KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
/
v.5C
no.1
/
pp.23-27
/
2005
We observed that optical properties of silicon changed under high dose electron irradiation at 250 keV. Our experimental results revealed that the optical transmission through a silicon wafer is significantly increased by electron irradiation. Transmission increase by the change in the absorption coefficient is explained through an analogy with amorphous silicon. Moreover, solar cell open-circuit voltages indicated that defects were generated by electron irradiation, and that the defects responded to annealing. Our results demonstrated that the optical properties of silicon can be controlled by a combination of electron irradiation and hydrogen annealing.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.11
no.3
/
pp.89-95
/
2001
The CZ-silicon crystal was annealed at $1350^{\circ}C$ to dissolve the vacancy type grown-in defects. A this temperature, the equilibrium concentration of the oxygen in the silicon crystal is around $1.7{\times}10^{18}$ which induces the oxygen undersaturation in the silicon crystal. This situation results in the faster dissolution of the grown-in defects in the bulk of the silicon wafer than near the surface. This indicates the possibility that the presence of the higher concentration of silicon interstitial hinders the dissolution of the grown-in defects, which were known to compose of the vacancy clusters with surrounding silicon oxide film. This expectation was confirmed by the observation that the slower dissolution of the grown-in defects near the surface of the silicon wafer in the oxygen atmosphere than in the argon atmosphere. This result is quite opposite to the previous argument hat presence of the excess silicon interstitial leads to faster dissolution of the vacancy type defects.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.31
no.5
/
pp.237-244
/
1998
In this stydy, submicron shallow trenches applied to STI(shallow tench isolation) were etched using inductively coupled $CI_2$/HBr and $CI_2/N_2$plasmas and the physical and electrical defects remaining on the etched silicon trench surfaces and the effects of various annealing and oxidation on the removal of the defects were studied. Using high resolution electron microscopy(HRTEM), Physical defects were investigated on the silicon trench surfaces etched in both 90%$CI_2$/ 10%$N_2$ and 50%$CI_2$/50%HBr. Among the areas in the tench such as trench bottom, bottom edge, and sidewall, the most dense defects were found near the trench bottom edge, and the least dense defects were found near the trench bottom edge, and least dense defects compared to that etched with ment as well as hydrogen permeation. Thermal oxidation of 200$\AA$ atthe temperature up to $1100^{\circ}C$apprars not to remove the defects formed on the etched silicon trenches for both of the etch conditions. To remove the physicall defects, an annealing treatment at the temperature high than $1000^{\circ}C$ in N for30minutes was required. Electrical defects measured using a capacitance-voltage technique showed the reduction of the defects with increasing annealing temperature, and the trends were similar to the results on the physical defects obtained using transmission electron microscopy.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.15
no.2
/
pp.45-50
/
2005
During oxidation process, several type of defects are formed on the surface of the silicon crystal which was damaged mechanically before oxidation. As the size of abrasive particle increases multiple dislocation loops are produced favorably over oxidation-induced stacking faults, which are dominantly produced when ground with finer abrasive particle. These defects are not related with the crystal growth process like Czochralski or directional solidification. During directional solidification process, twins and stacking faults are the two major defects observed in the bulk of the silicon crystal. On the other hand, slip dislocations produced by the thermal stress are not observed. Thus, not only in single crystalline silicon crystal but also in multi-crystalline silicon, extrinsic gettering process with programmed production of surface defects might be highly applicable to silicon wafers for purification.
For more than five decades, silicon has dominated the semiconductor industry that supports memory devices, ICs, photovoltaic devices, etc. Photoluminescence (PL) is an attractive silicon characterization technique because it is contactless and provides information on bulk impurities, defects, surface states, optical properties, and doping concentration. It can provide high resolution spectra, generally with the sample at low temperature and room-temperature spectra. The photoluminescence properties of silicon at low temperature are reviewed and discussed in this study. In this paper, silicon bulk PL spectra are shown in multiple peak positions at low temperature. They correspond with various impurities such as In, Al, and Be, phonon interactions, for example, acoustical phonons and optical phonons, different exciton binding energies for boron and phosphorus, dislocation related PL emission peak lines, and oxygen related thermal donor PL emissions.
Aim : The ultimate goal of periodontal treatment is regeneration of periodontium that have been lost due to inflammatory periodontal disease. Recently, Silicon contained Coralline Hydroxyapatite and Beta Tricalcium Phosphate bone substitute have been introduced to achieve periodontal regeneration. The purpose of this study is to evaluate the effect of the Silicon contained Coralline Hydroxyapatite and Beta Tricalcium Phosphate(BoneMedik-$DM^{(R)}$, Meta Biomed Co., Ltd. Oksan, Korea) on periodontal intrabony defects. Methods and materials : Clinical effects of Silicon contained Coralline Hydroxyapatite and Beta Tricalcium Phosphate implantation in intrabony defects were evaluated 6 months after surgery in Sixty-one intrabony defects from Fourty-six patients with chronic periodontitis. Twenty-nine experimental defects in twenty-five patients received the Silicon contained Coralline Hydroxyapatite and Beta Tricalcium Phosphate(test group), while Thirty-Three defects in twenty-one patients were treated with flap procedure only( control group). Comparative observation were done for preoperative and postoperative differences between control and experimental clinical parameters,-clinical attachment 10ss(CAL), probing depth(PD), bone probing depth(BPD), gingi val recession. Results : Postoperative improvements in CAL, PD, BPD were observed in both test and control groups(P<0.0l). However, the improvements in CAL, PD, BPD of the test group were significantly greater than control group. Conclusion : Healing of the both groups were uneventful during experimental periods. Use of Silicon contained Coralline Hydroxyapatite and Beta Tricalcium Phosphate in a flap operation resulted in significantly greater improvements in CAL, PD, and BPD over flap operation alone. Silicon contained Coralline Hydroxyapatite and Beta Tricalcium Phosphate will be good bone substitute materials for treatment of intrabony defects.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
/
v.28
no.5
/
pp.606-613
/
2011
In this paper, patterns of laser scattering and detection of micro defects have been investigated based on Rayleigh criterion for silicon wafer in solar cell. Also, a new laser scattering mechanism is designed using characteristics of light scattering against silicon wafer surfaces. Its parameters are to be optimally selected to obtain effective and featured patterns of laser scattering. The optimal parametric ranges of laser scattering are determined using the mean intensity of laser scattering. Scattering patterns of micro defects are investigated at the extracted parameter region. Among a lot of pattern features, both maximum connected area and number of connected component in patterns of laser scattering are regarded as the important information for detecting micro defects. Their usefulness is verified in the experiment.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
/
2005.06a
/
pp.1083-1086
/
2005
Light scattering measurement system that can evaluate light scattering characteristic from defects on silicon wafer surface has been developed. The system uses $Ar^+$ laser as an illumination source, and a highly sensitive photomultiplier tube (PMT) for detecting scattered light from defects. Unlike with conventional measurement system, our system has ability to measure scattered light pattern from wide range of scattering angles with changeable incidence condition. It is shown that our developed system is effective to discriminate the types and sizes of defects from basic experimental results using a microscatch and a PSL sphere.
We have calculated ultra-low energy silicon-self ion implantations and silicon damages through classical molecular dynamics simulation using empirical potentials. We tested whether the recently developed environment-dependent interatomic ptential (EDIP) was suitable for ultra low ion implantation simulation, and found that point defects formation energies were in good agrrement with other theoretical calculations, but the calculated vacancy migration energy was overestimated. The number of isolated defects that are produced by collision cascades are onlya few of the total number of defects, and fmost of the damages are concentrated into amorphous-like pockets.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2005.07a
/
pp.185-186
/
2005
Intrinsic gettering is usually used to improve wafer quality which is an important factor for reliable ULSI devices. The two-step annealing method was adopted in order to investigate interactions between oxygens and secondary defects during oxygen precipitation process in lightly and heavily boron doped silicon wafers with high energy $^{11}B^+$ ion implantation. Secondary defects were inspected nearby the projected range by high resolution transmission electron microscopy. Oxygen pileup was measured in the vicinity of the projected range by secondary ion mass spectrometry for heavily boron doped silicon wafers.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.