Metal oxide semiconductor (MOS) based on spray-pyrolysis deposition technique has attracted large attention due to simple and low-cost processibility while preserving their intrinsic optical and electrical characteristics. However, their high process temperature limits practical applications. Here, we demonstrated the nc-ZnO/ZnO field-effect transistors (FETs) via spray-pyrolysis as incorporating ZnO nanocrystalline nanoparticles into typical ZnO precursor. The nc-ZnO/ZnO FETs exhibit good quality of electrical properties. Our experiments reveal that nc-ZnO in active layer enhance electrical characteristics.
Metal oxide semiconductor (MOS) adapting spray-pyrolysis deposition technique has drawn large attention based on their high quality of intrinsic and electrical properties in addition to simple and low-cost processibility. To fully utilize the merits of MOS field-effect transistors (FETs) , transparency, it is important to understand the instability behaviors of FETs under illumination. Here, we studied the photo-induced properties of nc-ZnO/ZnO field-effect transistors (FETs) based on spray-pyrolysis under illumination which incorporating ZnO nanocrystalline nanoparticles into typical ZnO precursor. Our experiments reveal that nc-ZnO in active layer suppressed the light instabilities of FETs.
α-pinene is a natural volatile organic compound secreted by coniferous trees to protect themselves from attacks by insects, microorganisms, and viruses. Recently, studies have reported that α-pinene possesses pharmacological effects on various biological reactions such as anxiolytic, sleep-enhancing, anti-nociceptive, and inflammatory activity. Thus, forest bathing has recently received great attention as a novel therapy for treating severe diseases as well as psychological issues. However, appropriate places and timings for effective therapies are still veiled, because on-site monitoring of α-pinene gas in forests is barely possible. Although portable chemosensors could allow real-time analysis of α-pinene gas in forests, the α-pinene sensing properties of chemosensors have never been reported thus far. Herein, we report for the first time, the α-pinene sensing properties of an oxide semiconductor gas sensor based on rhombohedral In2O3 (h-In2O3) nanoparticles prepared by a microwave-assisted hydrothermal reaction. The h-In2O3 nanoparticle sensor showed a high response to α-pinene gas at ppm levels, even under humid conditions (for example, relative humidity of 50 %). The purpose of this research is to identify the potential of oxide semiconductor gas sensors for implementing portable devices that can detect α-pinene gas in forests in real-time.
Ji, Guanglei;Chen, Kuang-Cai;Yang, Yan-Gang;Xin, Guoqing;Lee, Yong-Ill;Liu, Hong-Guo
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.31
no.9
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pp.2547-2552
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2010
CdS nano-particulate films were prepared at the air/water interface under Langmuir monolayers of arachidic acid (AA) via interfacial reaction between $Cd^{2+}$ ions in the subphase and $H_2S$ molecules in the gaseous phase. The films were made up of fine CdS nanoparticles with hexagonal Wurtzite crystal structure after reaction. It was revealed that the formation of CdS nano-particulate films depends largely on the experimental conditions. When the films were ripened at room temperature or an increased temperature ($60^{\circ}C$) for one day, numerous holes were appeared due to the dissolution of smaller nanoparticles and the growth of bigger nanoparticles with an improved crystallinity. When the films were ripened further, CdS rodlike nanoparticles with cubic zinc blende crystal structure appeared due to the re-nucleation and growth of CdS nanoparticles at the stacking faults and defect structures of the hexagonal CdS grains. These structures were characterized by transmission electron microscopy (TEM), high-resolution TEM (HRTEM), and X-ray diffraction (XRD). These results declare that CdS semiconductor nanoparticles formed at the air/water interface change their morphologies and crystal structures during the ripening process due to dissolution and recrystallization of the particles.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.285-285
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2010
Zinc oxide (ZnO) is a direct band gap semiconductor with 3.37 eV, which has in a hexagonal wurtzite structure. ZnO is a good candidate for a photocatalyst because it has physical and chemical stability, high oxidative properties, and absorbs of ultraviolet light. During ZnO is irradiated by UV light, redox (reduction and oxidation) reactions will occur on the ZnO surface, generating the radicals O2- and OH. These two powerful oxidizing agents have been proven to be effective in decomposition of harmful organic materials, converting them into CO2 and H2O. Therefore, we assume that oxygen on the surface of ZnO is a very important factor in the photocatalytic activities of ZnO nanoparticles. Recently, ZnO nanoparticles are studied in various application fields by many researchers. Photocatalyst research is progressing much in various application fields. But the ZnO nanoparticles have disadvantage that is unstable in water in comparison titanium dioxide (TiO2). The Zn(OH)2 was formed at the ZnO surface and ZnO become inactive as a photocatalyst when ZnO is present in the solution. Therefore, we prepared synthesized ZnO nanoaprticles that were immersed in the water and dried in the oven. After that, we measured photocatalytic activities of prepared samples and find the cause of their phtocatalytic activity changes. The characterization of ZnO nanoparticles were analyzed by Scanning Electron Microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and BET test. Also we defined the photocatalytic activity of ZnO nanoparticles using UV-VIS Spectroscopy. And we explained changing of photocatalytic activity after the water treatment using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS).
We have demonstrated the production of thin films containing multilayer graphene-coated copper nanoparticles (MGCNs) by a commercial electrodeposition method. The MGCNs were produced by electrical wire explosion, an easily applied technique for creating hybrid metal nanoparticles. The nanoparticles had average diameters of 10-120 nm and quasi-spherical morphologies. We made a complex-electrodeposited copper thin film (CETF) with a thickness of $4.8{\mu}m$ by adding 300 ppm MGCNs to the electrolyte solution and performing electrodeposition. We measured the electric properties and performed corrosion testing of the CETF. Raman spectroscopy was used to measure the bonding characteristics and estimate the number of layers in the graphene films. The resistivity of the bare-electrodeposited copper thin film (BETF) was $2.092{\times}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm$, and the resistivity of the CETF after the addition of 300 ppm MGCNs was decreased by 2% to ${\sim}2.049{\times}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm$. The corrosion resistance of the BETF was $9.306{\Omega}$, while that of the CETF was increased to 20.04 Ω. Therefore, the CETF with MGCNs can be used in interconnection circuits for printed circuit boards or semiconductor devices on the basis of its low resistivity and high corrosion resistance.
Eunyong Seo;Kyungjae Lee;Jeong Ha Hwang;Dong Hyun Kim;Jaehoon Lim;Donggu Lee
Journal of Sensor Science and Technology
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v.32
no.6
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pp.455-461
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2023
We investigated the electrical characteristics of ZnO nanoparticles (NPs) with air exposure that is a widely used electron transport layer for quantum dot light-emitting diodes (QLEDs). Upon air exposure, we observed changes in the density of states (DOS) of the trap levels of ZnO NPs. In particular, with air exposure, the concentration of deep trap energy levels in ZnO NPs decreased and electron mobility significantly improved. Consequently, the air-exposed ZnO reduced leakage current by approximately one order of magnitude and enhanced the external quantum efficiency at the low driving voltage region of the QLED. In addition, based on the excellent conductivity properties, high-brightness QLEDs could be achieved.
Park, Heesun;Kim, Jongmin;Jung, Young Hee;Kim, Yeong Il
Journal of the Korean Chemical Society
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v.61
no.2
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pp.57-64
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2017
Monoclinic $VO_2(M)$ nanoparticles codoped with 1.5 at. % W and 2.9 at. % Mg were synthesized by the hydrothermal treatment and post-thermal transformation method of $V_2O_5-H_2C_2O_4-H_2O$ with $Na_2WO_4$ and $Mg(NO_3)_2$. The composite thin film of the W/Mg-codoped $VO_2(M)$ with a commercial acrylic block copolymer was also prepared on PET substrate by wet-coating method. The reversible phase transition characteristics of the codoped $VO_2(M)$ nanoparticles and the composite film were investigated from DSC, resistivity and Vis-NIR transmittance measurements compared with the undoped and Wdoped $VO_2(M)$ samples. Mg-codoping into W-doped $VO_2(M)$ nanoparticles synergistically enhanced the transition characteristics by increasing the sharpness of transition while the transition temperature ($T_c$) lowered by W-doping was maintained. The codoped composite film showed the prominently enhanced NIR switching efficiency compared to only W-doped $VO_2(M)$ film with a lowered $T_c$.
We investigated a new method for patterning organic field-effect transistors (OFETs) using a photopatternable conducting polymer nanocomposite, consisting of poly(3-hexylthiophene) (P3HT)-coated gold nanoparticles (AuNPs) that had been modified with a photoreactive cinnamate group, to form P3HT-AuNP-CI. We found that the addition of the cinnamate group to the nanoparticle surface assisted the preparation of a solvent-resistive semiconducting film and preserved the P3HT ordering, which was interrupted by Au-P3HT interactions, as well as provided UV-controllable electrical properties. The P3HT-AuNPs-CI films could be microscale-patterned via a UV crosslinking photoreaction, represented as a promising photopatternable semiconductor material for use in advanced applications, with tunable electrical properties for fabrication of sub-micron and microscale electronic devices.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.160-160
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2009
In recent years, the merging of nanomaterials and nano-technology into electro-optic (EO) device technology such as liquid crystal displays (LCDs) has attracted much attention because of their unique electro- and magneto-optic properties and novel display applications. One example of hybrid LC-inorganic systems is semiconductor nanorods added to LC for their strong reorientation effect and tunable refractive index. Doping of nanoparticles in LC or polymers can lead to changes in performance characteristics such as electro-optical, dielectric, memory effect, phase behavior, etc. Due to the tunability of LCDs with mixed inorganic materials, low voltage operation of a LC system can also be achieved using the significant electro-optical effect achieved through suspension of ferroelectric nanoparticles in NLC.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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