Oxidation behavior of hot-pressed silicon nitride ceramics with various sintering additives has been investigated. The weight gain of each specimens has shown in the range of 0.11 mg/$\textrm{cm}^2$ ~3.4 mg/$\textrm{cm}^2$ at 140$0^{\circ}C$ for 192 h and eleven compositions have shown good oxidation resistance with the weight gain below 0.5 mg/$\textrm{cm}^2$. The oxidation rate has been shown to obey the parabolic rate law and the oxidized surface has consisted of $\alpha$-cristobalite and M2Si2O7 or MSiO3 (M=rare earth or transition metals) phase. The oxidation rate of each specimens has related to the eutectic temperature between additive oxide and SiO2, and ionic radius of additive oxides, respectively. From the above results, it could be concluded that the oxidation behavior of hot pressed silicon nitride is dominated by the high temperature properties of grain boundary glassy phase and the high temperature properties of grain boundary glassy phase are affected by the ionic radius of additive oxides.
Adsorption and reaction studies were made for the catalytic oxidation in aqueous slurries of activated carbon at room temperature and atmospheric pressure. In order to analyze the reaction rate, the mechanism was assumed by the steps of nonhomogeneous catalytic reaction. The experimental result show that oxidation rate was controlled by the reaction between adsorbed molecular oxygen and sulfur dioxide on the catalyst surface. Ar room temperature, the equat5ion of reaction rate was given as $ro_2 = 2.49 \times 10^{-7} P_O_2^{0.604}$.
We have studied the oxidatio nrte of $Si_{1-x}Ge_{x}$ epitaxial layer grown by MBE(molecular beam epitaxy). Oxidation were performed at 700.deg. C, 800.deg. C, 900.deg. C, and 1000.deg. C. After the oxidation, the results of AES(auger electron spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at $SiO_{2}/$Si_{1-x}Ge_{x}$ interface. It is shown that the presence of Ge at the $SiO_{2}$/$Si_{1-x}Ge_{x}$ interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700.deg. C and 800.deg.C, while it was decreased at both 900.deg. C and 1000.deg.C as the Ge mole fraction was increased. The ry oxidation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxidation time. In the parabolic growth region of $Si_{1-x}Ge_{x}$ oxidation, The parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the 1000.deg.C, AES showed that Ge peak distribution at the $SiO_{2}$/$Si_{1-x}Ge_{x}$ interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.
본 연구는 옥수수 전분을 sodium hypochlorite(NaOCl)로 산화시킬 때 산화제의 농도, pH와 온도가 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 전분의 산화 반응은 NaOCl 농도, pH와 온도의 영향을 받았다. 산화반응은 산화제가 3.0% active Cl/g starch 이하의 농도에서는 1차 반응, 3.75% active Cl/g starch이상의 농도에서는 2차 반응으로 나타났다. 1차 반응에서 산화제의 농도가 2.25% active Cl/g starch 까지는 반응속도 상수가 증가하였고, 그 이후의 농도에서는 일정한 값을 보였다. 산화에 따른 전분내 카르복실기 함량은 반응 초기에 급격히 증가하다가 반응이 진행되면서 증가정도가 완만해졌으며, NaOCl 농도가 증가함에 따라 카르복실기의 생성량도 증가하였다. 동일한 NaOCl 농도(1.5% active Cl/g starch)에서 전분의 산화는 pH 7에서 가장 빠르게 진행되었다 온도에 따른 전분의 산화속도를 1차식으로 해석한 결과, 온도가 증가됨에 따라 속도 상수(k)값이 증가되어 반응속도가 빨라지는 것을 알 수 있었다. 한편 Arrhenius 식으로부터 산화 반응의 활성화 에너지를 계산하였을 때 1차반응의 활성화 에너지는 약 13.45 kcal/mol이었다.
The effect of ozone oxidation on biodegradability of leachate was studied. Ozone oxidation process was used as pre-treatment process to enhance performance of biological process in treating landfill leachate. Optimum ozone dosing rate and contact time in this experiment was $160mg\;O_3/L$ hr and 45 minutes, respectively. Biodegradability was enhanced 5.08% by ozone oxidation. The ratio of ozone demand/DOC concentration was $0.049{\sim}0.091mg\;O_3/mg$ DOC. The increase of biodegradability depending on ozone dosing rate(D) and contact time(T) can be expressed as follows ; ${\Delta}E=0.00479{\cdot}D^{0.773}{\cdot}T^{0.800}$ The biodegradation rate of DOC was increased proportionally with the increase of ozone dosing rate and contact time irrespective of landfill site age. The increase of biodegradability by ozone addition was not satisfactory. It is hard to expect significant increase in biodegradability by ozone treatment only. Thus, it is evaluated that ozone oxidation can not increase biodegradability significantly in concentrated wastewater composed of complex organic compound such as leachate.
The effect of ozone oxidation on bio-degradability of leachate was studied. Ozone oxidation process was used as pre-treatment process to enhance performance of biological process in treating landfill leachate. Optimum ozone injection rate and contact time in this experiment was $160{\;}mg{\;}O_/{\ell}{\cdot}hr$ and 45 minutes, respectively. Bio-degradability was enhanced 5.08% by ozone oxidation. The ratio of ozone demand/DOC concentration was $0.049~0.091{\;}mg{\;}O_3/mg{\;}DOC$. The increase of bio-degradability depending on ozone injection rate(D) and contact time(T) can be expressed as follows ; The rate of bio-degradation of DOC was increased proportionally with the increase of ozone injection rate and contact time irrespective of landfill site age. The increase of bio-degradability by ozone addition was not satisfactory. It is hard to expect significant increase in bio-degradability by ozone treatment only. Thus, it is evaluated that ozone oxidation can not increase biodegradability significantly in concentrated wastewater composed of complex organic compound such as leachate.
We have studied the Ge redistribution after dry oxidation and the oxide growth rate of $Si_{1-x}Ge_x$ epitaxial layer. Oxidation were performed at 700, 800, 900, and $1,000\;^{\circ}C$. After the oxidation, the results of RBS (Rutherford Back Scattering) & AES(Auger Electron Spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at $Si_{1-x}Ge_x$ interface. It is shown that the presence of Ge at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700 and 800$^{\circ}C$, while it was decreased at both 900 and $1,000^{\circ}C$ as the Ge mole fraction was increased. The dry of idation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxiidation time. In the parabolic growth region of $Si_{1-x}Ge_x$ oxidation, the parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the $1,000^{\circ}C$, AES showed that Ge peak distribution at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.
The anaerobic oxidation of methane (AOM) in anaerobic sewage sludge was characterized. The net methane oxidation was observed in samples amended with methane plus sulfate or with methane alone, whereas methane formation was observed in the samples without methane, indicating that methane oxidation and formation occurred simultaneously. The ratio of the net methane oxidation rate to $H_2S$ formation was 100:1, suggesting that the AOM was not closely associated with sulfate reduction in the anaerobic sludge. The net AOM was positively associated with the methane concentration and sludge dilution ratio. However, the rate of AOM was negatively correlated with organic substrate (acetate) concentration. Therefore, the production and oxidation of methane could be controlled by environmental conditions and dissolved organic compounds in the bulk solution.
Kinetic studies on cupric ion ($Cu^{2+}$) oxidation of 1-benzyl- and 1-aryl-1,4-dihydronicotinamides (XNAH) in aqueous solution were performed. In the presence of dioxygen ($O_2$), the reaction followed first order kinetics with respect to both XNAH and $Cu^{2+}$. The oxidation reaction was found to be independent and parallel to the acid-catalyzed hydration reaction of XNAH. The catalytic role of $Cu^{2+}$ for the oxidation of XNAH in the presence of $O_2$ was attributed to $Cu^{2+}/Cu^+$ redox cycle by the reactions with XNAH and $O_2$. The second order rate constants of the Cu2+ oxidation reaction kCu, and acid-catalyzed hydration reaction $k_H$ were strongly dependent on the nature of the substituents in 1-aryl moiety. The slopes of log $k_{Cu}$ vs log $K_H$ and log $k_{Cu}$ vs ${\sigma}_p$ of the substituents plots were 1.64 and -2.2, respectively. This revealed the greater sensitivity of the oxidation reaction rate to the electron density on the ring nitrogen than the hydration reaction rate. A concerted two-electron transfer route involving XNAH-$Cu^{2+}$ complex was proposed for mechanism of the oxidation reaction.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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