• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.120-121
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• 2007

In this paper, ZnO thin films were deposited by pulsed laser deposition (PLD) on $Al_2O_3$ (alumina) at room temperature in various $O_2$ ambient. Rapid thermal annealing (RTA) has been performed at temperatures from $400^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$. The effects of temperature and ambient on the structural property of ZnO films were examined by x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscopy (AFM), respectively. The results show that the (002)-oriented ZnO thin films on non-single crystal alumina were obtained in over 30mTorr ambient at all RTA temperatures including room temperature. The foil-width half maximum (FWHM) of (002) peak decreases as the RTA temperature increases, which indicates that ZnO thin films with RTA have improved crystalline quality.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권5호
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• pp.37-42
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• 2004

본 논문에서는 선비정질화, 저에너지 이온 주입, 이중 열처리 공정을 이용하여 p/sup ＋/-n 박막 접합을 형성하였다. Ge 이온을 이용하여 결정 Si 기판을 선비정질화하였다. 선비정질화된 시편과 결정 기판에 p-형 불순물인 BF₂이온을 주입하여 접합을 형성하였다. 열처리는 급속 열처리 (RTA : rapid thermal anneal) 방법과 850℃의 노 열처리 (FA : furnace anneal) 방법을 병행하였다. 두 단계의 이중 열처리 방법으로 네 가지 조건을 사용하였는데, 이는 RTA(750℃/10초)＋Ft, FA＋RTA(750℃/10초), RTA(1000℃/10초)＋F4 FA＋RTA(1000℃/10초)이다. Ge 선비정질화를 통하여 시편의 접합 깊이를 감소시킬 수 있었다. RTA 온도가 1000℃인 경우에는 RTA보다는 FA를 먼저 수행하는 것이 접합 깊이(x/sub j/), 면저항(R/sub s/), R/sub s/ x/sub j/, 누설 전류 등의 모든 면에서 유리함을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권2호
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• pp.83-88
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• 2005

The interface-states between the top silicon layer and buried oxide layer of nano-SOI substrate were developed. Also, the effects of thermal treatment processes on the interface-state distributions were investigated for the first time by using pseudo-MOSFETs. We found that the interface-state distributions were strongly influenced by the thermal treatment processes. The interface-states were generated by the rapid thermal annealing (RTA) process. Increasing the RTA temperature over $800^{\circ}C$, the interface-state density considerably increased. Especially, a peak of interface-states distribution that contributes a hump phenomenon of subthreshold curve in the inversion mode operation of pseudo-MOSFETs was observed at the conduction band side of the energy gap, hut it was not observed in the accumulation mode operation. On the other hand, the increased interface-state density by the RTA process was effectively reduced by the relatively low temperature annealing process in a conventional thermal annealing (CTA) process.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.26-32
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• 2021

카본 전극 페로브스카이트 태양전지의 광활성층을 형성하는데 열판, 오븐, 쾌속열처리로 방법을 달리하며 이때 광전기적 특성과 미세구조 변화를 확인하였다. Glass/FTO/compact TiO2/meso TiO2/meso ZrO2/perovskite/carbon electrode 구조의 페로브스카이트 태양전지 소자를 열판 공정, 오븐 공정, RTA(rapid thermal annealing) 공정을 이용하여 준비하였다. 이때 광전기적 특성과 미세구조를 solar simulator와 광학현미경, 장발산주사전자현미경을 이용하여 각 소자의 특성을 분석하였다. 광전기적 특성 분석 결과, RTA 공정을 이용하여 제작한 소자에서 가장 우수한 광전기적 특성을 확인할 수 있었다. 미세구조 분석 결과 열판 공정과 오븐 공정으로 제작한 시편은 카본 전극 상부에 과잉 페로브스카이트 상이 형성되고, RTA 공정으로 제작한 시편에서는 시편 상부에 과잉 페로브스카이트 상 없이, 균일한 페로브스카이트가 형성된 것을 확인할 수 있었다. 또한 단면 미세구조에서는 RTA 공정으로 제작한 소자가 다공성 카본 전극 층에 고밀도의 페로브스카이트 층을 형성하여 우수한 광전기적 특성을 나타내었다. 따라서 대면적 소자 제작의 공정시간을 고려한 새로운 열처리방안으로 RTA 방법의 채용 가능성을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제16권3호
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• pp.183-187
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• 2006

We present the effects of rapid thermal annealing (RTA) temperature on the structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The photoluminescence (PL) measurements are performed in a closed-cycle refrigerator as a function of temperature for the unannealed and annealed samples. RTA at higher temperature results in the increase in island size, the corresponding decrease in the density of islands, and the redshift in the PL emission from the islands. The temperature dependence of the PL peak energy for the InAs QDs is well expressed by the Varshni equation. The thermal quenching activation energies for the samples unannealed and annealed at $600^{\circ}C$ are found to be $25{\pm}5meV$ and $47{\pm}5$ meV, respectively.

• 열처리공학회지
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• 제36권3호
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• pp.115-120
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• 2023

ZnO/Cu/ZnO (ZCZ) thin film deposited on the glass substrate with DC and RF magnetron sputtering was rapid thermal annealed (RTA) and then effect of thermal temperature on the opto-electical and transparent heater properties of the films were considered. The visible transmittance and electrical resistivity are depends on the annealing temperature. The electrical resistivity decreased from 1.68 × 10^-3 Ωcm to 1.18 × 10^-3 Ωcm and the films annealed at 400℃ show a higher transmittance of 78.5%. In a heat radiation test, when a bias voltage of 20 V is applied to the ZCZ film annealed at 400℃, its steady state temperature is about 70.7℃. In a repetition test, the steady state temperature is reached within 15s for all of the bias voltages.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.446-447
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• 2007

The rapid thermal annealing effect of transparent IZTO(indium zinc oxide) and IAZO(indium alminium zinc oxide) films grown on glass substrate for solar cell or flat panel displays(FPDs) was studied. We prepared IZTO using RF magnetron sputtering and IAZO using DC co-sputtering method. Subsequently, using rapid thermal annealing(RTA) system, prepared IZTO and IAZO films were annealed at 300, 400, 500, $600^{\circ}C$ for 90sec. In addition, Electrical and optical characteristics were measured by Hall effect measurement and UV/Vis spectrometer examinations, respectively. To analyze structural properties and surface smoothness of the IZTO and IAZO films, XRD and SEM examinations were performed, respectively. It was shown that IZTO and IAZO films exhibited microcrystalline structure over $400^{\circ}C$ and amorphous structural regardless of RTA temperature, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.709-712
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• 2001

The effects of post annealing temperature by the Rapid Thermal Annealing(RTA) on the electrical properties of Pb(Zr,Ti)O$_3$(PZT) thin film were investigated. Analyses by the RTA treatments reveled that the leakage current of PZT thin films strongly depend on heating temperature and time. It was found that leakage current properties of PZT capacitor were changed by heating temperature during the RTA annealing. On Pt/Ti/Si substrates, PZT films are deposited at 350 $^{\circ}C$ by rf magnetron sputtering. The X-ray diffusion (XRD) was confirmed the formation of PZT thin film. Leakage current characteristics were improved with decreasing the post annealing temperature of PZT thin film. RTA annealed film on the 700$^{\circ}C$ shows ferroelectric and electrical properties with a remanent polarization of 12.4${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$ coercive field of 117kV/cm, leakage current J= 6.2${\times}$10$\^$-6/ A/$\textrm{cm}^2$

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.321-326
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• 2013

디지털 합금(digital alloy) InGaAlAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells: MQWs) 구조의 열처리(rapid thermal annealing: RTA) 온도에 따른 발광 특성을 PL (photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)를 이용하여 분석하였다. $700^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$까지 온도를 변화시켜 RTA한 디지털 합금 MQWs의 PL 결과는 $750^{\circ}C$에서 RTA한 시료가 가장 강한 PL 세기와 가장 좁은 반치폭을 나타내었다. 이것은 $750^{\circ}C$에서 30초 동안 RTA하였을 때 비발광 재결합 센터가 감소하고 가장 매끄러운 경계면이 형성되는 것을 나타낸다. RTA 온도를 $800^{\circ}C$와 $850^{\circ}C$로 증가하였을 때 PL 피크는 청색편이 하였으며 PL 세기는 감소하였다. PL 피크의 청색편이는 RTA 온도가 증가함에 따라 InGaAs/InAlAs SPS (short-period superlattice)의 경계면에서의 Ga과 Al의 혼합(intermixing)으로 Al 함량이 증가한 것으로 설명되며, PL 세기의 감소는 경계면의 거칠기의 증가와 인듐의 상분리(phase separation)로 인한 비균일 조성(compositional fluctuation)으로 설명된다. RTA 온도를 증가하였을 때 PL 소멸시간은 증가하였으며, 이것은 비발광 재결합 센터(결정 결함)가 감소한 것을 나타낸다. 디지털 합금 InGaAlAs MQWs 시료의 PL 특성은 적절한 RTA 조건에서 현저히 향상되는 것을 확인하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2009년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.525-526
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• 2009

we investigated the effect of rapid thermal annealing (RTA) temperature on photoluminescence (PL) of 635 nm InGaP/InGaAlP multiple quantum well structure. RTA is performed with the quantum well structure with 5.5 nm of well width. The highest PL peak intensity is shown at 1 min. of RTA at $720^{\circ}C$ sample as 3 times higher as compared to the as-grown sample. The effect may be assigned to an expected reduction in number of nonradiative recombination centers in the quantum well.