• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.313-313
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• 2009

OLED 소자는 직접발광, 광시야각, 그리고 빠른 응답속도 때문에 동영상에 적합하여 최근 각광받고 있는 디스플레이장치 중의 하나이다. OLED 소자의 양극재료로는 높은 광투과율과 $\sim10^{-4}{\Omega}\;cm$ 수준의 낮은 전기 비저항을 갖는 ITO (Sn-doped $In_2O_3$)가 널리 사용되고 있다. 하지만 원료 물질인 인듐의 수급량 부족으로 인한 문제점과 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가의 문제점이 있고, 또한 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우 $400\;^{\circ}C$정도의 높은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출 시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제가 된다. 반면에 Al이 도핑 된 ZnO (AZO)박막은 넓은 밴드갭 (3.37eV)와 400nm에서 700nm 사이의 가시광 영역에서 80% 이상의 우수한 투과성을 지니고 있다. 특히 Al이 도핑된 ZnO는 박막의 전기적 특성이 크게 향상되어 디스플레이나 태양전지로의 응용이 가능하다. 또한 비교적 낮은 비용과 플라즈마에서의 안정성, 무독성, 그리고 전기전도성과 같은 많은 이점이 있다. 그 결과 AZO 박막은 ITO기판을 대안하는 지원물질로 활발히 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 TCO 박막의 면 저항과 표면 거칠기에 따른 OLED 소자의 특성을 분석하였다. ITO와 AZO 박막은 챔버 내 다양한 가스 분위기(Ar, Ar+$O_2$ and Ar+$H_2$)에서 R.F Magnetron Sputtering방법으로 증착하였다. TCO 박막의 구조적인 이해를 돕기 위해서 X-ray diffraction 과 FESEM으로 분석하였다. 광학적 투과도와 박막의 두께는 ultraviolet spectrophotometer (Varian, cary-500)와 surface profile measurement system으로 각각 측정하였다. 면저항 charge carrier 농도, 그리고 TCO 박막의 이동도와 같은 전기적특성은 four-point probe와 hall effect measurement(HMS-3000)로 각각 측정하였다. TCO 박막의 표면 거칠기 조절을 위해 photo lithography 공정을 사용하여 TCO 박막을 화학에칭 하였다. 미세사이즈 패턴 마스크가 사용되었으며 에칭의 깊이는 에칭시간에 따라 조절하였다. TCO 박막의 표면 형태는 FESEM과 AFM으로 관찰하였다. 투명전극으로 사용되는 ITO 및 AZO 기판 상용화를 위해 ITO 및 AZO 기판 위에 ${\alpha}$-NPB, Alq3, LiF, Al 의 순서로 증착 및 패터닝함으로써 OLED 소자를 제작하였다. 전류밀도와 전압 그리고 발광휘도와 전압과 같은 전기적 특성은 spectrometer(minolta CS-1000A)를 이용하여 측정하였다.

• Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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• v.43 no.8
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• pp.1248-1256
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• 2014

The purpose of this study was to investigate the mechanisms of behind $SO_2$ formation and elevated cause of reducing power in purple bamboo salt (PBS) along with an analysis of physicochemical properties, content of sulfur compounds, oxidation reduction potential (ORP), mineral contents of salt type (MSS, mudflat solar salt; BS, bamboo salt), and addition of raw bamboo (RB). $SO_2$ content of 630 ppm was detected in PBS. $SO_2$ was not detected in MSS, BS, or RB, whereas $SO_2$ (782 ppm) from $K_2SO_4$ was detected after heating a NaCl, KCl, $MgCl_2$, $MgSO_4$, MgO, $CaCl_2$, $K_2SO_4$, and $FeSO_4$ with RB. $SO_2$ content of BS increased with baking time, and it originated from BSRB1 (13.88 ppm) to BSRB4 (109.13 ppm). $SO_3{^{2-}}$ originated only from MSSRB4 and BSRB2~BSRB4. Sulfate ion content decreased along with increasing $SO_2$ and sulfite ion contents. ORP increased with baking time of MSS and BS, and it was present at higher levels in BSRB4 (-211.40 mV) of BS than MSS. Insoluble content was higher in BS than MSS. Further, Ca, K, and Mg ion contents decreased in MSS and increased in BS with baking time. BSRB4 had 1.4 fold higher levels of Ca, 1.5 fold higher levels of Mg, and 1.8 fold higher levels of K than BS. Li, Al, Mn, Fe, and Sr in MSS as well as Al, Fe, and Ni in BS increased with baking time. Anions (Cl, $NO_3$, and Br) and heavy metals (Pb, Cd, Hg, and As) between MSS and BS were not significantly different. These results suggest that the reducing power of BS was due to $SO_2$ and sulfite ion. To increase the amounts of these compounds and reducing power, higher melting temperature and longer baking time are necessary along with BS, which is created by the addition of RB to roasted salt.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.183-183
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• 2009

OLED소자의 양극재료로써 현재는 산화인듐주석(ITO : indium tin oxide) 박막이 널리 이용되고 있다. 그러나 낮은 전기 비저항과 높은 투과도를 갖는 ITO 박막을 얻기 위해서는 $300^{\circ}C$ 이상의 고온에서 성막되어야 하며, 원료 물질인 인듐의 수급량 부족으로 인한 문제점과 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링 시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가의 문제점이 있고, 또한 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우에 유기물과의 계면 부적합성, 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우에 $400^{\circ}C$정도의 놓은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출 시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제가 된다. 이러한 문제점을 지닌 ITO 박막을 대체할 수 있는 물질로 산화 인듐아연(lZO) 박막이 많은 각광을 받고 있다. IZO(Indium Zinc Oxide) 박막은 저온 ($100^{\circ}C$ 이상)에서 증착이 가능하고 추가적인 열처리 없이도 가시광 영역에서 90% 이상의 광 투과도와 ${\sim}10^{-4}{\Omega}cm$ 이하의 낳은 전기 비저항을 갖는 것으로 알려져 있다. 이러한 IZO박막은 성막 후 고온의 열처리 과정이 필요 없기 때문에 폴리카보네이트와 같은 유기물 기판을 사용하여 제작 가능한 유연한 평판형 표시 소자의 제작에도 적용될 수 있다. IZO(Indium Zinc Oxide) 박막은 상온 공정에서도 우수한 전기적, 광학적, 표면 특성을 나타낼 뿐만 아니라 양극재료로써 높은 일함수를 가지고 있어 고효율의 유기 발광 소자를 구현하는데 유리한 재료라 판단된다. 본 연구에서는 TCO 박막의 면 저항과 표면 거칠기가 OLED 소자의 성능에 미치는 영향을 조사하였다. R.F Magnetron Sputtering을 이용하여 투명 전도막을 성막 형성 하였으며, 기판온도와 증착과정에서 주입되는 산소, 수소의 유랑 변화가 박막의 구조적, 전기적 특성에 어떠한 영향 미치는 것인가를 자세히 규명하였다 ITO 와 IZO박막은 챔버 내 다양한 가스 분위기(Ar, $Ar+O_2$ and $Ar+H_2$) 에서 R.F Magnetron Sputtering 방법으로 증착했다. TCO박막의 구조적인 이해를 돕기 위해서 X-ray diffraction 과 FESEM으로 분석했다. 광학적 투과도와 박막의 두께는 Ultraviolet Spectrophotometer(Varian, cary-500)와 Surface profile mersurement system으로 각각 측정하였다. 면저항, charge carrier농도, 그리고 TCO박막의 이동성과 길은 전기적특성은 Four-point probe와 Hall Effect Measurement(HMS-3000)로 각각 측정한다. TCO 박막의 표면 거칠기에 따른 OLED소자의 성능분석 측면에서는 TCO 박막의 표면 거칠기 조절을 위해 photo lithography 공정을 사용하여 TCO 박막을 에칭 하였다. 미세사이즈 패턴 마스크가 사용되고 에칭의 깊이는 에칭시간에 따라 조절한다. TCO박막의 표면 형태는 FESEM과 AFM으로 관찰하고 그리고 나서 유기메탈과 음극 전극을 연속적으로 TCO 박막위에 증착한다. 투명전극으로 사용되는 IZO기판 상용화를 위해 IZO기판 위에 $\alpha$-NPB, Alq3, LiF, Al순서로 OLED소자를 제작하였다. 전류밀도와 전압 그리고 발광과 OLED소자의 전압과 같은 전기적 특성은 Spectrometer (minolta CS-1000A) 에 의하여 I-V-L분석을 했다.

• Journal of Korean Philosophical Society
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• v.105
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• pp.49-74
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• 2008

Le but de notre recherche est $d^{\prime}{\acute{e}}clairer$ la nature du $d{\acute{e}}passement$ de soi aux actes humaines dnas le Thomisme. Dans le Thomisme la nature humaine qui a la raison et la $volont{\acute{e}}$ a une $intentionnalit{\acute{e}}$ ver la fin ultime. De sorte que les actes humaines qui $corr{\grave{e}}spondent$ cette nature humaine a un $caract{\grave{e}}re$ du $d{\acute{e}}passement$ de soi visant toujours plus que le $pr{\acute{e}}sent$. Le fondement de cet acte du $d{\acute{e}}passement$ de soi est $l^{\prime}{\hat{a}}me$ rationelle qui est la forme substantielle de l'homme et de soi subsistante. Chez st. Thomas ce $caract{\grave{e}}re$ du $d{\acute{e}}passement$ a trois ${\acute{e}}taps$ distinctes : (1)le $d{\acute{e}}passement$ dans l'ordre du $progr{\grave{e}}s$ naturel (2)le $d{\acute{e}}passement$ de soi dans l'ordre morale (3)le $d{\acute{e}}passement$ de soi dans l'ordre de la religion. Le $d{\acute{e}}passement$ dans l'ordre du $progr{\grave{e}}s$ naturel apparaît d'abord au $caract{\grave{e}}re$ de $l^{\prime}{\hat{a}}me$ rationelle. St. Thomas $d{\acute{e}}finit$ les vertus rationelles comme $^{\prime}pl{\acute{e}}nitude$ dans le $f{\acute{e}}blesse$, parce qu'il $consid{\grave{e}}re$ la vertu rationelle comme $finalit{\acute{e}}$ des $facult{\acute{e}}s$ du sens $ext{\acute{e}}rieur$. L'homme par le sens $ext{\acute{e}}rieur$ reçoit des $esp{\grave{e}}ces$ sensibles(especies sensibilis), et $poss{\grave{e}}de$ les images. Puis cette images sensible devenant la $r{\acute{e}}alit{\acute{e}}$ spirituelle sous forme du $m{\acute{e}}moire$ et du souvenir, devient aussi la partie de son existence. Donc chez st. Thomas la vertue rationnelle n'est pas simplement un $facult{\acute{e}}$ $sp{\acute{e}}culative$, mais elle est dans l'ordre du devenir et du $pl{\acute{e}}nitude$. A cette raison st. Thomas compare la raison(ratio) comme $g{\acute{e}}n{\acute{e}}ration$(generatio) et l'intelleigence(intellectus) comme ${\hat{e}}tre$(esse). C'est-${\grave{a}}$-dire la raison $d{\acute{e}}passe$ le sensible et l'intelligence $d{\acute{e}}passe$ la raison. Le $d{\acute{e}}passement$ de soi dans l'ordre morale $li{\acute{e}}$ au $progr{\grave{e}}s$ de la conscience. Chez st. Thomas la perception de l'objet $ext{\acute{e}}rieur$ ayant pour but d'avoir conscience de soi, se perfectionne ${\grave{a}}$ ceci. D'avoir conscience de soi signifie d'avoir $l^{\prime}identit{\acute{e}}$ de soi, et de-$l{\grave{a}}$ apparaît l'acte moral en tnat qu'acte $sp{\acute{e}}cifique$ humain. La raison pour laquelle la vie morale elle-$m{\hat{e}}me$ a un $caract{\grave{e}}$ du $d{\acute{e}}passement$, c'est que l'acte humaine qui corresfonde ${\grave{a}}$ $l^{\prime}identit{\acute{e}}$ du soi est une vie qui vise toujours plus que le $pr{\acute{e}}sent$ ou $l^{\prime}id{\acute{e}}al$. Quant au problem du $d{\acute{e}}passement$ dans l'ordre de la religion, chez st. Thomas en raison de $l^{\prime}affinit{\acute{e}}$ entre Dieu et l'homme, $o{\grave{u}}$ il y a des vertues infuses(virtutes infusas), il y a une sorte du $d{\acute{e}}passement$ religieux. Car ces vertues infuses signifie la communication entre Dieu(${\hat{E}}tre$ absolu) et l'homme(${\hat{e}}tre$ fine) et cela signifie le $d{\acute{e}}passement$ de l'humain vers le divin. Cette $id{\acute{e}}e$ thomiste permet de penser que $o{\grave{u}}$ il y a un $d{\acute{e}}passement$ de soi dans la vie religuse d'une personne, il y a une intervention $r{\acute{e}}elle$ de la providence divine. Cette $pens{\acute{e}}e$ thomiste sera alors un $caract{\grave{e}}$ $r{\acute{e}}aliste$ face ${\grave{a}}$ la $pens{\acute{e}}e$ $id{\acute{e}}aliste$ qui n'admette que le $d{\acute{e}}passement$ absolu comme $d{\acute{e}}passement$ religieux.