Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.341-341
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2012
Recently, oxide semi-conductor materials have been investigated as promising candidates replacing a-Si:H and poly-Si semiconductor because they have some advantages of a room-temperature process, low-cost, high performance and various applications in flexible and transparent electronics. Particularly, amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) is an interesting semiconductor material for use in flexible thin film transistor (TFT) fabrication due to the high carrier mobility and low deposition temperatures. In this work, we demonstrated improvement of flexibility in IGZO TFTs, which were fabricated on polyimide (PI) substrate. At first, a thin poly-4vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate for making a smooth surface up to 0.3 nm, which was required to form high quality active layer. Then, Ni gate electrode of 100 nm was deposited on the bare PVP layer by e-beam evaporator using a shadow mask. The PVP and $Al_2O_3$ layers with different thicknesses were used for organic/inorganic multi gate dielectric, which were formed by spin coater and atomic layer deposition (ALD), respectively, at $200^{\circ}C$. 70 nm IGZO semiconductor layer and 70 nm Al source/drain electrodes were respectively deposited by RF magnetron sputter and thermal evaporator using shadow masks. Then, IGZO layer was annealed on a hotplate at $200^{\circ}C$ for 1 hour. Standard electrical characteristics of transistors were measured by a semiconductor parameter analyzer at room temperature in the dark and performance of devices then was also evaluated under static and dynamic mechanical deformation. The IGZO TFTs incorporating hybrid gate dielectrics showed a high flexibility compared to the device with single structural gate dielectrics. The effects of mechanical deformation on the TFT characteristics will be discussed in detail.
The purpose of this study is to research and develop solid polymer electrolyte(SPE) for Li secondary battery. This paper describes the effects of lithium salts, plasticizer addition and temperature dependence of conductivity of PEO electrolytes. Polyethylene oxide(PEO) based polymer electrolyte films were prepared by solution casting an acetonitrile solution of preweighed PEO and Li salt. After solvent evaporation, the electrolyte films were vacuum-dried at $60^{\circ}C$ for 48h, the thickness of the films were $90{\sim}110{\mu}m$. The conductivity properties of prepared PEO electrolytes are summarized as follows. PEO electrolyte complexed with $LiClO_4$ shows the better conductivity of the others. $PEO-LiClO_4$ electrolyte when $EO/Li^+$ ratio is 8, showed the best conductivity. Optimum operating temperature of PEO electrolyte is $60^{\circ}C$. By adding propylene carbonate and ethylene carbonate to $PEO-LiClO_4$ electrolyte, its conductivity was higher than $PEO-LiClO_4$ without those. Also $PEO_8LiClO_4$ electrolyte remains static up to 4.5V vs. $Li/Li^+$.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.5
no.3
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pp.159-167
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2005
Quantization effects (QEs), which manifests when the device dimensions are comparable to the de Brogile wavelength, are becoming common physical phenomena in the present micro-/nanometer technology era. While most novel devices take advantage of QEs to achieve fast switching speed, miniature size and extremely small power consumption, the mainstream CMOS devices (with the exception of EEPROMs) are generally suffering in performance from these effects. In this paper, an analytical model accounting for the QEs and poly-depletion effects (PDEs) at the silicon (Si)/dielectric interface describing the capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics of MOS devices with thin oxides is developed. It is also applicable to multi-layer gate-stack structures, since a general procedure is used for calculating the quantum inversion charge density. Using this inversion charge density, device characteristics are obtained. Also solutions for C-V can be quickly obtained without computational burden of solving over a physical grid. We conclude with comparison of the results obtained with our model and those obtained by self-consistent solution of the $Schr{\ddot{o}}dinger$ and Poisson equations and simulations reported previously in the literature. A good agreement was observed between them.
Kim, Il;Kwak, Chang-Hun;Son, Gi-Wan;Kim, Jae-Sung;Sinoj Abraham;Bijal K. B.;Ha, Chang-Sik;Kim, Bu-Ung;Jo, Nam-Ju
Macromolecular Research
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v.12
no.3
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pp.316-321
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2004
We have performed copolymerizations of ethylene with 1-hexene using various ansa-metallocene compounds in the presence of the non-coordinative [CPh$_3$][B(C$\_$6/F$\_$5/)$_4$ion pair as a cocatalyst. The metallocenes chosen for this study are isospecific metallocene diamide compounds, rac-(EBI)Zr(NMe$_2$)$_2$ [1, EBI = ethylene-l ,2-bis(1-indenyl)], rac-(EBI)Hf(NMe$_2$)$_2$ (2), rac-(EBI)Zr(NC$_4$H$\_$8/)$_2$ (3), and rac-(CH$_3$)$_3$Si(1-C$\_$5/H$_2$-2-CH$_3$-4-$\^$t/C$_4$H$\_$9/)2 Zr(NMe$_2$)$_2$ (4), and syndiospecific metallocene dimethyl compounds, ethylidene(cyclopentadienyl)(9-fluorenyl) ZrMe$_2$ [5, Et(Flu)(Cp )ZrMe$_2$] and isopropylidence (cyclopentadienyl)(9-fluorenyl)ZrMe$_2$ [6, iPr(Flu)(Cp)ZrMe$_2$]. The copolymerization rate decreased in the order 4 >1-3>2 >5>6. The reactivity of I -hexene decreased in the order 2 >6>1- 3-5> 4. We characterized the microstructure of the resulting poly(ethylene-co-l-hexene) by $\^$l3/C NMR spectroscopy and investigated various other properties of the copolymers in detail.
Kim, Mi-Hwa;Jeoung, See-Hwa;Lee, Seung-Woong;Kim, Hyun-Kyu;Park, Chan-Sun;Jeon, Byung-Hun;Oh, Hyun-Mee;Rho, Mun-Chual
Journal of Physiology & Pathology in Korean Medicine
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v.26
no.4
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pp.511-518
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2012
The mechanisms of Toll-like receptor (TLR) signaling have been the focus of extensive studies because TLRs are the target of therapeutic intervention on multiple diseases. In this study, we investigated the inhibitory potential of Vigna angularis (azuki bean) on the TLR signaling. The effect of Vigna angularis extract (JSD) on TLR activation was investigated by assessing NF-${\kappa}B$ and AP-1 inducible secreted embryonic alkaline phosphatase (SEAP) activity. JSD significantly inhibited SEAP activity induced by poly I:C (TLR3 ligand) and poly I (TLR7 ligand) in a dose-dependent manner at concentration below 100 ${\mu}g/ml$ with no sign of cytotoxicity. Pretreatment of JSD markedly suppressed mRNA expressions of pro-inflammatory cytokines and adhesive molecules such as TNF-${\alpha}$, IL-6, RANTES, MCP-1 and ICAM-1 induced by TLR ligands. It also diminished the phosphorylation of $I{\kappa}B$ kinase and $I{\kappa}B$, and followed by $I{\kappa}B$-mediated nuclear translocation of p50, p65, and phosphorylation of p38, JNK, and IRF signaling pathway. In conclusion, our results suggest that Vigna angularis has inhibitory activity on TLR-3 and -7 signaling and it can be further developed as a remedy in curing TLR-related multiple diseases.
사람 성장호르몬 수용체(hGHR) cDNA는 PCR방법에 의하여 fagment로서 보고되어진 바 있으나, liver cDNA로 부터 전장을 cloning한 보고는 없는 실정으로 본 연구에서는 기능을 가진 약 4.6kbp의 cDNA hGHR을 cloning 하는데 성공하였다. 먼저 cloning하기 위하여 human liver mRNA와 human breast cancer tissue로부터 회수한 mRNA를 RT-PCR방법에 의하여 human cDNA library와 cloning에 필요한 probe를 제작하였다. human library mRNA는 GT-PCR방법에 의하여 증폭하여 증폭되어진 산물은 λZAP Vector를 이용하여 cDNA library를 구축하였고,screeing을 위하여 임 보고 되어진 hGHR fragment native sequence를 기초로 N-terminal부분의 primer를 설계하여 950bp의 probe를 얻는데 성공하였다. 이 probe를 이용하여 준비된 human liver cDNA library로부터 2.5$\times$10 6개의 plaque로부터 6개의 positive clone을 획득하였고, 이들중 poly Asignal인 "AATAAA"를 포함하고 있는 가장 긴 약 3.8kbp의 clone을 sequencing한 결과 open reading frame을 포함하고 있었으나, 5'부분의 결손되어 있었다. 그리하여 이 부분은 human breast cancer tissue로 부터 회수한 mRNA를 RT-PCR에 의하여 증폭하였고, sequencing결과 이미 보고되어진 native hGHR와 비교한 결과 하나의 nucleotide가 silent mutation으로 판명되었다.한편 human liver cDNA library로부터 cloning한 3.8cp의 positive clone의 5'end의 결손된 부분에 silent mutation된 PCR 산물을 연결함으로써 native hGHR와 유사한 cDNA hGHR subcloning에 성공하였다. 이러한 cDNA hGHR의 clone이 function을 가지고 있는지를 검토하기 위하여 eukaryotic 발현 vector인 pCXN2에 의거 ligation한 후 chinese hamster ovary cell[CHO-KI]에 transfect를 실시하였다. Dexamethasone은 첨가하지 않고 hGH만의 존재하에서 이들 cell을 배양시키고 cell menbrane에서 발현 여부를 판정키 위하여 hGHR monocloual antibody를 사용하여 flow cytometery해석을 실시하는 한편 125I-hGH binding assay에 의하여 hGH binding activity를 측정하였다. 최종적으로 GH signal transduction의 target genedf으로 알려져 있는 serine protease inhibitor 2.1(Spi 2.1) gene의 promotor activity를 검토한 결과 hGHR을 transfect한 CHO Cell에 있어서 hGH의 농도에 의존적으로 증가되었다. 따라서 본 실험에서 cloning한 cDNA hGHR는 native hGHR와 같은 기능을 가지는 것으로 판명되었다.것으로 판명되었다.
Yang J.S.;Kim G.H.;Yang S.C.;Lee I.J.;Kim M.S.;Lee D.J.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2005.06a
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pp.1566-1570
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2005
The aspherical lenses are used as optical lens of HMD optical system. The optimum cutting condition of PMMA lens sample with ultra precision SPDT, the diamond tool nose radius, the cutting speed, the feed rate, the depth of cut, and cutting fluid type are found. The demanded surface roughness 10 nm Ra, aspherical form error $1.0\;\mu{m}$ P-V for aspherical lens of optical data storage device are satisfied.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.10a
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pp.43.1-43.1
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2011
Hydrogenated amorphous Si (a-Si:H), low temperature poly Si (LTPS) 등 기존 thin film transistors (TFTs)에 사용되던 채널 물질을 대체할 재료로써 다양한 연구가 진행되고 있는 amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO)는 TFT에 적용하였을 때 뛰어난 전기적 특성과 재연성을 나타낼 뿐만 아니라 넓은 밴드갭을 가져 투명소자로도 응용이 가능하다. 본 연구에서는 a-IGZO의 열처리에 따른 소자의 전기적 특성과 조성 분포의 관계를 확인하기 위해 다음과 같이 실험을 진행하였다. Si/SiO2 기판 위에 DC sputter를 이용하여 IGZO를 증착하고 $350^{\circ}C$에서 열처리를 한 후 evaporator로 Al 전극을 형성시켰다. 이 때 전기적 특성의 변화를 비교하기 위해 열처리 한 샘플과 열처리 하지 않은 샘플에 대해 I-V 특성을 측정하였고, 채널 내부의 조성 분포 변화를 transmission electron microscopy (TEM)의 energy dispersive spectrometer (EDS)를 이용하여 관찰하였다. 그 결과 열처리 된 a-IGZO 채널 층의 산소 비율이 감소하였으며 전체적인 조성이 고르게 분포 되었고 전기적 특성은 향상되었다.
We have developed 154kV XLPE (Cross-linked Poly-ethylene) Cable accessories which show excellent performances. The results obtained from experiments using miniature model justified our electrical design and adopted materials, and assembly tests verified higher reliability of these accessories. Basic concepts of design and test, test results and failure analysis are presented.
A new p-type conjugated copolymer, poly(9,10-diethynylanthracene-alt-9,9-didodecylfluorene (PDADF) was synthesized through a Sonogashira coupling reaction. A solution-processed thin film transistor device showed a carrier mobility value of $6.0\;{\times}\;10^{-4}\;cm^2/Vs$ with a threshold voltage of -17 V and a capacitance ($C_i$) of $10\;nF/cm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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