There are presented certain results on extending continuous linear operators defined on spaces of E-valued continuous functions (defined on a compact Hausdorff space X) to linear operators defined on spaces of E-valued measurable functions in a way such that uniformly bounded sequences of functions that converge pointwise in the weak (or norm) topology of E are sent to sequences that converge in the weak, norm or weak* topology of the target space. As an application, a new description of uniform closures of convex subsets of C(X, E) is given. Also new and strong results on integral representations of continuous linear operators defined on C(X, E) are presented. A new classes of vector measures are introduced and various bounded convergence theorems for them are proved.
A $5^{th}$-order low-pass filter (LPF) chip implemented in a six-layer low-temperature co-fired ceramic (LTCC) dielectric substrate has been presented. Lumped elements constituting the LPF are designed three-dimensionally in multilayers. In order to improve the parasitic and mutual coupling effects between them, the LPF is designed by sequentially integrating the three-dimensional (3D) lumped elements, by comparing it to the results of the schematic circuit and 3D electromagnetic (EM) analysis. The designed 3D LPF chip was fabricated in a six-layer LTCC substrate as small as $4.0{\times}3.22{\times}0.68mm^3$. The measured return and insertion losses are less than -11 dB and -0.61 dB, respectively, below 1.5 GHz.
In 2007, Huang and Zhang [1] introduced a cone metric space with a cone metric generalizing the usual metric space by replacing the real numbers with Banach space ordered by the cone. They considered some fixed point theorems for contractive mappings in cone metric spaces. Since then, the fixed point theory for mappings in cone metric spaces has become a subject of interest in [1-6] and references therein. In this paper, we consider some fixed point theorems for generalized nonexpansive setvalued mappings under suitable conditions in sequentially compact cone metric spaces and complete cone metric spaces.
Journal of information and communication convergence engineering
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제18권1호
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pp.1-7
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2020
This paper proposes a fast-processing and low-cost hardware multiple input multiple output (MIMO) channel emulator. The channel emulator is an important component of hardware-based simulation systems. The novelty of this work is the use of sharing and pipelining functions to reduce hardware resource utilization while maintaining a high sample rate. In our proposed emulator, the samples are created sequentially and interpolated to ensure the sample rate is equal to the base band rate. The proposed 4 × 4 MIMO requires low-cost hardware resource so that it can be implemented on a single field-programmable gate array (FPGA) chip. An implementation on Xilinx Virtex-7 VX980T was found to occupy 10.47% of the available configurable slice registers and 12.58% of the FPGA's slice lookup tables. The maximum frequency of the proposed emulator is 758.064 MHz, so up to 560 different paths can be processed simultaneously to generate 560 × 758 million × 2 × 32 bit complex-valued fading samples per second.
본 논문은 이너 포커싱 3군 줌렌즈에 대해 얇은 렌즈에서 두꺼운 렌즈로의 변환과정을 줌렌즈계 내에서 실행하는 복합렌즈계(얇은 렌즈+두꺼운 렌즈)의 개념을 적용하여 효과적이면서 신속한 초기설계 방법을 제안하였다. 즉, 복합렌즈계란 줌렌즈계의 전체 굴절능 및 줌렌즈계 내에 각 군의 굴절능, 군과 군사이의 주요면 간의 거리를 일정하게 유지하면서 하나 이상의 군들을 얇은 렌즈로 구성하고 다른 군을 얇은 렌즈에서 두꺼운 렌즈로 변환하는 과정을 갖는 반자동 최적화 설계방법이다. 순차적으로 얇은 렌즈로 구성된 다른 군들도 동일한 개념으로 두꺼운 렌즈로 변환이 가능하다. 결과적으로 본 개념을 적용하여 최적설계된 1/4" 5 M 이너 포커싱 3군 2배 줌렌즈는 폰 카메라용 줌렌즈로서 사양과 성능을 충분히 만족시켰다. 또한 렌즈를 비구면화하고, 렌즈의 형태에 따라 비구면 유리 및 플라스틱 재질을 적용하여 슬림화(전장 9.8 mm 이하) 및 고해상도 특성을 만족시키는 폰 카메라용 초소형 이너 포커싱 3군 2배 줌렌즈를 얻을 수 있었다.
페로부스카이트(Perovskite) 구조의 Pb(Zr,Ti)O3(PZT)는 우수한 강유전 특성으로 인해 유전체, 압전체, 초전체 재료로 널리 사용된다. Pb1.3(Zr0.52Ti0.48)O3조성의 스퍼터링 타겟을 제조하여 RF 마그네트론 스퍼터링 공정으로 PZT박막을 형성하였다. PZT박막은 동일 스퍼터링 출력으로 연속 제조한 단층형 PZT와 2단계화한 스퍼터링 출력으로 제조한 2층형 PZT박막으로 구분하여 제조하였다. 2층형의 PZT는 저출력의 스퍼터링 조건으로 제작한 하부층과, 단층형 PZT와 동일한 조건으로 제작한 상부층으로 이루어진다. 제조한 박막에 대한 엑스선 회절분석결과, 단층형 PZT에서는 페로부스카이트상(Perovskite Phase)과 미소한 파이로클로르상(Pyrochlore Phase)이 혼합된 상태로 존재하나, 2층형 PZT에서는 페로부스카이트상만이 검출되었다. 전자현미경과 원자힘 현미경으로 표면상태를 관찰한 결과, 2층형 PZT박막의 상부는 단층형에 비해 치밀하고 평활한 표면상태를 나타냈으며, 단층형에 비해 낮은 표면거칠기값(RMS)을 보였다. 또한 이층형 PZT는 단층형에 비해 우수한 대칭성의 분극곡선형태를 보였고, 단층형에 비해 매우 저감된 1×10-5 A/㎠ 이하수준의 누설전류 특성을 나타냈다. 이층형 PZT에서 보이는 이러한 현상은 치밀하게 형성한 하부 PZT층이 순차적으로 형성되는 상부PZT내의 미소 파이로클로르상 형성을 억제하여, 순수한 페로부스카이트상으로의 성장을 유도한 것으로 판단된다.
인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe막을 Cd 기판 위에 증착하였다. 기판온도, 태양전지의 유효면적, 그리고 CdTD막과 ITO막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막제조한 후 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성을 연구하였다. 최적기판온도와 CdTe 두께는 각각 $600^{\circ}C$와 5-6${\mu}m$이다. 근접승화 동안 기판온도를 변화시키는 경우는 Cds와 접합부에 CdTe의 입자크기를 증가시키기 위하여 CdTe 증착초기에 기판온도를 62$0^{\circ}C$로 유지한 후, 이로 인해 발생될수 있는 핀홀을 줄이기 위하여 $540^{\circ}C$로 낮게 기판의 온도를 떨어뜨린후 기존의 막질을 유지하기 위하여 추가적으로 $620^{\circ}C$에서 어닐링 시키는 "two-wave"온도 곡선을 사용하였을 때 단락전류밀도가 증가하였다. CdTe 막의 두께가 $6\mu\textrm{m}$보다 커지면 CdTe 의 벌크 저항이 커져 태양전지의 피라미터를 감소시켰다. 이때 CdTe 막의 비저항은 3$\times$$10^{4}$$\Omega$cm이었다. 태양전지의 유효면적이 증가함에 따라, 개방 전압은 일정하나 ITO면저항의 증가에 의해 단락 전류밀도와 충실도가 감소하였다. 본 연구에 ITO의 최적 두께는 300-450nm 이었다. 유효면적 0.5$\textrm{cm}^2$에서 9.4%의 효율을 얻을수 있었으며 충실도와 효율 증가를 위해서는 직결저항의 감소가 필수적임을 알았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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