The output voltage value of AC high voltage source has been usually obtained by multiplying low voltage value measured at both terminals of low voltage resistor by the dividing ratio of the high voltage capacitive divider. From the dividing ratio determined of each 200 kV capacitive divider, we have developed step-up method for measuring the output voltage up to 400 kV using two same type of 200 kV capacitive dividers connected in series. The theoretical dividing ratio of 400 kV capacitive dividers connected in series coincides with that of manufacturer's certification within measurement uncertainty. Thus, this developed step-up method makes it possible to extend the range of output voltage from 200 kV to 400 kV. Furthermore, The dividing ratio of divider under test obtained using this step-up method is consistent with that obtained using one 200 kV high voltage divider within corresponding uncertainties.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제10권1호
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pp.28-34
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2010
This paper introduces a new U.S. ultra-wideband(UWB: 3.1~10.6 GHz) 1:2 power divider based on a single section Wilkinson type configuration. The divider provides very flat in-band power splitting, high isolation, low insertion loss, sharp roll-off bandpass filtering, and DC blocking characteristics. The circuit consists of a $\lambda$/4 Y resonator, three capacitively coupled $\lambda$/2 short-circuited lines, and a resistor between the two output ports. The circuit structure was simulated with ADS and HFSS, and realized with low-temperature co-fired ceramic(LTCC) green tape, which has a dielectric constant of 7.8. $|S_{11}|$ better than 10 dB, $|S_{21}|$ and $|S_{31}|$ less than 3.2 dB, with both $|S_{22}|$ and $|S_{32}|$ measured as better than 12 dB for the whole UWB band. Measurement results agree closely with HFSS simulation results. The power divider has a compact size of $4\times9\times0.6mm^3$.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제8권3호
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pp.129-133
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2008
An integrated passive device(IPD) technology by semi-insulating(SI)-GaAs-based fabrication has been developed to meet the ever increasing needs of size and cost reduction in wireless applications. This technology includes reliable NiCr thin film resistor, thick plated Cu/Au metal process to reduce resistive loss, high breakdown voltage metal-insulator-metal(MIM) capacitor due to a thinner dielectric thickness, lowest parasitic effect by multi air-bridged metal layers, air-bridges for inductor underpass and capacitor pick-up, and low chip cost by only 6 process layers. This paper presents the Wilkinson power divider with excellent performance for digital cellular system(DCS). The insertion loss of this power divider is - 0.43 dB and the port isolation greater than - 22 dB over the entire band. Return loss in input and output ports are - 23.4 dB and - 25.4 dB, respectively. The Wilkinson power divider based on SI-GaAs substrates is designed within die size of $1.42\;mm^2$.
In this paper, a novel unequal broadband out-of-phase power divider (PD) is presented. Double-sided parallel-strip lines (DSPSLs) are employed to achieve an out-of-phase response. Also, an asymmetric dual-band matching structure with two external isolation resistors is utilized to obtain arbitrary unequal power division, in which the resistors are directly grounded for heat sinking. A through ground via (TGV), connecting the top and bottom sides of the DSPSLs, is used to short the isolation components. Additionally, this property can efficiently improve the broadband matching and isolation bandwidths. To investigate the proposed divider in detail, a set of design equations are derived based on the circuit theory and transmission line theory. The theoretical analysis shows that broadband responses can be obtained as proper frequency ratios are adopted. To verify the proposed concept, a sample divider with a power division of 2:1 is demonstrated. The measured results exhibit a broad bandwidth from 1.19 GHz to 2.19 GHz (59.2%) with a return loss better than 10 dB and port isolation of 18 dB.
본 논문은 출력 포트 사이의 물리적인 분리와 전기적 격리도를 개선시킨 비대칭 분배기기의 설계와 성능을 나타낸 것이다. 이 분배기는 입력 포트와 연결된 두 개의 ${\lambda}/4$ 전송선로의 중앙에 격리소자 저항 $18{\Omega}$과 캐패시터 0.7 pF를 직렬로 연결하여 출력 포트 사이에 격리도를 높였고, 출력 포트가 다른 회로에 연결이 쉽도록 하는 설계 방법을 제시하였다. 이러한 설계는 출력포트의 격리도를 물리적으로 향상시켜주며, 이 분배기와 다른 회로가 연결 될 때 별도의 전송선로가 필요 없이 연결할 수 있는 특징을 갖고 있다. 이러한 특성을 확인하기 위하여 중심 주파수 2 GHz에서 4:1 비대칭 분배기를 설계하였고 측정된 결과는 반사계수가 17 dB 이상, 삽입손실은 1.5 dB 와 7.7 dB, 그리고 격리도는 18 dB 이상 특성을 얻었다. 이러한 전기적 특성은 시뮬레이션 결과와 일치함을 확인하였다.
A new 8-bit single-slope ADC using analog RAMP generator with digitally controllable dynamic range has been proposed and simulated for column level or per-pixel CMOS image sensor application. The conversion gain of ADC can he controlled easily by using frequency divider with digitally controllable diviber ratio, coarse/fine RAMP with class-AB op-amp, resistor strings, decoder, comparator, and etc. The chip area and power consumption can be decreased by simplified analog circuits and passive components. Proposed frequency divider has been implemented and verified with 0.65um, 2-poly, 2-metal standard CMOS process. And the functional verification has been simulated and accomplished in a 0.35$\mu$m standard CMOS process.
Nowadays, the research on the system integration using various technologies, like MCM-C, MCM-L and MCM-D. Especially, MCM-D technology is suitable for mmwave application due to its high resolution of patterning and thermal property similar to that of semiconductor devices. In this work, integrated passive devices like inductor, capacitor and resistor are evaluated on the GaAs substrate and their characteristics are examined. And finally, the Wilkinson power divider using lumped IPD are evaluated on GaAs substrate and it shows low insertion loss below 0.5 dB and the isolation over 15 dB.
본 논문에서는 마이크로파대 광대역 다단 평면형 전력분배기의 설계방법과 구조를 새로이 제안하였다. 제시된 마이크로파 광대역 전력분배기의 설계과정은 평면형 다단 3-포트 하이브리드와 도파관트랜스포머 설계로 구성되었다. 다단 전력분배기는 최적화된 λ/4 트랜스포머 설계이론에 근거를 두고 있다. 두 인접 출력포드의 광대역 격리 특성을 얻기위해, 기모드 등기회로는 저항 같은 손실소자를 사용하여 정합되어야 한다. 기모드 정합소자 값을 계산하기 위한 설계공식은 단일 종단 여파기 설계이론으로부터 유도하였다. 도파관 트랜스포머단의 형상은 하우징 금속전계벽의 영향으로 인한 도파관 모드와 같은 고차모드의 전파를 억제하기 위해 설계되었다. 따라서, 설계된 각각의 도파관 트랜스포머단에서는 제안된 마이크로파 광대역 전력 분배기의 동작주파수 영역에서 모두 감쇄모드(evanescent mode)로 동작하여야 한다. 본 논문에서는 제안된 마이크로파 광대역 전력분배기의 검증을 위해, 다단 전력 분배기의 시뮬레이션과 실험 결과들을 제시하였다. 시뮬에이션과 실험 결과는 다단 전력분배기의 우수한 성능을 보여준다.
본 논문은 단일 전송선로의 전기적 길이만을 조정한 비대칭 분배기 설계를 나타내었다. 이 분배기는 3개의 단일 전송선로와 고립 저항 1개 그리고 입력과 출력의 포트 종단 임피던스가 서로 다른 형태로 구성되어 있다. 분배기의 특징은 입출력 포트 그리고 출력 포트와 고립저항 사이에 연결된 단일 전송선로의 전기적 길이를 조정하여 출력 포트의 분배비율을 조정하였다. 이러한 분배기의 설계 방법을 확인하기 위해서 1:2 분배 비율의 비대칭 분배기는 $60{\Omega}$의 단일 전송선로를 이용하여 입력 포트 임피던스는 $40{\Omega}$, 출력 포트의 임피던스는 $45{\Omega}$으로 동일하게 설정하였고, 삽입손실은1.7 dB/ 5.0 dB, 반사 손실은 -30 dB이상 그리고 고립도는 -35 dB이상 측정되었다. 또한, 1:4 분배 비율의 비대칭 분배기는 $40{\Omega}$의 단일 전송선로를 이용하여 입력 포트 임피던스는 $50{\Omega}$, 출력 포트의 임피던스는 $75{\Omega}$으로 동일하게 설정하여, 삽입손실은 1.3 dB/ 6.8 dB, 반사 손실은 -12 dB이상 그리고 고립도는 -19 dB이상 되는 전기적 특성을 확인하였다. 측정된 특성 데이터는 시뮬레이션과 잘 일치함을 확인하였다.
We developed 1:1 resistance ratio measurement system for precision measurement of a series-resistor type dc voltage divider. By using active guard technique and exchange technique, any leakage effects, which are one of the most critical error sources, were successfully removed. The best measurement uncertainty with the developed ratio measurement system was estimated to be approximately $10^{-8}\;for\;10\;k{\Omega}\;and\;100\;k{\Omega}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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