다중벽탄소나노튜브를 표면처리하여 polymethylmethacrylate (PMMA) 기재에 첨가하여 제조한 고분자 복합재료에서 탄소나노튜브의 표면처리가 계면 및 열전도도에 미치는 효과를 고찰하였다. Coagulation 방법과 atomic transfer radical polymerization (ATRP) 방법을 사용하여 탄소나노튜브를 표면 처리 하여 사용하였으며, ATRP 방법을 적용하여 제조한 복합재료는 coagulation 방법을 사용하여 제조한 복합재료보다 높은 열전도도와 투과도를 가졌다. 순수 PMMA의 열전도도가 0.21 W/mK인데 비하여 ATRP 방법으로 처리한 1 wt%의 탄소나노튜브를 첨가하였을 경우 0.38 W/mK로 열전도도가 향상되었다. 탄소나노튜브와 PMMA기재의 계면을 주사전자현미경을 이용하여 관찰한 결과 탄소나노튜브의 표면처리에 의해 기재 내에 분산이 향상되고 고분자기재-탄소나노튜브 계면에서의 접촉이 용이해져 포논산란이 감소되어 광 투과성을 가지면서 열전도도가 향상된 것으로 보인다.
IPO(Iterative Physical Optics) 방법은 대규모 물체의 산란파를 효과적으로 계산하는 고주파 근사 방법 중 하나인 PO(Physical Optics) 방법을 반복적으로 적용하는 계산방법이다. IPO 방법은 일차(first-order) PO 방법에서는 고려하지 못하는 다중 반사를 고려할 수 있어, 산란체 표면에 여기되는 전류의 정확도를 높일 수 있다. 그러므로 산란체의 RCS(Radar Cross Section)를 보다 정확하게 예측할 수 있다. 그러나 IPO 방법은 필요한 적분방정식을 정확하게 풀지 않아 수렴성에 문제가 생긴다. 그러므로 본 논문에서는 IPO 방법의 수렴성을 조절하기 위해, 행렬연산에 사용하는 Jacobi, Gauss-Seidel, SOR(Successive Over Relaxation) 그리고 Richardson 방법을 IPO 방법에 적용하였다. 그러므로 대규모 물체의 RCS 계산을 제안된 IPO 방법을 사용하여 효율적으로 계산할 수 있다. 또, 이들의 정확도를 시뮬레이션을 통해 검증하였다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제9권6호
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pp.725-728
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2011
Infrared transmission images from GaAs semi insulating wafers were considered for years as directly related to the quantum absorption by electrons on fundamental states of deep centers, especially EL2. The satisfying correspondence of these images with the dislocations revealed by etching or X ray topography or infrared tomography led to the opinion that a strong concentration of EL2 centers was to be expected in the immediate vicinity of the dislocations. More recent work indicates that contrary to the expected behavior the photoqu$\acute{e}$nching of transmission images at T=80K does not appreciably change the image structure itself but more largely the uniform background level of absorption. Such investigations show that the transmission images of isolated dislocations (Indium doped materials) or cell structures of tangled dislocations (undoped materials) can be partly attributed to scattered light; similar operation at T=10K removes the dark features associated to EL2 but still preserves the skeleton of the pattern which is due to scattering. A result of the measurements is that dislocations must not be considered any longer as inexhaustive EL2 reservoirs. The lifetime of the photoqu$\acute{e}$nching mechanism is shown to vary differently for EL2 centers located close to the dislocations or in the matrix. In this paper we will develop the details of infrared image photoqu$\acute{e}$nching experiments in the vicinity of dislocations; undoped and In doped GaAs materials will be shown. These results will be discussed in the light of surface etching experiments.
MoM은 대표적인 적분방정식기반 full-wave simulation 방법이며, 이는 MLFMM 방법을 적용하여 효율적으로 계산될 수 있다. MoM 또는 MLFMM 방법에서 대규모 산란체 표면전류를 계산하는 과정에는 주로 반복법들이 사용된다. 이 가운데 BiCGstab(l)은 l값이 증가할수록 반복횟수는 줄어들지만, 반복당 수행되는 연산횟수가 증가하는 특징이 있다. 본 논문에서는 MLFMM 방법에 적용된 BiCGstab(l) 반복법의 l값에 따른 수렴속도와 연산량을 분석한 후, 효율적인 l값을 제안한다.
유전체 세라믹 도파관 필터를 설계할 수 있는 DWFD 프로그램이 ${\lambda}/2$ 스텝 임피던스 타입의 직접 결합 도파관 필터 이론을 사용하여 개발되었다. 1 GHz 대역의 필터 크기를 줄이기 위하여 3차원 적층 형태로 설계하였다. 이에 필요한 S-매개변수값은 개발한 프로그램을 이용하였다. 적층형에 필요한 인덕티브 아이리스들의 치수는 HFSS 시뮬레이션 도구를 사용하였다. 필터는 중심 주파수 881.5 MHz에서 25 MHz 대역폭을 가지는 8단으로 설계하였다. 설계된 도파관 필터는 유전율 35.4의 세라믹을 사용하여 크기를 폭 50 mm에 높이 48 mm로 제작하였다. 측정한 주파수 반응은 시뮬레이션 결과와 일치하였다. 개발한 시뮬레이션 프로그램을 통하여 원하는 형태의 유전체 세라믹 도파관 필터를 쉽고 효율적으로 설계, 제작이 가능하도록 하였다.
Si 기판 위에 3종의 Pt-Co 합금박막 (Pt66-Co34, Pt40-Co60, Pt18-Co82)과 순수한 Pt, Co 박막 시료를 제작하여 표면 조성분석의 정량화 및 표준화를 위한 표준시료로 제안하 였다. in-istu X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)분석에 의해 증착된 이원 합금박막의 조성이 정확히 조절되었으며, 합금박막의 실제 조성은 유도결합플라즈마-원자방출분광법 (inductively coupled plasma-atomic emission spectroscopy: ICP-AES)과 러더퍼드 후방산 란분광법(Ruthford back-scattering spectrometry: RBS)에 의해 결정되었다. in-situ XPS 결과와 ICP에 의한 조성을 비교한 결과 매질 효과를 고려하면 비교적 정확한 조성을 구할 수 있음이 확인되었다. 이 시료를 이용한 XPS와 Auger electron spectroscopy(AES)에 의한 국내 공동분석 결과는 약4%내외의 큰 편차를 보이고 있지만, 평균 조성 값은 약1%의 오차 범위 내에서 두 방법에 의한 결과가 서로 잘 일치하였다. 이온빔 스퍼터링에 의해 Pt조성이 증가된 표면층이 형성되어 정확한 조성분석을 위해서는 선택스퍼터링에 의한 표면 변형을 정량적으로 함을 알았다.
포항광가속기의 섹터 진공용기에 부착된 빔위치측정기의 수직방향 위치 읽음 값이 갑자기 변하는 오류가 관찰되었다. 이 오류의 원인을 알기 위해서 섹터 진공용기의 양 끝단에 있는 빔위치측정기의 전극을 통한 고주파전달 산란계수를 측정하였다. 급한 변화를 보이는 섹터 진공용기에서는 측정한 산란계수의 첨단 값이 빔위치측정기의 작동 주파수 내에 존재함을 확인하였고, 전산시늉을 통해 빔위치측정기의 작동 주파수내 첨단 주파수가 가로 전장 모드의 공진모드와 일치함을 확인하였다.
Spectroscopic investigation of Si quantum dots (Si-QDs) embedded in silicon nitride was performed over a broad stoichiometry range to optimize light emission. Plasma-enhanced chemical vapor deposition was used to grow the $SiN_x$ films on Si (001) substrates. The film composition was controlled via the flow ratio of silane ($SiH_4$) and ammonia ($NH_3$) in the range of R = 0.45-1.0 allowed to vary the Si excess in the range of 21-62 at.%. The films were submitted to annealing at $1100^{\circ}C$ for 30 min in nitrogen to form the Si-QDs. The properties of as-deposited and annealed films were investigated using spectroscopic ellipsometry, Fourier transform infrared spectroscopy, Raman scattering and photoluminescence (PL) methods. Si-QDs were detected in $SiN_x$ films demonstrating the increase of sizes with Si excess. The residual amorphous Si clusters were found to be present in the films grown with Si excess higher than 50 at.%. Multi-component PL spectra at 300 K in the range of 1.5-3.5 eV were detected and nonmonotonous varying total PL peak versus Si excess was revealed. To identify the different PL components, the temperature dependence of PL spectra was investigated in the range of 20-300 K. The analysis allowed concluding that the "blue-orange" emission is due to the radiative defects in a $SiN_x$ matrix, whereas the "red" and "infrared" PL bands are caused by the exciton recombination in crystalline Si-QDs and amorphous Si clusters. The nature of radiative and no radiative defects in $SiN_x$ films is discussed. The ways to control the dominant PL emission mechanisms are proposed.
The effect of heat treatment on mechanical properties of 0.4C-2.3Si(wt%) steel with bainitic ferrite matrix were investigated. This steel has been synthesized intergrating concepts from TRIP(Transformation Induced Plasticity) steel & Austempered Ductile Cast Iron(ADI) technology. The low alloy medium carbon (0.4 %C) steel with high silicon (2.3 %Si) was initially annealed for 60 min at $800^{\circ}C$, $820^{\circ}C$ and $840^{\circ}C$ respectively in the intercritical region and then subsequently austempered at various temperatures at $260^{\circ}C$, $320^{\circ}C$ and $380^{\circ}C$ for 30 min in a salt bath. The mechanical properties were measured by using a tensile test. A detailed study of the microstructure of this steel after heat treatment was carried out by means of electron back scattering diffraction (EBSD) technic. In this study, a new low alloy steel with high strength (780~1,050MPa) and exceptionally high ductility (20~40%) was obtained.
This steel has been synthesized integrating concepts from Austempering Ductile Cast Iron (ADI) technology. While ADI has excellent mechanical and physical properties, the Young's modules of ADI is approximately 20% lower than steel. In addition, the presence of graphite nodules in ADI can be sites of crack initiation, where fracture takes place at graphite matrix interface. Because of this limitations of ADI, there has been a growing interest in austempered steels as structural materials in resent years. In this investigation, a new steel with microstructure composed of ferrite and austenite and with simultaneous high tensile strength (1,150 MPa) and high ductility (33%) was developed. The goal of this investigation is to obtain a better understanding of deformation and transformation behaviour in high carbon retained austenite(${\gamma}_{HC}$) and over-saturated ferrite(${\alpha}$) during the plastic deformation. A detailed study of the microstructure of this steel was carried out by means of X-ray diffraction (XRD) and electron back scattering diffraction (EBSD) technic. In this way it was shown that BCC phase (BCC) took up the larger part of the nominal strain whereas the a part of retained austenite responded to the mechanincal load by partial martensite transformation, and misorientation change in the retained austenite after plastic strain could be attributed to the large elongation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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