Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의해 성장된 $AgGaSe_2$ 에피레이어의 점결함 연구
(Point defect for $AgGaSe_2$ epilayers grown by hot wall epitaxy)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- pp.98-99
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- 2008