• 제목/요약/키워드: refresh

검색결과 173건 처리시간 0.025초

GIDL과 SILC가 DRAM refresh 회로의 성능저하에 미치는 영향 (The effect of GIDL and SILC on the performance degradation of the refresh circuit in DRAM)

  • 이병진;윤병오;홍성희;유종근;전석희;박종태
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
    • /
    • pp.429-432
    • /
    • 1998
  • The impact of hot carrier induced gate leakage current on the refresh time of memory devices has been examined. The maximum allowable supply voltage for cell transistor has been determined form the degradation of the refresh time. The desing guideline for cell capacitors and refresh circuits has been suggested.

  • PDF

MPEG-4 비디오에서의 비트율 적응 인트라 리프레쉬 (Bitrate Adaptive Intra Refresh for MPEG-4 Video)

  • 금찬헌;최동환;황찬식
    • 대한전자공학회논문지SP
    • /
    • 제41권4호
    • /
    • pp.23-30
    • /
    • 2004
  • MPEG-4 비디오에서 움직임 적응 인트라 리프레쉬 (MAIR)는 움직임 영역을 인트라로 부호화하는 방식으로 에러의 전파를 방지한다. 움직임 영역은 이전 매크로블록과 현재 매크로블록의 영상 차이를 이용하여 결정하게 된다. AIR의 효과적인 설계는 최대 리프레쉬 시간을 줄이고 에러에 취약한 매크로블록을 예측하는 것이다. 그러나 MAIR은 인트라로 코딩할 필요성이 낮은 매크로블록도 인트라로 코딩한다. 제안한 비트율 기반의 AIR은 한 VOP에서 매크로블록 단위로 비트량을 비교하여 AIR을 수행한다. 이 방법을 사용하면 최대 리프레쉬 시간을 줄임과 동시에 에러에 취약한 매크로블록을 효율적으로 예측하여 기존의 MAIR보다 향상된 성능을 발휘한다.

선택적 리프레시를 통한 DRAM 에너지 효율 향상 기법 (Techniques to improve DRAM Energy Efficiency through Selective Refresh)

  • 김영웅
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
    • /
    • 제20권2호
    • /
    • pp.179-185
    • /
    • 2020
  • DRAM은 메인 메모리 시스템을 구성하는 주요한 요소로서 운영체제의 발전, 응용 프로그램의 복잡도와 용량의 증가에 맞추어 DRAM의 용량과 속도 역시 증가하는 추세이다. DRAM은 주기적으로 저장된 값을 읽은 후 다시 저장하는 리프레시 동작을 수행해야 하며, 이에 수반되는 성능 및 파워/에너지 오버헤드는 용량이 증가할수록 더 악화되는 특성을 내재하고 있다. 본 연구는 전하의 보존 시간이 가장 낮은 셀들에 대해서 블룸 필터를 사용하여 64ms, 128ms 이내에 리프레시를 수행해야 하는 로우들을 효율적으로 저장하여 선택적 리프레시를 수행하는 에너지 효율 향상 기법을 제안한다. 실험 결과에 따르면 제안 기법을 통하여 평균 5.5%의 성능 향상이 있었으며, 리프레시 에너지는 평균 76.4% 절감되었고, 평균 EDP는 10.3% 절감된 것으로 나타났다.

Optimizing Mobile Advertising Using Ad Refresh Interval

  • Truong, Vinh
    • IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
    • /
    • 제5권2호
    • /
    • pp.117-122
    • /
    • 2016
  • Optimizing the number of ad clicks is a large-scale learning problem that is central to the multi-billion dollar mobile advertising industry. There are currently several optimization methods used, including ad mediation and ad positioning. This paper proposes a new method to optimize mobile advertising by using the ad refresh interval. A new metric, which can measure and compare mobile advertising performance, takes into account time limitations. The results achieved from this optimization study could maximize revenue for mobile advertisers and publishers. This research has high applicability. It also lays out a solid background for future research in this promising area.

An Effective Pre-refresh Mechanism for Embedded Web Browser of Mobile Handheld Devices

  • Li Huaqiang;Kim Young-Hak;Kim Tae-Hyung
    • 한국멀티미디어학회논문지
    • /
    • 제7권12호
    • /
    • pp.1754-1764
    • /
    • 2004
  • Lately mobile handheld devices such as Personal Digital Assistant (PDA) and cellular phones are getting more popular for personal web surfing. However, today most mobile handheld devices have relatively poor web browsing capability due to their low performance so their users have to suffer longer communication latency than those of desktop Personal Computers (PCs). In this paper, we propose an effective pre-refresh mechanism for embedded web browser of mobile handheld devices to reduce this problem. The proposed mechanism uses the idle time to pre-refresh the expired web objects in an embedded web browser's cache memory. It increases the utilization of Central Processing Unit (CPU) power and network bandwidth during the idle time and consequently reduces the client's latency and web browsing cost. An experiment was done using a simulator designed by us to evaluate the efficacy of the proposed mechanism. The experiment result demonstrates that it has a good performance to make web surfing faster.

  • PDF

저전력 DRAM을 위한 온-칩 온도 감지 회로 (CMOS On-Chip Temperature detector circuit For Low Power DRAM)

  • 김영식;이종석;양지운;이현석;성만영
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
    • /
    • pp.232-234
    • /
    • 1996
  • The self-refresh mode was introduced as method to reduce power dissipation in DRAM. Because the data retention time of DRAM cell decreases as the ambient temperature rises, the internal period in self-refresh mode must be limited by retention capability at the highest temperature in DRAM specification. Because of this, at room temperature($25^{\circ}C$) unnecessary power dissipation happens, If the period of self-refresh could be modulated as temperature, it is possible to reduce the self-refresh current. In this paper, new temperature detector circuit is suggested as this purpose.

  • PDF

XML 실체뷰 갱신 기법의 성능 평가 (Performance Evaluation of XML Materialized View Refresh)

  • 성호상;문찬호;강현철
    • 정보처리학회논문지D
    • /
    • 제10D권3호
    • /
    • pp.387-398
    • /
    • 2003
  • 실체뷰는 질의 처리의 성능 향상을 위한 수단으로 널리 연구되어 왔다. 실체뷰는 하부 데이타가 변경되었을 경우 일관성을 유지해야 하는데, 그 기법으로는 뷰를 하부 데이타로부터 재생성하는 방법과 변경 내용 중 뷰와 관련 있는 것만 반영하는 점진적 갱신이 있다. 최근 XML이 웹 데이타 교환의 표준으로 대두되면서 XML 문서를 효율적으로 저장하고 검색하는 기법에 관한 연구가 활발히 수행되고 있다. 본 논문은 XML 문서를 기존의 관계 DBMS에 저장할 경우, 자주 제기되는 질의의 결과를 XML 실체뷰로 지원하고 그것을 점진적으로 갱신하는 기법의 성능 평가에 관한 것이다. XML 실체뷰 및 그것의 점진적 갱신을 지원하는 XML 저장 시스템의 구현에 대해 기술하고, XML 실체뷰의 점진적 갱신 기법의 성능을 실험을 통해 평가하였다. 실험 결과, 자주 제기되는 질의에 대해 매번 그 결과를 재생성하는 것보다 그 결과를 실체뷰로 유지하면서 뷰의 하부 데이타에 대한 변경 중 뷰와 연관성이 있는 것만을 점진적으로 반영하여 일관성을 유지하는 실체뷰 기법이 XML 데이타의 검색에도 효율적이라는 것을 확인하였다.

MPLS 망에서 확장성을 갖는 RSVP-TE 프로토콜 구현을 위한 메시지 부하의 영향 분석 (Evaluation on Effect of Message Overhead for Implementing a Scalable RSVP-TE Protocol in MPLS Networks)

  • 이영우;박재형;김상하
    • 정보처리학회논문지C
    • /
    • 제11C권6호
    • /
    • pp.815-820
    • /
    • 2004
  • 인터넷의 고품질 서비스를 제공하기 위한 기술로 MPLS 트래픽 엔지니어링 기술이 대두되고 있다. MPLS 망에서 트래픽 엔지니어링은 서비스 품질을 보장할 수 있는 경로를 계산하고 MPLS 신호 프로토콜을 이용하여 망 자원을 예약하는 기능을 수행한다. MPLS 신호 프로토콜의 하나인 RSVP-TE 프로토콜은 플로우 기반으로 설정된 경로의 연결 상태 관리를 위해 주기적으로 Refresh 메시지를 송수신한다. 이러한 주기적인 메시지의 송수신은 프로토콜 메시지 처리 부하를 증가시키기 때문에 많은 수의 경로 설정 능력을 제한하는 문제점을 유발한다. 본 논문은 이러한 RSVP-TE 프로토콜의 Refresh 메시지의 부하를 줄이기 위하여 제시된 Refresh Reduction 기법의 영향에 대하여 분석한다. 또한, 확장성을 갖는 RSVP-TE 프로토콜을 구현하기 위해서 메시지 부하가 적은 기법을 제안한다.

Effect of Shield Line on Noise Margin and Refresh Time of Planar DRAM Cell for Embedded Application

  • Lee, Jung-Hwan;Jeon, Seong-Do;Chang, Sung-Keun
    • ETRI Journal
    • /
    • 제26권6호
    • /
    • pp.583-588
    • /
    • 2004
  • In this paper we investigate the effect of a shield metal line inserted between adjacent bit lines on the refresh time and noise margin in a planar DRAM cell. The DRAM cell consists of an access transistor, which is biased to 2.5V during operation, and an NMOS capacitor having the capacitance of 10fF per unit cell and a cell size of $3.63{\mu}m^2$. We designed a 1Mb DRAM with an open bit-line structure. It appears that the refresh time is increased from 4.5 ms to 12 ms when the shield metal line is inserted. Also, it appears that no failure occurs when $V_{cc}$ is increased from 2.2 V to 3 V during a bump up test, while it fails at 2.8 V without a shield metal line. Raphael simulation reveals that the coupling noise between adjacent bit lines is reduced to 1/24 when a shield metal line is inserted, while total capacitance per bit line is increased only by 10%.

  • PDF

평면구조 P-MOS DRAM 셀의 커패시터 VT 이온주입의 최적화 (Optimization of Capacitor Threshold VT Implantation for Planar P-MOS DRAM Cell)

  • 장성근;김윤장
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제19권2호
    • /
    • pp.126-129
    • /
    • 2006
  • We investigated an optimized condition of the capacitor threshold voltage implantation(capacitor $V_T$ Implant) in planar P-MOS DRAM Cell. Several samples with different condition of the capacitor $V_T$ Implant were prepared. It appeared that for the capacitor $V_T$ Implant of $BF_2\;2.0{\times}l0^{13}\;cm^{-2}$ 15 KeV, refresh time is three times larger than that of the sample, in which capacitor $V_T$ Implant is in $BF_2\;1.0{\times}l0^{13}\;cm^{-2}$ 15 KeV. Raphael simulation revealed that the lowed maximum electric field and lowed minimum depletion capacitance ($C_{MIN}$) under the capacitor resulted in well refresh characteristics.