Fe-l7Cr-2M(M=Si, Nb, Mo) alloy powder was prepared by plasma electrode rotating atomizer and than the alloy powder was formed and sintered. The particle shape of the Fe-l7Cr-2M(M=Si, Nb, Mo) alloy power is spherical. The saturation magnetization of the sintered Fe-17Cr-2Mo and Fe-l7Cr-2Nb alloy are 155 emu/g. The saturation magnetization of the sintered Fe-l7Cr-2Si alloy is less than that of the sintered Fe-l7Cr-2Mo and Fe-l7Cr-2Nb alloy. The amplitude relative permeability of the sintered Fe-l7Cr-2M(M=Si, Nb, Mo) alloy has the maximum value in the range of 3∼5 Oe applied field at forming pressure 12 ton/cm$^2$, sintering temperature 1200$^{\circ}C$, and frequency 1 kHz. Power loss of the sintered Fe-l7Cr-2Nb alloy is 40 mW/cc at applied field, H$\sub$a/=5 Oe, and frequency, f=1 kHz. The power loss of the sintered Fe-l7Cr-2Nb alloy is a half of that of the sintered Fe-l7Cr-2Si and Fe-l7Cr-2Mo alloy.
Nano-magnetic materials such as iron-nitrides have been actively studied as an alternative to the application of high density, high performance needs for next generation information storage and also alternative to the rare earth and neodymium magnet. $Fe_4N$ is the basic materials for magnetic storage media and is one of the important magnetic materials in focus because of its higher magnetic recording density and chemical stability. Single phase ${\gamma}^{\prime}-Fe_4N$ nanoparticles have been prepared by a PAD (Plasma Arc Discharge) method and nitriding in a $NH_3-H_2$ mixed gases at temperature, $400^{\circ}C$ for 4 hrs. Also $Fe_{17}Sm_2N_x$ powders were synthesized by nitriding after reduction/diffusion of $Fe_{17}Sm_2$ to compare the magnetic properties with nano-sized $Fe_4N$ particles. The saturation magnetization of $Fe_4N$ and $Fe_{17}Sm_2N_x$ were 149 and 117 emu/g, respectively, but the coercive force was considerably smaller than that of bulk or acicular $Fe_4N$.
Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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v.8
no.1
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pp.33-39
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2010
The electrolytic reduction of a spent oxide fuel involves a liberation of the oxygen in a molten LiCl electrolyte, which results in a chemically aggressive environment that is too corrosive for typical structural materials. Accordingly, it is essential to choose the optimum material for the processing equipment that handles the high molten salt. In this study, hot corrosion studies were performed on bare as well as coated superalloy specimens after exposure to lithium molten salt at $675^{\circ}C$ for 216 h under an oxidizing atmosphere. The IN713LC superalloy specimens were sprayed with an aluminized NiCrAlY bond coat and then with an $Y_2O_3$ top coat. The bare superalloy reveals an obvious weight loss due to spalling of the scale by the rapid scale growth and thermal stress. The chemical and thermal stability of the top coat has been found to be beneficial for increasing to the corrosion resistance of the structural materials for handling high temperature lithium molten salts.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.8
no.7
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pp.1448-1452
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2004
In this paper, a photodiode capable of obtaining a sufficient photo/ dark current ratio at both a forward bias state and a reverse bias state is proposed. The photodiode includes a glass substrate, an Cr thin film formed as a lower electrode over the glass substrate, Cr silicide thin film(∼l00$\AA$) ) formed as a schottky barrier over the Cr thin film, a hydrogenated amorphous silicon film formed as a photo conduction layer over a portion of the Cr silicide thin film. Transparent conduction film ITO (thickness 100nm) formed as an upper electrode over the hydro-generated amorphous silicon film is then deposited in pure argon at room temperature for the Schottky contact and light window. The high quality Cr silicide thin film using annealing of Cr and a-Si:H is formed and analyzed by experiment. We have obtained the film with a superior characteristics. The dark current of the ITO/a-Si:H Schottky at a reverse bias of -5V is ∼3$\times$IO-12 A/un2, and one of the lowest reported, hitherto. AES(Auger Electron Spectroscophy) measurements indicate that this notable improvement in device characteristics stems from reduced diffusion of oxygen, rather than indium, from the ITO into the a-Si:H layer, thus, preserving the integrity of the Schottky interface. The spectral response of the photodiode for wavelengths in the range from 400nm to 800nm shows the expected behavior whereby the photocurrent is governed by the absorption characteristics of a-Si:H.
Monitor of All-sky X-ray Image (MAXI) is a Japanese X-ray all-sky surveyer mounted on the International Space Station (ISS). It has been scanning the whole sky since 2009 during every 92-minute ISS rotation. X-ray transients are quickly found by the real-time nova-search program. As a result, MAXI has issued 133 Astronomer's Telegrams and 44 Gamma-ray burst Coordinated Networks so far. MAXI has discovered six new black holes (BH) in 4.5 years. Long-term behaviors of the MAXI BHs can be classified into two types by their outbursts; a fast-rise exponential-decay type and a fast-rise flat-top one. The slit camera is suitable for accumulating data over a long time. MAXI issued a 37-month catalog containing 500 sources above a ~0.6 mCrab detection limit at 4-10 keV in the region ${\mid}{b}{\mid}$ > $10^{\circ}$. The SSC instrument utilizing an X-ray CCD has detected diffuse soft X-rays extending over a large solid angle, such as the Cygnus super bubble. MAXI/SSC has also detcted a Ne emission line from the rapid soft X-ray nova MAXI J0158-744. The overall shapes of outbursts in Be X-ray binaries (BeXRB) are precisely observed with MAXI/GSC. BeXRB have two kinds of outbursts, a normal outburst and a giant one. The peak dates of the subsequent giant outbursts of A0535+26 repeated with a different period than the orbital one. The Be stellar disk is considered to either have a precession motion or a distorted shape. The long-term behaviors of low-mass X-ray binaries (LMXB) containing weakly magnetized neutron stars are investigated. Transient LMXBs (Aql X-1 and 4U 1608-52) repeated outbursts every 200-1000 days, which is understood by the limit-cycle of hydrogen ionization states in the outer accretion disk. A third state (very dim state) in Aql X-1 and 4U 1608-52 was interpreted as the propeller effect in the unified picture of LMXB. Cir X-1 is a peculiar source in the sense that its long-term behavior is not like typical LMXBs. The luminosity sometimes decreases suddenly at periastron. It might be explained by the stripping of the outer accretion disk by a clumpy stellar wind. MAXI observed 64 large flares from 22 active stars (RS CVns, dMe stars, Argol types, young stellar objects) over 4 years. The total energies are $10^{34}-10^{36}$ erg $s^{-1}$. Since MAXI can measure the spectrum (temperature and emission measure), we can estimate the size of the plasma and the magnetic fields. The size sometimes exceeds the size of the star. The magnetic field is in the range of 10-100 gauss, which is a typical value for solar flares.
Shim, Woo-Young;Kim, Do-Hun;Lee, Kyoung-Il;Jeon, Kye-Jin;Lee, Woo-Young;Chang, Joon-Yeon;Han, Suk-Hee;Jeung, Won-Young;Johnson, Mark
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.17
no.4
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pp.166-171
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2007
We report the magneto-transport properties of an individual single crystalline Bi nanowire grown by a spontaneous growth method. We have successfully fabricated a four-terminal device based on an individual 400-nm-diameter nanowire using plasma etching technique to remove an oxide layer forming on the outer surface of the nanowire. The transverse MR (2496% at 110 K) and longitudinal MR ratios (38% at 2 K) for the Bi nanowire were found to be the largest known values in Bi nanowires. This result demonstrates that the Bi nanowires grown by the spontaneous growth method are the highest-quality single crystalline in the literatures ever reported. We find that temperature dependence of Fermi energy ($E_F$) and band overlap (${\triangle}_0$) leads to the imbalance between electron concentration ($n_e$) and hole concentration ($n_h$) in the Bi nanowire, which is good agreement with the calculated $n_e\;and\;n_h$ from the respective density of states, N(E), for electrons and holes. We also find that the imbalance of $n_e\;and\;n_h$ plays a crucial role in determining magnetoresistance (MR) at T<75 K for $R_T$ and at T<205 K for $R_L$, while mean-free path is responsible for MR at T>75 K for $R_T$ and T>205 K for $R_L$.
Vacuum is any air or gas pressure less than a prevailing pressure in an environmental or, specifically, any pressure lower than the atmospheric pressure and is used by a wide variety of scientists and engineering - including clean environment, thermal insulation, very long mean free path, plasma, space simulation[1]. The space environment is characterized by such a severe condition as high vacuum, and very low and high temperature. Since a satellite will be exposed to such a space environment as soon as it goes into its orbit, space environmental test should be carried out to verify the performance of the satellite on the ground under the space environmental conditions. A general and widely used method to simulate the space environment is using a thermal vacuum chamber which consists of vacuum vessel and thermally controlled shroud. As indicated by name of vacuum chamber, the vacuum technology is applied to design and manufacture of the thermal vacuum chamber. This paper describe the vacuum technology which is applied to space business.
In this study, the effects of multi-dipole type of magnets on the characteristics of the inductively coupled plasmas and $SiO_2$ etch properties were investigated. As the magnets, 4 pairs of permanent magnets were used and, to etch $SiO_2, C_2F_6, CHF_3, C_4F_8, H_2$, and their combinations were used. The characteristics of the magnetized inductively coupled plasmas were investigated using a Langmuir probe and an optical emission spectrometer, and $SiO_2$ etch rates and the etch selectivity over photoresist were measured using a stylus profilometer. The use of multi-dipole magnets increased the uniformity of the ion density over the substrate location even though no significant increase of ion density was observed with the magnets. The use of the magnets also increased the electron temperature and radical densities while reducing the plasma potential. When $SiO_2$ was etched using the fluorocarbon gases, the significant increase of $SiO_2$ etch rates and also the increase of etch uniformity over the substrate were obtained using the magnets. In case of gas combinations with hydrogen, $C_4F_8/H_2$ showed the highest etch rates and etch selectivities over photoresist among the gas combinations with hydrogen used in the experiment. By optimizing process parameters at 1000 Watts of inductive power with the magnets, the highest $SiO_2$ etch rate of 8000 $\AA$/min could be obtained for 50% $C_4F_8/50% H_2$.
$PbTiO_3$ films were fabricated by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD). Deposition characteristics of $PbTiO_3$films on $RuO_2$ and Pt substrates were investigated with varying the flow rate of metalorganic source and substrate temperature. The residence time of Pb-oxide molecules in much longer on $RuO_2$ than on Pt substrate, while the perovskite nucleation is more difficult on $RuO_2$ than on Pt substrate. Therefore, the process conditions to obtain the single perovskite $PbTiO_3$ phase are more restricted on $RuO_2$ than on Pt substrates. An introduction of Ti-oxide seed layer increases perovskite nucleation density and thus enlarges the process window to obtain the single perovkite phase. The introduction of Ti-oxide seed layer make the PZT film that Ti-components of $PbTiO_3$ are partially substituted with Zr atoms have single perovskite phase for the wide range of Zr/(Zr+Ti) concentration ratios.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.6
no.4
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pp.1-7
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1999
We developed Fabrication process of embedded passive components in MCM-D substrate. The proposed MCM-D substrate is based on Cu/photosensitive BCB multilayer. The substrate used is Si wafer and Ti/cu metallization is used to form the interconnect layer. Interconnect layers are formed with 1000$\AA$ Ti/3000$\AA$ Cu by sputtering method and 3$\mu\textrm{m}$ Cu by electrical plating method. In order to form the vias in photosensitive BCB layer, the process of BCB and plasma etch using $C_2F_6$ gas were evaluated. The MCM-D substrate is composed of 5 dielectric layers and 4 interconnect layers. Embedded resistors are made with NiCr and implemented on the $2^{nd}$ dielectric layer. The sheet resistance of NiCr is controlled to be about 21 $\Omega$/sq at the thickness of 600$\AA$. The multi-turn sprial inductors are designed in coplanar fashion on the $4^{th}$ interconnect layer with an underpass from the center to outside using the lower $3^{rd}$ interconnect layer. Capacitors are designed and realized between $1^{st}$ interconnect layer and $2^{nd}$ interconnect layer. An important issue in capacitor is the accurate determination of the dielectric thickness. We use the 900$\AA$ thickness of PECVD silicon nitride film as dielectric. Capacitance per unit area is about 88nF/$\textrm {cm}^2$at the thickness of 900$\AA$. The advantage of this integration process is the compatibility with the conventional semiconductor process due to low temperature PECVD silicon nitride process and thermal evaporation NiCr process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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