a responsivity and specific detectivity about 9 mA/W and $4.6{\times}10^9$ Jones, respectively. The response behavior of the fabricated photodetector was analyzed through ON-OFF switching behavior. The estimated values of rise and fall time of the present architecture under UV illumination were about 199 ms and 154 ms, respectively. Finally, enhancing the photoresponsivity of the fabricated photodetector, post-deposition plasma treatment process was employed. A remarkable modification of the device performance was noticed as a result of plasma treatment. These modifications are representative in a decrease of series resistance and an increase of photoresponsivity and specific detectivity. The process of plasma treatment achieved an increment of external quantum efficiency from 5.53% to 8.34% at -3.5 V under UV illumination.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권2호
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• pp.35-39
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• 2018

광결합 효율(Fiber coupling efficiency)을 개선하기 위해서는 Laser diode에서 넓은 각도로 방출된 빛을 광섬유의 중심(Core) 부분으로 모아주는 집광렌즈(Collimating lens)가 필수적이다. 현재 사용되는 집광렌즈는 형틀(Mold)을 이용한 글래스 몰드(Glass mold) 공법이 널리 사용되고 있다. 이 방식은 생산단가가 저렴하지만, 정교한 성형이 어렵고 구면수차와 같은 품질문제가 있다. 본 연구는 기존의 글래스 몰드 공법을 반도체 공정으로 대체함으로써 표면 가공의 정밀도를 높이고, 렌즈의 재질 또한 반도체 공정에 적합한 실리콘으로 변경하였다. 반도체공정은 PR을 이용한 포토리소그래피(Photolithography) 공정과 플라즈마를 이용한 건식 식각(Dry etching) 공정으로 구성된다. 광결합 효율은 실리콘 렌즈의 광학적 특성을 평가하기 위해 초정밀 정렬 시스템을 사용하여 측정되었다. 그 결과, 렌즈 직경 $220{\mu}m$ 일 때의 최대 광결합 효율은 50%로 측정되었고, 렌즈 직경 $210-240{\mu}m$ 범위에서는 최고 광결합 효율 대비 5% 이하의 광결합 특성저하를 보여줌을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권3호
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• pp.25-34
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• 2005

본 논문에서는 이더넷 광 네트워크 구현을 위한 핵심 부품인 1.25 Gbps 광전 트라이플렉스 트랜시버 모듈(Opto-electric triplex transceiver module)의 동작성능 안정화를 위하여 모듈내에서 발생되는 전기적 혼신을 해석 및 측정하였으며, 혼신 감소를 위한 가상접지선(Dummy ground line)이 포함된 신호선 구조를 제안하였다. 광전 트라이플렉스 트랜시버 모듈은 전기신호를 광신호로 바꾸어 전송하는 송신부(Laser diode), 디지털 변조되어 입력된 광신호를 전기신호로 변환하는 디지털 수신부 (Digital photodetector)와 고해상도의 CATV (Community antenna or access television) 신호를 수신하는 아날로그 수신부 (Analog photodetector)가 실리콘 기판(Silicon substrate) 상에 하이브리드 집적되어 구성된다. 디지털 수신부와 아날로그 수신부의 수신감도는 각각 BER(Bit error rate) : $10^-{12}$에서 -24 dBm과 44 dB의 신호대잡음비(Signal-to-noise ratio, SNR)에서 -7.7 dBm을 만족해야하므로 모듈 내의 전기적 혼신은 DC에서 3 GHz까지 - 86 dB이하로 유지되어야한다. 전기적 혼신의 해석 및 측정 결과, 실리콘 기판상의 광원과 디지털 광검출기, 디지털 광검출기와 아날로그 광검출기 사이의 거리를 4 mm 이상 확보하며, 가상접지선을 디지털 광검출기와 아날로그 광검출기의 신호선과 $100\;{\mu}m$ 간격으로 설치하였을 경우, -86 dB 이하의 전기적 혼신 레벨을 만족할 수 있음을 확인하였다. 본 논문에서 제안한 가상접지선을 사용하는 방법은 실리콘 기판상에 신호선을 형성할 때 동시에 형성할 수 있으므로 별도의 추가비용 없이 구현할 수 있으며, 단순히 광원 및 광 검출기의 사이간격을 충분히 확보하는 방법에 비하여 실리콘 기판의 크기를 감소시켜 최종 모듈의 크기를 약 $50\%$ 감소시킬 수 있다는 장점이 있다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.604-609
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• 2020

본 연구에서는 RF 스퍼터를 이용하여 SiC 기판위에 AlN막을 증착하고 급속 열처리 (RTA) 공정의 온도에 따른 AlN/4H-SiC 구조의 전기적, 재료적 특성에 대한 영향을 분석하였다. 400도에서 RTA 공정을 진행한 Ni/AlN/4H-SiC SBD 소자의 온/오프 비율은 RTA 공정 전 그리고 600도에서 RTA 공정을 한 소자에 비해 약 10배정도 높은 값을 가졌다. 또한 오제이 전자현미경을 통한 원자성분 분석을 통해 증착한 AlN 층내의 존재하는 산소의 양이 후열 처리 조건에 따라 변화함을 확인하였고 소자의 온/오프 비율 그리고 온-저항 등 소자의 성능에 영향을 주는 것을 분석하였다. 추가적으로, 제작한 소자의 노출된 음향 주파수에 따른 전기적 특성변화를 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권9호
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• pp.818-824
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• 2006

The effects of high-temperature process required to fabricate the SiC devices on the surface morphology and the electrical characteristics were investigated for 4H-SiC Schottky diodes. The 4H-SiC diodes without a graphite cap layer as a protection layer showed catastrophic increase in an excess current at a forward bias and a leakage current at a reverse bias after high-temperature annealing process. Moreover it seemed to deviate from the conventional Schottky characteristics and to operate as an ohmic contact at the low bias regime. However, the 4H-SiC diodes with the graphite cap still exhibited their good electrical characteristics in spite of a slight increase in the leakage current. Therefore, we found that the graphite cap layer serves well as the protection layer of silicon carbide surface during high-temperature annealing. Based on a closer analysis on electric characteristics, a conductive surface transfiguration layer was suspected to form on the surface of diodes without the graphite cap layer during high-temperature annealing. After removing the surface transfiguration layer using ICP-RIE, Schottky diode without the graphite cap layer and having poor electrical characteristics showed a dramatic improvement in its characteristics including the ideality factor[${\eta}$] of 1.23, the schottky barrier height[${\Phi}$] of 1.39 eV, and the leakage current of $7.75\{times}10^{-8}\;A/cm^{2}$ at the reverse bias of -10 V.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1295-1296
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• 2006

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGS-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGS-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGS-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteresis Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 ANGLED 화소에서 (n-1)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 측정 및 분석하였다.

• 전기화학회지
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• 제2권1호
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• pp.17-22
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• 1999

다공질 실리콘을 이용한 마이크로센서와 마이크로액츄에이터의 연구는 현재 초기단계에 있기 때문에, 지금까지 발광 다이오드나 화학 센서 등과 같은 몇몇 응용 소자가 발표된 수준에 머물러 있다. 본 논문에서는 화학 센서와 광소자를 중심으로 다공질 실리콘 센서 및 액추에이터 연구현황을 고찰 보고하고자 한다. 정전용량형 다공질 실리콘 습도센서의 감습 특성은 비선형이였으며, 저습보다는 $40\%RH$ 이상의 고습영역에서 더 높은 감도를 나타내었다. 다공질 실리콘 $n^+-p-n^+$ 소자는 에탄올에 노출되었을 때 소자 전류가 급격히 증가하였다. 다공질 실리콘 다이어프램에 제작된 $p^+-PSi-n^+$ 다이오드는 광 스위칭 현상을 나타내어 광센서 또는 광스위치로써의 응용 가능성을 보여주었다. 다공질 실리콘에 365nm를 조사해서 얻어진 광루미네센스(PL)는 넓은 스펙트럼을 보였으며, 피크 파장은 610 nm이었다. ITO/PSi/In LED의 전계발광(EL)스펙트럼은 PL에 비해 약간 더 넓은 영역에 걸쳐 나타났으며, 피크 에너지가 단파장(535nm)으로 이동하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.281-281
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• 2009

Electrical analysis of red, green and blue (RGB) organic light emitting diode (OLED), which were measured at various temperatures from 230K to 370K by steps of 20K, were investigated using current-voltage(I-V) characteristics. Ideality factor and series resistance were obtained from the thermionic emission theory. Experimental results showed that the ideality factors were 2.12 for red, 3.80 for green, and 6.03 for blue OLED at 290K, respectively. The series resistance were 1960, 2190, 2630$\Omega$ for red, green and blue OLED at the same temperature. It was found that the OLED ideality factors were much higher than near unity for well-behaved silicon diodes, because of the organic material and multi-layer fabrication diode. In addition, the series resistance was near 2k$\Omega$ range. More researches are required to reduce both ideality factors and series resistance to increase the efficiency of OLEDs.

• 한국재료학회지
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• 제8권9호
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• pp.825-830
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• 1998

자화된 유도결합형 C4F8 플라즈마로 SiO2를 건식식각시 실리콘 표면에 발생하는 손상과 오염에 대하여 연구하였다. 오염의 분석을 위해서 XPS, SIMS, TEM을 사용하였으며, 손상정도를 측정하기 위해서 HRTEM과 Schottky-diode 구성을 통한 I-V특성 측정을 사용하였다. 유도 결합형 C4F8 플라스마에 0에서 18Gauss까지의 자장이 가해짐에 따라서 실리콘 표면에 생기는 잔류막의 두께가 SiO2식각속도와 선택비의 증가와 함께 증가하였으며, XPS를 통하여 그 조성이 fluorine-rich에서 carbon-rich 한 상태로 변화함을 알 수 있었다. 자장을 가하지 않는 상태에서는 표면에서 $40\AA$부근까지 고밀도의 손상층이 관찰되었으나, 자장을 가함에 따라서 노출된 손상층의 깊이는 깊어지나 그 밀도는 줄어들음을 HRTEM을 통하여 관찰 할 수 있었다. Schottky-diode를 통한 I-V특성곡선의 분석으로 자장이 증가함에 따라서 전기적인 손상이 감소함을 알 수 있었다.