• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.173-176
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• 2004

In this study we investigated post ELA(Excimer Laser Annealing) effect on SMC (Silicide Mediated Crystalization) poly-Si (Polycrystalline Silicon) to improve the characteristics of poly-Si. Combining SMC and XeCl ELA were used to crystallize the a-Si (amorphous Silicon) at various ELA energy density for LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon). We fabricated the conventional SMC poly-Si with no SPC (Solid Phase Crystallization) phase using UV heating method[1] and irradiated excimer laser on SMC poly-Si, so called SMC-ELA poly-Si. After using post ELA we can get better surface morphology than conventional ELA poly-Si and enhance characteristics of SMC poly-Si. We also observed the threshold energy density regime in SMC-ELA poly-Si like conventional ELA poly-Si.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제45권3호
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• pp.13-19
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• 2008

본 논문은 신뢰할 수 있는 에지 방향을 이용한 새로운 IPC(Interlace to Progressive Conversion) 방법을 제안한다. 기존의 IPC에 사용되는 ELA(Edge Line based Average) 알고리즘들은 잡음에 대한 고려가 없이 보간하고자 하는 에지 방향의 화소들을 선형보간 한다. 그러나 영상에 잡음이 존재할 경우, 잡음에 의해 잘못된 에지 방향을 찾아 열화된 영상을 얻을 수 있다. 본 논문에서 제안하는 방법은 기존 ELA 알고리즘이 잡음 영상에서 IPC할 때 생기는 문제점을 개선하는 알고리즘이다. 먼저 잡음을 제거하는 필터링과 동시에, 잡음이 없는 원화소의 색상 크기와 잡음의 크기를 추정한다. 이에 따라 잡음의 크기를 고려하여 ELA 방법과 수직보간 방법에 가중치를 주어 보간 값을 구한다. 이 후 잡음이 존재할 경우 포스트 필터링(Post Filtering)을 거쳐 잔재해 있는 잡음을 제거해준다. 실험결과에서 제안하는 알고리즘이 기존 ELA 알고리즘들 보다도 약 $1{\sim}2$ dB 향상된 결과를 보인다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.1153-1154
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• 2008

본 논문에서는 ELA(Edge Line based Average) 알고리즘이 잡음 영상에서 IPC할 때 생기는 문제점을 개선하는 알고리즘을 제안한다. 먼저 잡음을 제거하는 필터링과 동시에 잡음이 없는 원화소의 크기와 잡음의 크기를 추정한다. 이에 따라 잡음의 크기를 고려하여 ELA 방법과 수직보간 방법에 가중치를 주어 보간값을 구한다. 이 후 잡음이 존재할 경우 포스트 필터링(Post Filtering)을 거쳐 잔재해 있는 잡음을 제거해준다. 실험결과 제안하는 알고리즘이 기존 ELA 알고리즘들 보다도 향상된 결과를 보인다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1772-1775
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• 2000

We have fabricated poly-Si TFTs by two-step crystallizaton. Poly-Si films have been prepared by furnace annealing(FA) and rapid thermal annealing(RTA) followed by subsequent the post-annealing, excimer laser annealing. The measured crystallinity of RTA and FA annealed poly-Si film is 77% and 68.5%, respectively. For two-step annealed poly-Si film, the crystallinity has been drastically to 87.7% and 86.3%. The RMS surface roughness from AFM results have been improved from 56.3${\AA}$ to 33.5${\AA}$ after post annealing. The measured transfer characteristics of the two-step annealed poly-Si TFTs have been improved significantly for the both FA-ELA and RTA-ELA. Leakage currents of two-step annealed poly-Si TFTs are lower than that of the devices by FA and RTA. From these results, we can describe the fact that the intra-grain defects has been cured drastically by the post-annealing.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.120-121
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• 2007

Nano-floating gate memory (NFGM) devices were fabricated by using the low temperature poly-Si thin films crystallized by ELA and the $In_2O_3$ nano-particles embedded in polyimide layers as charge storage. Memory effect due to the charging effects of $In_2O_3$ nano-particles in polyimide layer was observed from the TFT NFGM. The post-annealing in 3% diluted hydrogen $(H_2/N_2)$ ambient improved the retention characteristics of $In_2O_3$ nano-particles embedded poly-Si TFT NFGM by reducing the interfacial states as well as grain boundary trapping states.