The structural, electrical and chemical characteristics of Al alloy thin film with low impurity concentrations AlW deposited by using dc magnetron sputtering deposition are investigated for the applications as data bus line in the TFT-LCD panel. The deposited thin films show the decrease of resistivity and the increase of grain size after the RTA at $300^{\circ}C$ for 20 min.. Moreover, the resistivity of AlW does not show appreciable grain size dependence after RTA. It is concluded that the decrease of resistivity after RTA is due to the increase of grain size. The annealed AlW is found to be hillock free. And for investigating chemical attack in TFT-LCD etching processing the electric potential of AlW alloy for Ag/AgCl were investigated by cyclic voltammetry. When W wt.% of AlW alloy was higher than about 3%, the electric potential of AlW was more positive than ITO's. Therefore AlW alloy thin film can be propose to use for data bus line.
For the aerospace structural application of high-strength 2xxx series aluminum alloys, stress corrosion cracking(SCC) behavior in aggressive environments needs to be well understood. In this study, the SCC sensitivities of 2024-T62, 2124-T851 and 2050-T84 alloys in a 3.5 % NaCl solution are measured using a constant load testing method without polarization and a slow strain rate test(SSRT) method at a strain rate of 10-6 /sec under a cathodic applied potential. When the specimens are exposed to a 3.5 % NaCl solution under a constant load for 10 days, the decrease in tensile ductility is negligible for 2124-T851 and 2050-T84 specimens, proving that T8 heat treatment is beneficial in improving the SCC resistance of 2xxx series aluminum alloys. The specimens are also susceptible to SCC in a hydrogen-generating environment at a slow strain rate of $10^{-6}/sec$ in a 3.5 % NaCl solution under a cathodic applied potential. Regardless of the test method, low impurity 2124-T851 and high Cu/Mg ratio 2050-T84 alloys are found to have relatively lower SCC sensitivity than 2024-T62. The SCC behavior of 2xxx series aluminum alloys in the 3.5 % NaCl solution is discussed based on fractographic and micrographic observations.
Sodium hydroxide solutions are often employed as sterilization agents in the pharmaceutical industry. Here, the chloride content is considered as a critical impurity. In this study, an electrochemical method was developed to remove chloride ions (Cl-) through the oxidative deposition of AgCl on a Ag anode. The Cl- content in the commercially available 50% w/w NaOH solution employed was approximately 100 mg Cl-/kg NaOH. As the OH- content is approximately 18,000 times higher than the Cl- content, the formation of AgCl may be expected to be thermodynamically less favorable than the formation of Ag2O. However, activation energies for AgCl and Ag2O formation have been reported to be approximately 3.8 and 31.2 kJ/mol, respectively, and indicate that AgCl formation is favored. AgCl can be selectively produced by controlling the anode potential. Here, the Cl- concentration was reduced to less than 50 mg Cl-/kg NaOH when an anode potential of 0.18 or 0.19 V vs. Hg/HgO (reference electrode) was applied for one hour at 50℃. XRD analysis and visual monitoring of the Ag anode confirmed the oxidative deposition of AgCl on the anode surface as well as the electrochemical desalination of the concentrated NaOH solution.
Even though fuel cell have high efficiency when pure hydrogen from gas tank is used as a fuel source, it is more beneficial to generate hydrogen from city gas (mainly methane) in residential application such as domestic or office environments. Thus hydrogen is generated by reforming process using hydrocarbon. Unfortunately, the reforming process for hydrogen production is accompanied with unavoidable impurities. Impurities such as CO, $CO_2$, $H_2S$, $NH_3$, $CH_4$, and $CH_4$ in hydrogen could cause negative effects on fuel cell performance. Those effects are kinetic losses due to poisoning of the electrode catalysts, ohmic losses due to proton conductivity reduction including membrane and catalyst ionomer layers, and mass transport losses due to degrading catalyst layer structure and hydrophobic property. Hydrogen produced from reformer eventually contains around 73% of $H_2$, 20% or less of $CO_2$, 5.8% of less of $N_2$, or 2% less of $CH_4$, and 10ppm or less of CO. This study is aimed at investigating the effect of carbon dioxide on fuel cell performance. The performance of PEM fuel cell was investigated using current vs. potential experiment, long run(10 hr) test, and electrochemical impedance measurement when the concentrations of carbon dioxide were 10%, 20% and 30%. Also, the concentration of impurity supplied to the fuel cell was verified by gas chromatography(GC).
It is very difficult to get stable ion peak intensity of ruthenium by thermal ionization mass spectrometry because of its high ionization potential and high volatility of its oxides which causes to lose much of ruthenium ions, so the intensity of the signal decrease quickly. Accordingly, a study was performed in oder to increase the ionization efficiency and to prevent sample losses due to volatilization and to check with isobaric effect by impurities in filament for the measurement of ruthenium isotopes. Both single filament and double filament were tested. The former was proved to be more efficient for the stable and strong intensity of signal and revealed less isobaric effect from the molybdenum (Mo) as a filament impurity. Also, when the temperature of filament increased too high, the isobaric effect from Mo greatly appeared. That is, Mo impurity from filament gave a serious effect for measuring the ruthenium isotopes. It was proved to be of importance that filament current should be slowly increased with time interval. Finally, ruthenium isotopes were accurately measured by correction with measuring $^{94}Mo/^{99}Ru$.
Chattopadhyay, S.N.;Overton, C.B.;Vetter, S.;Azadeh, M.;Olson, B.H.;Naga, N. El
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.10
no.3
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pp.213-224
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2010
An optically controlled silicon MESFET (OPFET) was fabricated by diffusion process to enhance the quantum efficiency, which is the most important optoelectronic device performance usually affected by ion implantation process due to large number of process induced defects. The desired impurity distribution profile and the junction depth were obtained solely with diffusion, and etching processes monitored by atomic force microscope, spreading resistance profiling and C-V measurements. With this approach fabrication induced defects are reduced, leading to significantly improved performance. The fabricated OPFET devices showed proper I-V characteristics with desired pinch-off voltage and threshold voltage for normally-on devices. The peak photoresponsivity was obtained at 620 nm wavelength and the extracted external quantum efficiency from the photoresponse plot was found to be approximately 87.9%. This result is evidence of enhancement of device quantum efficiency fabricated by the diffusion process. It also supports the fact that the diffusion process is an extremely suitable process for fabrication of high performance optoelectronic devices. The maximum gain of OPFET at optical modulated signal was obtained at the frequency of 1 MHz with rise time and fall time approximately of 480 nS. The extracted transconductance shows the possible potential of device speed performance improvements for shorter gate length. The results support the use of a diffusion process for fabrication of high performance optoelectronic devices.
Park, Sungeun;Park, Hyomin;Nam, Junggyu;Yang, JungYup;Lee, Dongho;Min, Byoung Koun;Kim, Kyung Nam;Park, Se Jin;Lee, Hae-Seok;Kim, Donghwan;Kang, Yoonmook;Kim, Dongseop
Current Photovoltaic Research
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v.4
no.2
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pp.54-58
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2016
Laser-doped selective emitter process requires dopant source deposition, spin-on-glass, and is able to form selective emitter through SiNx layer by laser irradiation on desired locations. However, after laser doping process, the remaining dopant layer needs to be washed out. Laser-induced melting of pre-deposited impurity doping is a precise selective doping method minimizing addition of process steps. In this study, we introduce a novel scheme for fabricating highly efficient selective emitter solar cell by laser doping. During this process, laser induced damage induces front contact destabilization due to the hindrance of silver nucleation even though laser doping has a potential of commercialization with simple process concept. When the laser induced damage is effectively removed using solution etch back process, the disadvantage of laser doping was effectively removed. The devices fabricated using laser doping scheme power conversion efficiency was significantly improved about 1% abs. after removal the laser damages.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.21
no.2
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pp.71-82
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1984
A programme, called BIPOLE, for the numerical analysis of twotimensional n-p-n bipolar transistors was developed. It has included the SRH and Auger recolnbination processes, the mobility dependence on the impurity density and the electric field, and the band-gap narrowing effect. The finite difference equations of the fundamental semiconductor equations are formulated using Newton's method for Poisson's equation and the divergence theorem for the hole and electron continuity equations without physical restrictions. The matrix of the linearized equations is sparse, symmetric M-matrix. For the solution of the linearized equations ICCG method and Gummel's algorithm have been employed. The programme BIPOLE has been applied to various kinds of the steady-state problems of n-p-n transistors. For the examples of applications the variations of common emitter current gain, emitter and diffusion capacitances, and input and output characteristics are calculated. Three-dimensional representations of some D.C. physical quantities such as potential and charge carrier distributions were displayed. This programme will be used for the nome,rical analysis of the distortion phenom ana of two-dimensional n-p-n transistors. The BIPOLE programme is available for everyone.
;Marca M. Doeff;Abraham Anapolsky;Thomas J. Richardson
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.5
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pp.362-366
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2000
$Li_{0.44}MnO_2$cathode material has high reversibility during lithium insertion processes and is not easily damaged through over-charging or over-discharging. $Mn_2O_3$is often present as an impurity phase, and reduce the electrochemical capacity of electrode because this phase is electrochemically inert. Adding of excess NaOH reduced the $Mn_2O_3$to the content under undetectable by X-ray diffraction. Because the capacity can be increased in the cathode materials with larger unit cell, some of the manganese was replaced with titanium having larger ion size, and powders with the formula $Li_{0.44}T_{iy}Mn_{1-y}O_2$(where y = 0.11, 0.22, 0.33, 0.44, and 0.55) was synthesized and characterized. A maximum reversible capacity of 150 mAh/g was obtained for $Li/P(EO)_8$LiTFSI/$Li_{0.44}Ti_{0.22}Mn_{0.78}O_2$cells in electrochemical potential spectroscopy (ECPS) experiments. Cells with the titanium-doped manganese oxides exhibited a fade rate of 0.12 % or less per cycle.
An, Se-Hwan;Kim, Se-Hoon;Lee, Jin-Ho;Hong, Hyun-Seon;Kim, Young-Do
Korean Journal of Materials Research
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v.21
no.6
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pp.327-333
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2011
Nanostructured cobalt materials have recently attracted considerable attention due to their potential applications in high-density data storage, magnetic separation and heterogeneous catalysts. The size as well as the morphology at the nano scale strongly influences the physical and chemical properties of cobalt nano materials. In this study, cobalt nano particles synthesized by a a polyol process, which is a liquid-phase reduction method, were investigated. Cobalt hydroxide ($Co(OH)_2$), as an intermediate reaction product, was synthesized by the reaction between cobalt sulphate heptahydrate ($CoSO_4{\cdot}7H_2O$) used as a precursor and sodium hydroxide (NaOH) dissolved in DI water. As-synthesized $Co(OH)_2$ was washed and filtered several times with DI water, because intermediate reaction products had not only $Co(OH)_2$ but also sodium sulphate ($Na_2SO_4$), as an impurity. Then the cobalt powder was synthesized by diethylene glycol (DEG), as a reduction agent, with various temperatures and times. Polyvinylpyrrolidone (PVP), as a capping agent, was also added to control agglomeration and dispersion of the cobalt nano particles. The optimized synthesis condition was achieved at $220^{\circ}C$ for 4 hours with 0.6 of the PVP/$Co(OH)_2$ molar ratio. Consequently, it was confirmed that the synthesized nano sized cobalt particles had a face centered cubic (fcc) structure and with a size range of 100-200 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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