• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1488-1490
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• 2000

ZnO:Cu thin films are deposited by using an RF magnetron co-sputtering system with Cu chips attached on ZnO target. Structural and electrical properties are analyzed as a function of deposition conditions, such as Cu chip areas, $O_2/(Ar+O_2)$ ratios, and working pressures, The results show that a higher electrical resistivity above $10^{10}$ ${\Omega}cm$ along with an excellent c-axial growth can be easily achieved by Cu-doping. SAW filters based on the ZnO:Cu films are also fabricated to estimate the electric-mechanical coupling coefficient($K^{2}_{eff}$). Higher $K^{2}_{eff}$ and lower insertion losses are observed for ZnO:Cu films, compared with those for ZnO films.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.34-35
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• 2006

Transparent ZnO thin film transistor (TFT) is fabricated on the glass substrates. The device consists of a high mobility intrinsic ZnO as a semiconductor active channel, Ga doped ZnO (GZO) as an electrode, $HfO_2$ as a gate insulator. GZO and $HfO_2$ layers are prepared by using a pulsed laser deposition and intrinsic ZnO layers are fabricated by using an rf-magnetron sputtering, respectively. The transparent TFT is highly transparent (> 87 %) and exhibits n-channel, enhancement mode behavior with a field-effect mobility as large as $11.7\;cm^2/Vs$ and a drain current on-to-off ratio of about $10^5$.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.54-58
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• 2002

The present paper is to investigate the phase stability and soft magnetic properties of amorphous CoNbZr films when Pd is added as a substitution for CoNbZr alloys. The films were prepared by a RF magnetron sputtering method. The CoNbZrPd films deposited on Si wafers exhibited amorphous structures being independent upon the amount of Pd added in the films. On the addition of 4.34% Pd, the excellent soft magnetic characteristics of the films were observed with a coercive force of 0.54 Oe and an anisotropy field of 11 Oe, whereas a coercive force of 1 Oe and an anisotropy field of 3.5 Oe were shown in the film without the addition of Pd. The increased anisotropy field and low coercive force of the films may be attributed to the occupancy of Pd in the preferred sites parallel to the external magnetic field applied on the deposition process. A permeability of about 1100 was kept constant in the operation frequency ranging up to 100 MHz, which can be explained by the Landau-Lifshitz formula.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권4호
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• pp.25-29
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• 2010

We have investigated the effect of surface roughness of TCO substrate on the characteristics of OLED (organic light emitting diodes) devices. In order to control the surface roughness of AZO thin films, we have processed photo-lithography and reactive ion etching. The micro-size patterned mask was used, and the etching depth was controlled by changing etching time. The surface morphology of the AZO thin film was observed by FESEM and atomic force microscopy (AFM). And then, organic materials and cathode electrode were sequentially deposited on the AZO thin films. Device structure was AZO/${\alpha}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al. The DPVB was used as a blue emitting material. The electrical characteristics such as current density vs. voltage and luminescence vs. voltage of OLED devices were measured by using spectrometer. The current vs. voltage and luminance vs. voltage characteristics were systematically degraded with increasing surface roughness. Furthermore, the retention test clearly presented that the reliability of OLED devices was directly influenced with the surface roughness, which could be interpreted in terms of the concentration of the electric field on the weak and thin organic layers caused by the poor step coverage.

• 한국자기학회지
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• 제9권5호
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• pp.256-262
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• 1999

DC/RF magnetron sputtering system을 이용하여 CoCr 박막 및 CoCrMo 박막의 Si 하지층의 도입에 따른 자기적 특성 및 미세구조의 변화에 대해 살펴보았다. 박막의 자기적 특성을 VSM을 통하여 측정한 결과, 고온에서 증착된 CoCrMo/Si 박막의 경우가 CoCr/Si 박막과는 달리 Si 하지층의 두께가 증가할수록 수직보자력값이 증가하는 것을 알 수 있었으며 AFM과 SEM을 이용한 surface morphology의 변화를 통하여 결정립 미세화와 균일화가 수직보자력을 증진시킴을 알 수 있었다. 또한, 박막의 결정배향성 및 미세구조를 XRD와 SEM을 통하여 관찰한 결과, CoCrMo/Si 박막의 (0002)우선 배향성이 CoCr/Si 박막의 (0002) 우선 배향성보다 상당히 크게 증진된 것을 볼 수 있었으며, SEM의 단면 측정을 통하여 CoCrMo/Si 박막과 CoCr/Si 박막의 기판 표면에서 성장하는 columnar 구조의 발달을 잘 관찰할 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.23.1-23.1
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• 2009

Transparent thin film transistor(TTFT)는 기존의 디스플레이가 가지고 있는 공간적, 시각적 제약을 해소하는 것이 가능하며, 이는 디스플레이 산업 및 기술이 지향하는 대면적, 저가격, 공정의 단순함을 해결해 줄 수 있기 때문에 최근 TTFT에 관한 연구가 급증하고 있다. 산화물 기반의 TFT는 유리, 금속, 플라스틱 등등 그 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 산화물을 기반으로 하는 TFT 연구가 많이 이루어지고 있다. 현재 TTFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물은 ZnO(3.4 eV)나 $InO_x$(3.6 eV), $GaO_x$(4.9 eV), $SnO_x$(3.7 eV)등의 물질과 각각의 조합으로 구성된 재료들이 주로 사용되고 있다. 가장 많은 연구가 이루어진 ZnO 기반의 TFT는 mobility와 switching 속도에서 우수한 특성을 보이나, amorphous ZnO 기반의 TFT의 경우 소자의 안정성이 떨어지는 것으로 보고되고 있다. 따라서 본 연구에서는 ZnO 보다 넓은 bandgap energy를 가질 수 있으며, n-type 특성을 보이고, amorphous 구조로 제작 가능한 IGZO 물질을 사용하여 RF magnetron sputtering 방법으로 박막 증착 온도의 변화를 주어 증착하였고, 증착된 IGZO 박막의 열처리를 통해 이에 따른 특성 변화를 분석하였다. Field emission scanning electron microscope(FESEM)와 surface profiler를 이용하여 IGZO 박막의 표면의 형상과 두께를 확인하였으며, x-ray diffraction(XRD) 분석을 통해 박막의 결정학적 특성을 관찰하였다. TTFT 물질로서 IGZO 박막의 적합성 여부를 확인하기 위하여 TFT를 만든 후 I-V를 측정하였으며, UV-vis를 이용하여 IGZO 박막의 투과율을 분석하여 TTFT로의 응용 가능성을 확인하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2005년도 동계학술연구발표회 및 2차 아시안포럼
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• pp.154-155
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• 2005

Multi-layer film of $MgO/(FePt-B)_{50nm}/ MgO$ was deposited on Si(100) substrates by RF magnetron sputtering. The boron chips were uniformly placed oil tile FePt target. The boron content of thin film was found to be about 5, 10, 15, 25 and $33 at\%$ by using a CAMECA SX-51 wavelength dispersive spectroscopy (WDX). It is observed that X-ray diffraction patterns of FePt-B film by post-annealing exhibited a transformation from disordered fcc structure to ordered $Ll_0$ phase with fct structure from around $400^{\circ}C$. By adding B, annealing temperature for ordering is about $200^{\circ}C$ lower than that of pure FePt. This remarkable decrease of the annealing temperature is closely related to the high diffusivities of Fe and Pt associated with the defects caused by movements of B atoms. The maximum coercivity(Hc) for FePt films was found to be ${\~}$13 kOe after annealing at $600^{\circ}C$ for 1hr.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권2호
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• pp.26-29
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• 2017

Thin films of europium-doped yttrium oxide ($Y_2O_3$:Eu) were prepared on Si (100) substrates by using a radio frequency (RF) magnetron sputtering. After the deposition, the films were annealed at $1000^{\circ}C$ in an air ambient for 1 hour. X-ray diffraction analysis revealed that the $Y_2O_3$:Eu films had a polycrystalline cubic ${\alpha}-Y_2O_3$ structure. The as-deposited films showed no photoluminescence (PL), which was due to poor crystalline quality of the films. The crystallinity of the $Y_2O_3$:Eu films was significantly improved by annealing. The strong red PL emission was observed from the annealed $Y_2O_3$:Eu films and the highest intensity peak was centered at around 613 nm. This emission peak originated from the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ transition of the trivalent Eu ions occupying the $C_2$ sites in the cubic ${\alpha}-Y_2O_3$ lattice. The broad PL excitation band was observed at wavelengths below 280 nm, which was attributed to the charge transfer transition of the trivalent Eu ion.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
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• pp.64-65
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• 1993

MPB 조성영역인 Zr/Ti=52/48의 composite ceramic target을 사용하여 RF magnetron sputtering 방법으로 기판온도 약 30$0^{\circ}C$에서 RZT 박막을 Pt/Ti/Si 기판위에 증착시켰다. 안정상인 perovskite 구조를 형성시키기 위하여 PbO분위기에서 furnace annealing 과 Repid thermal annealing을 실시하여 열처리 방법에 따른 상형성 및 계면반응과 그에 따른 전기적 특성을 고찰 하였다. Pt 의 두께가 250$\AA$인 경우 furnace annealing 시 $650^{\circ}C$에서 perouskite 상이 형성되었으나 Pt층이 산소의 확산을 방지하지 못하여 상부의 Ti 층이 TiOx로 변태하였으며 하부의 Ti는 Si 과 반응하여 Ti-silicide 롤 변태하였다. 또한 75$0^{\circ}C$,60sec 인 경우 Pt 층의 응집화가 관찰되어 하부전극으로서 적용이 적절하지 못하다. 급속열처리를 실시한 경우에도 마찬가지로 Ti 층이 TiOx 와 silicide 층으로 변태되었다. Pt의 두께가 1000$\AA$인 경우에도 250$\AA$와는 달리 RTA 시 (III)방향으로 Furace annealing 시(001)방향으로 우선 성장하였다. 이는 Ti(001), P(111),PZT(111)면의 lattic mismatch 가 매우 작은데다 RTA 시 계면반응이 거의발생하지 않아 PZT 박막이 (111) 방향으로 우선 성장한 것으로 보인다. Furnace annealing 경우는 심한 계면반응이 발생하여 Pt층에 어느 정도 영향을 주었기 때문에 우선성장 방향이 바뀌었다구 생각한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.47-50
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• 2000

This paper investigated structural and electrical properties of $Y_2$ $O_3$ as a buffer layer of single transistor FRAM (ferroelectric RAM). $Y_2$ $O_3$ buffer layers were deposited at a low substrate temperature below 40$0^{\circ}C$ and then RTA (rapid thermal anneal) treated. Investigated parameters are substrate temperature, $O_2$ partial pressure, post-annealing temperature, and suppression of interfacial $SiO_2$ layer generation. For a well-fabricated sample, we achieved that leakage current density ( $J_{leak}$) in the order of 10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$, breakdown electric field ( $E_{br}$ ) about 2 MV/cm for $Y_2$ $O_3$ film. Capacitance versus voltage analysis illustrated dielectric constants of 7.47. We successfully achieved an interface state density of $Y_2$ $O_3$/Si as low as 8.72x1010 c $m^{-2}$ e $V^{-1}$ . The low interface states were obtained from very low lattice mismatch less than 1.75%.