The dark current and photocurrent(PC) spectrum of Mg-doped GaN thin film were investigated with various bias voltages and temperatures. At high temperature and small bias, the dark current is dominated by holes thermally activated from an acceptor level Al located at about 0.16 eV above the valence band maximum $(E_v)$, The PC peak originates from the electron transition from deep level A2 located at about 0.34 eV above the $E_v$ to the conduction band minimum $(E_ C)$. However, at a large bias voltage, holes thermally activated from A2 to Al experience the field-in-duces tunneling to form one-dimensional defect band at Al, which determines the dark current. The PC peak associated with the transition from Al to $E_ C$ is also observed at large bias voltages owing to the extended recombination lifetime of holes by the tunneling. In the near infrared region, a strong PC peak at 1.20 eV appears due to the hole transition from deep donor/acceptor level to the valence band.
We report a method to increase the surface area of the titania films used as the anodes of dye-sensitized solar cells (DSSCs) by applying additional titania-coating. The modification was achieved by spin-coating a coating solution that contained a surfactant with a titania source onto the titania electrodes, followed by calcination. Previous similar attempts without a surfactant all reported decreased surface areas. We fabricated DSSCs by using the modified titania films as the anode and measured their performances. The increased surface area increased the amount of adsorbed dyes, which resulted in increased current densities. At the same time, the titania-coating increased both the open-circuit voltage and the current density by reducing the charge-recombination rates of the injected electrons, similar to the results of literatures. Therefore, our method shows an additional mechanism to increase the current density of DSSCs in addition to the other mechanisms of surface modifications with titania-coatings.
Si PIN diodes are subject to be damaged from the exposure of fast neutron by displacement of Si lattice structure. The defects are effective recombination centers for carriers which migrate through the base region of the PIN diode when forward voltage is applied. It causes an increase in current and a decrease in resistivity of the diode. This paper presents the development of a neutron sensor based on displacement damage effect. PIN diodes having various structures were made bymicro-fabrication process, and neutron beam test was performed to identify neutron damage effect to the diode. From a result of the test, it was shown that the forward voltage drop of the diode, at a constant current, has good linearity for neutron dosage. Also it was found that the newton dosage can be measured by the pin diode neutron dosimeter with constant current power.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.05a
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pp.96-99
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2005
As the demand of internet networks using backbone communication systems recently increased, the researches on the high-speed wideband optical communication systems are required. For high-speed optical communication systems, asymmetric sampled grating distributed feedback laser diodes (DFB-LDs) are developed and the reliability of DFB-LDs is examined. The reliability of DFB-LDs is performed by monitoring I-V and L-I characteristics and two degradation phenomena related to the electrical characteristics of LDs are observed during the life tests. The first degradation phenomenon by increasing the reverse current is considered as a formation of leakage current path enough to prevent lasing operation in lateral blocking layer near active region of lasers. The second degradation phenomenon by decreasing the forward current is considered as activation of non-radiative Auger recombination process by thermal energy and the second degradation phenomenon is recovered after the off-test period at room temperature Eventually, evaluating the reliability of DFB LDs can allow us to improved the manufacturability in high-volume manufacturing.
Chun, Minsoo;An, Hyun Joon;Kang, Seong-Hee;Cho, Jin Dong;Park, Jong Min;Kim, Jung-in
Progress in Medical Physics
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v.29
no.1
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pp.16-22
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2018
Current dosimetry protocols recommend the use of parallel-plate chambers in electron dosimetry because the electron fluence perturbation can be effectively minimized. However, substitutable methods to calibrate and measure the electron output and energy with the widely used cylindrical chamber should be developed in case a parallel-plate chamber is unavailable. In this study, we measured the correction factors and absolute dose-to-water of electrons with energies of 4, 6, 9, 12, 16, and 20 MeV using Farmer-type and Roos chambers by varying the dose rates according to the AAPM TG-51 protocol. The ion recombination factor and absolute dose were found to be varied across the chamber types, energy, and dose rate, and these phenomena were remarkable at a low energy (4 MeV), which was in good agreement with literature. While the ion recombination factor showed a difference across chamber types of less than 0.4%, the absolute dose differences between them were largest at 4 MeV at approximately 1.5%. We therefore found that the absolute dose with respect to the dose rate was strongly influenced by ion-collection efficiency. Although more rigorous validation with other types of chambers and protocols should be performed, the outcome of the study shows the feasibility of replacing the parallel-plate chamber with the cylindrical chamber in electron dosimetry.
Partial nucleotide sequences of nuclear protein-coding recombination activating gene 1 (RAG1) gene of two Abbottina and five Microphysogobio species residing in Korea were analyzed to elucidate the molecular phylogenetic position of A. springeri Banarescu and Nalbant. In RAG1 tree A. rivularis was clearly separated from the monophyletic lineage composed of A. springeri, Biwia zezera and Microphysogobio species. Within this lineage B. zezera showed sister-group relationship to the monophyletic group composed of A. springeri and five Microphysogobio species. Thus, our phylogenetic tree revealed the polyphyletic nature of two Abbottina species from Korea, which result is well congruent with the previous phyletic assumption based on osteological features. The current classification of Abbottina and Microphysogobio based on morphological criteria, such as the presence or absence of papillae on lips and size of swim bladder with or without encapsulation, does not reflect their true evolutionary history.
The effect of $TiO_2$ nanotube (TNT) and nanoparticle (TNP) composite photoelectrode and the role of TNT to enhance the photo conversion efficiency in dye-sensitized solar cell (DSSC) have investigated in this study. Results demonstrated that the increase of the TNT content (1-15 %) into the electron collecting TNP film increases the open-circuit potential ($V_{oc}$) and short circuit current density ($J_{sc}$). Based on the impedance analysis, the increased $V_{oc}$ was attributed to the suppressed recombination between electrode and electrolyte or dye. Photochemical analysis revealed that the increased Jsc with the increased TNT content was due to the scattering effect and the reduced electron diffusion path of TNT. The highest $J_{sc}$ (12.6 mA/$cm^2$), Voc (711 mV) and conversion efficiency (5.9%) were obtained in the composite photoelectrode with 15% TNT. However, $J_{sc}$ and $V_{oc}$ was decreased for the case of 20% TNT, which results from the significant reduction of adsorbed dye amount and the poor attachment of the film on the fluorine-doped tin oxide (FTO). Therefore, application of this composite photoelectrode is expected to be a promising approach to improve the energy conversion efficiency of DSSC.
Uniform $TiO_2$ blocking layers (BLs) are fabricated using ultrasonic spray pyrolysis deposition (USPD) method. To improve the photovoltaic performance of dye-sensitized solar cells (DSSCs), the BL thickness is controlled by using USPD times of 0, 20, 60, and 100 min, creating $TiO_2$ BLs of 0, 40, 70, and 100 nm, respectively, in average thickness on fluorine-doped tin oxide (FTO) glass. Compared to the other samples, the DSSC containing the uniform $TiO_2$ BL of 70 nm in thickness shows a superior power conversion efficiency of $7.58{\pm}0.20%$ because of the suppression of electron recombination by the effect of the optimized thickness. The performance improvement is mainly attributed to the increased open-circuit voltage ($0.77{\pm}0.02V$) achieved by the increased Fermi energy levels of the working electrodes and the improved short-circuit current density ($15.67{\pm}0.43mA/cm^2$) by efficient electron transfer pathways. Therefore, optimized $TiO_2$ BLs fabricated by USPD may allow performance improvements in DSSCs.
Chloroplasts are believed to be descended from certain cyanobacteria, which were taken up by phagocytosis into a host cell and lived there in a symbiotic relationship. In contrast to the current static concept on the chloroplast genome, its dynamism has been recently demonstrated: the chloroplast genome is active in intramolecular homolgous recombination, producing subgenomic circles when it obtains homolgous sequences via genetic transformation. Chloroplast tranformation in higher plants provides many advantages over nuclear transformation that include higher expression levels of transgenes, polycistronic expression of transgenes, and maternal transmission of transgenes. Tobacco has been used as a model for chloroplast genetic transformation. However, it is recently possible to transform the chloroplasts of other major food and economic crops including rice, soybean, and cotton. Chloroplast-transformed crops will be able to replace bioreactors using microorganisms for production of value-added proteins in future.
In order to improve the energy conversion efficiency of dye-sensitized solar cell (DSSC), the photoelectrode was manufactured by using $TiO_2$ and $WO_3$ on combination effects of two conduction bands. The smash procedure of $TiO_2$ and $WO_3$ was carried out by using a paint shaker to enlarge the contact area of semiconductor with dye and electrolyte. The energy conversion efficiency of prepared DSSC was improved about two times from current-voltage curve based on effects of $WO_3$ and smash. The mechanism was suggested that the conduction band of $WO_3$ worked for prohibiting the trapping effects of electrons in conduction band of $TiO_2$. This result is attributed to the prevention of electron recombination between electron in conduction band of $TiO_2$ with dye and electrolyte. Impedance results indicate the improved electron transport at interface of $TiO_2$/dye/electrolyte.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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