An Experimental study on the characteristics of high pressure gas quenching system was carried out in the present study. The characteristics of gas quenching system have been studied with high pressure gas chamber and specimen for various gas pressure and velocity which are the design parameter of quenching system. The quenching gas was used compressed air which properties are very similar with Nitrogen gas usually used in industrial gas quenching system. The result shows that the quenching rate of mid surface of specimen is lower than each ends of them which are close to low temperature quenching surface. And to increases the quenching intensity, the increment of quenching gas pressure is more efficient than the increment of quenching gas velocity at the point of reducing the circulation fan power.
In order to realize a stably propagating flame in a narrow channel, flame instabilities resulting from flame-wall interaction should be avoided. In particular flame quenching is a significant issue in micro combustion devices; quenching is caused either by excessive heat loss or by active radical adsorptions at the wall. In this paper, the relative significance of thermal and chemical effects on flame quenching is examined by means of quenching distance measurement. Emphasis is placed on the effects of surface defect density on flame quenching. To investigate chemical quenching phenomenon, thermally grown silicon oxide plates with well-defined defect distribution were prepared. ion implantation technique was used to control defect density, i.e. the number of oxygen vacancies. It has been found that when the surface temperature is under $300^{\circ}C$, the quenching distance is decreased on account of reduced heat loss; as the surface temperature is increased over $300^{\circ}C$, however, quenching distance is increased despite reduced heat loss effect. Such abberant behavior is caused by heterogeneous surface reactions between active radicals and surface defects. The higher defect density, the larger quenching distance. This result means that chemical quenching is governed by radical adsorption that can be parameterized by oxygen vacancy density on the surface.
The production of automotive chassis parts requiring both high hardness and good shape-holdability is better realized by using press quenching technology, comprising the austenitizaton and the subsequent press quenching in a specially designed stamping tool. The effect of press quenching mold shape on the hardness distribution, bending height, and degree of planeness of automotive flexible plate during press quenching and tempering has been investigated. The preferable shape of the projections of punch and die in contact with the flexible plate was close to oval to improve the flow of cooling oil, leading to the higher hardness. The press quenching mold with three separate parts was more effective to control the dimensional change due to thermal deformation during press quenching. Some decrease in the bending height during tempering may be related to some recovery of the residual stress at $400^{\circ}C$.
Incomplete combustion due to quenching in a narrow confinement has been a major problem for realization of a reliable micro combustion device. In most micro combustors, effects of flows are absent in the quenching because the flow is laminar and no severe stretch is present. In such circumstance, quenching is caused either by heat loss or by removal of active radicals to the wall surface of the confinement. An experimental investigation was carried out to investigate the relative significance of these two causes of quenching of a premixed flame. A premixed jet burner with a rectangular cross section at the exit was built. At the burner exit, the flame stands between two walls with adjustable distance. The gap between the two walls at which quenching occurs was measured at different wall surface conditions. The results were analyzed to estimate the relative significance of heat loss to the wall and the removal of radicals at the surface. The measurements indicated that the quenching distance was independent of the wall surface characteristics such as oxygen vacancy, grain boundary, or impurities at low temperature. At high temperature, however, the surface characteristics strongly affect the quenching distance, implying that radical removal at the wall plays a significant role in the quenching process.
It has already been known that quenching effect is influenced greatly by stirring and changing coolant's temperature on quenching. But according to the past investigations its effect has not been taken into consideration quantitatively in the cooling process. The purpose of this study is that the influence of flow rate and temperature on the quenching effect of cooling water as quenching medium is quantitatively examined by using the open channel. The stream of water in this study is turbulent flow. The temperature of the specimen made of pure copper is measured by CA thermocouple in the vicinity of the surface and recorded by an automatic recorder during the quenching process in city water. The results obtained are as follows; 1. The quenching effect of cooling water generally increases with Reynolds Number(characteristic length; specimen diameter)as shown in the experimental formula; but at the realm of Reynolds Number from 1.2 * 10$^{4}$ to 9.2 * 10$^{4}$, the increasing rate of quenching effect shows little increase. 2. The increasing rate of quenching effect was increased under the flow rate of 221 cm/sec. On the other hand, it was decreased below this flow rate. 3. The quenching effect was influenced by the water temperature and the flow rate. But it was rather dependent upon the former than the latter. 4. Although the quenching effect appeared loosely in the water temperature of 50.deg. C, it was shown that the quenching effect increased in the low flow rate of 31 cm/sec. comparing with the still water. 5. It is desirable to design the quenching system to be over 1.2 * 10$^{4}$ in Reynolds Number or over, 3000$cm^{-1}$ / in V/v in order to increase the quenching effect of the system using open channel.annel.
Park, Hyoung-Ryun;Oh, Chu-Ha;Lee, Hyeong-Chul;Choi, Jae-Gyu;Jung, Beung-In;Bark, Ki-Min
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제27권12호
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pp.2002-2010
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2006
This study examined the quenching of ofloxacin (OFL) and flumequine (FLU) fluorescence by $Cuj^{2+}$, $Ni^{2+}$, $Co^{2+}$ and $Mn^{2+}$ in an aqueous solution. The change in the fluorescence intensity and lifetime was measured at various temperatures as a function of the quencher concentration. According to the Stern-Volmer plots, the fluorescence emission was quenched by both collisions (dynamic quenching) and complex formation (static quenching) with the same quencher but the effect of static quenching was larger than that of dynamic quenching. Large static and dynamic quenching constants for both OFL and FLU support significant ion-dipole and orbital-orbital interactions between fluorophore and quencher. For both molecules, the static and dynamic quenching constants by $Cu^{2+}$ were the largest among all the metal quenchers examined in this study. In addition, both the static and dynamic quenching mechanisms by $Cu^{2+}$ were somewhat different from the quenching caused by other metals. Between $Ni^{2+}$ and FLU, a different form of chemical interaction was observed compared with the interaction by other metals. The change in the absorption spectra as a result of the addition of a quencher provided information on static quenching. With all these metals, the static quenching constant of FLU was larger than those of OFL. The fluorescence of OFL was quite insensitive to both the dynamic and static quenching compared with FLU. This property of OFL can be explained by the twisted intramolecular charge transfer in the excited state.
LTV(Light to Voltage) 변환을 위한 APD(Avalanche Photo Diode)는 다른 PD(Photo Diode)와 다르게 높은전압의 동작영역을 사용하므로 TIA(Transimpedance Amplifier) 사용시 과전류 방지를 위해 Quenching 저항을 직렬로 연결하여야 한다. 그러한 경우 Quenching 저항이 TIA 전달함수에 영향을 미쳐 안정도에 심각한 결과를 초래할 수 있다. 본 논문에서는 APD Quenching 저항이 TIA의 전압과 전류 루프 전달함수에 미치는 영향을 분석하여 안정도 개선을 위한 Quenching 저항 값 결정 방법을 제안하고자 한다. 제안된 방법에 의하여 Quenching 저항을 가지는 TIA 회로를 설계하여 시뮬레이션 및 칩 제작을 통하여 동작의 안정도를 검증하였다.
In this study, the direct water quenching technique is applied to validate the applicability of direct water quenching as a cooling method in the hot stamping process of 3.2 mm thick boron steel sheet. Cooling performance of conventional die quenching and direct water quenching is compared. Higher cooling rate is obtained by hot stamping with direct water quenching compared to die quenching. As the flow rate of cooling water increases, the cooling rate increases, and a high cooling rate of 71 ℃/s is achieved under flow rate conditions of 0.8 L/min. Through direct water quenching, the cooling time required for sufficient cooling of the sheet is reduced. Full martensitic microstructure is obtained under flow rate condition of 0.8 L/min. Hardness increases with increasing flow rate. From these results, it is verified that the direct water quenching is applicable to the hot stamping of thick boron steel sheet.
The influences of cooling pressure of quenching process on the mechanical properties such as hardness, impact endurance and anti-thermal fatigue behaviour of STD61 steel were investigated. The specimens were heat-treated using a vacuum furnace in which they were austenitized at $1,030^{\circ}C$ for 1hour under the pressure of $10^{-3}$ torr and cooled with quenching gas of various pressure, i.e. 1, 2 and 6 bar. According to the observation on the specimens prepared with quenching from austenizing temperature, the mechanical properties of the samples with higher quenching pressure were better than those of prepared at lower quenching pressure. The samples prepared with high quenching pressure showed the more homogeneous microstructure with finer carbides. The size of carbides such as VC and (Fe, Cr)C in quenched specimens decreased with increasing gas quenching pressure. It is considered that the rapid cooling with pressure may restrict the formation and growth of carbide.
The electronic excitationenergy quenching of 2, 5-diphenyl-1, 3, 4-oxadiazole (PPD) by Carbon tetrachloride ($CCl_4$) in different solvents viz, n-hexane, n-heptane, toluene, benzene, cyclohexane, 1, 4- dioxane has been carried out at room temperature to understand the role of quenching mechanism. The Stern-Volmer plots have been found to be linear. As probability of quenching per encounter 'p' is less than unity, and the activation energy for quenching '$E_a$' is greater than the activation energy of diffusion '$E_d$', it is inferred that the fluorescence quenching mechanism is not due to material diffusion alone.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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