Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.05a
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pp.86-90
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2006
Discharge of the flat lamp lighting source research are requested very much. For improving brightness, life time, efficiency of flat lamp, plasma diagnosis of the f1at lamp lighting source to understand property of lighting source is very important. Distance of discharge electrode is 5.5mm and width is 16.5mm, we have measured electron temperature and electron density measured with single Langmuir probe in flat lamp. We have tested the discharge from 100 Torr to 300 Torr pressure. The pulse is rectangular pulse with frequency 20kHz and duty ratio 20%. In result, electron temperature decreases and electron density increase as increase the gas pressure and electron temperature decreases and electron density increase as increase the voltage.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.11
no.4
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pp.166-169
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2010
In this study, we changed the etch parameters (gas mixing ratio, radio frequency [RF] power, direct current [DC]-bias voltage, and process pressure) and then monitored the effect on the $HfAlO_3$ thin film etch rate and the selectivity with $SiO_2$. A maximum etch rate of 108.7 nm/min was obtained in $Cl_2$ (3 sccm)/$BCl_3$ (4 sccm)/Ar (16 sccm) plasma. The etch selectivity of $HfAlO_3$ to $SiO_2$ reached 1.11. As the RF power and the DC-bias voltage increased, the etch rate of the $HfAlO_3$ thin film increased. As the process pressure increased, the etch rate of the $HfAlO_3$ thin films increased. The chemical state of the etched surfaces was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy. According to the results, the etching of $HfAlO_3$ thin film follows the ion-assisted chemical etching.
Conventional backlight for liquid crystal display (LCD) uses mercury which leads to environmental pollution. In this study, characteristics of AC coplanar type mercury-free plasma flat lamp have been studied. Pollution-free Xe-He is adopted as a discharge gas system. Since the Xe gas has a lower efficiency in generating vacuum ultraviolet (VUV) than mercury, the improvement of luminance and luminous efficiency in the Xe gas system is very important. The electrode, dielectric, and phosphor layers constituting lamp are formed on the bottom glass by the screen printing method. The effects of pulse shape, on-time, and pulse frequency on the luminance and luminous efficiency have been examined. For Xe(5%)-He gas, the lamp exhibits higher efficiency with sharper pulse shape, higher peak voltage, and shorter pulse on-time (up to 2 $\mu\textrm{s}$). Higher efficiency and lower consumption of power were obtained at 30 kHz than at 60 kHz. The collision of ion to bottom electrodes is a dominant factor to raise the lamp temperature. Therefore the high voltage and low current discharge system is necessary for reduction of the lamp temperature as well as for enhancement of the luminous efficiency.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.582-582
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2013
Oxide TFT (thin film transistor) active channel layer에 대한 저온 열처리 공정은 투명하고 flexibility을 기반으로하는 display 산업과 AMOLED (active matrix organic light emitting diode) 분야 등 다양한 분야에서 필요로 하는 기술로서 많은 연구가 이루어지고 있다. 과거 active layer는 ALD (atomic layer deposition), CVD (chemical vapor deposition), pulse laser deposition, radio frequency-dc (RF-dc) magnetron sputtering 등과 같은 고가의 진공 장비를 이용하여 증착 되어져 왔으나 현재에는 진공 장비 없이 spin-coating 후 열처리 하는 저가의 공정이 주로 연구되어 지고 있다. Flexible 기판들은 일반적인 OTFT (oxide thin films Transistor)에 적용되는 열처리 온도로 공정 진행시 열에 의한 기판의 손상이 발생한다. Flexible substrate의 열에 의한 기판 손상을 막기 위해 저온 열처리 공정이 연구되고 있지만 기존 열처리와 비교하여 소자의 특성 저하가 동반 되었다. 본 연구에서는 Si 기판위에 SiO2 (100)를 절연층으로 증착하고 그 위에 IZO (indium zinc oxide) solution을 spin-coating 한뒤 $250^{\circ}C$ 이하의 온도에서 열처리하였다. 저온 공정으로 인하여 소자의 특성 저하가 동반 되었으므로 소자의 저하된 특성 복원하고자 post-treatment로 고가의 진공장비가 필요 없고 roll-to roll system 적용이 수월한 remote-type의 APP (atmospheric pressure plasma) 처리를 하였다. Post-treatment로 APP를 이용하여 $250^{\circ}C$ 이하에서 소자에 적용 가능한 on/off ratio를 얻을 수 있었다.
The potent environmental contaminant, 2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-p-dioxin (TCDD), induces thymus atrophy in experimental animals. However, its mechanism of action is not fully understood. To gain insight into its immunosuppressive effect, Balb/c mice were intraperitoneally injected with TCDD ($30{\mu}g/kg$ body weight) and genes regulated by TCDD were identified using cDNA arrays [Park and Lee (2002)]. One of the regulated genes was that for plasma glutathione peroxidase (pGPx). Upon TCDD injection, pGPx mRNA levels in the thymus increased, in parallel with increases in GPx activity and the frequency of anti-human pGPx antibody-reactive cells. pGPX mRNA levels were also moderately up-regulated in the testis and spleen. This is the first report that a particular isotype of the glutathione peroxidase family is regulated by TCDD at both mRNA and protein levels. pGPx is expressed in various tissues in contact with body fluids, and detoxifies hydrogen peroxides and lipid hydroperoxides. It will be of interest to assess the role of pGPx in TCDD-induced thymic atrophy.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.2
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pp.108-113
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2017
We investigated the effect of graphite electrode geometry and combination on nanocarbon material synthesis using underwater discharge plasma(UDP). The UDP system consists of two graphite electrodes and beaker filled with de-ionized water. A high voltage of 15 kV with a frequency of 25 kHz is applied to produce UDP using an alternating-current power source. The UDP system with conical electrodes produced the largest amount of products due to the concentration of electrical fields between electrodes. In addition, hollow-shaped stationary electrode and conical-shaped moving electrode stores discharge-induced bubbles and maintains longer reaction time. We found from Raman spectroscopy and electron microscopy that high quality carbon nanomaterials including carbon nanotubes are synthesized by the UDP system.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.31
no.4
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pp.244-248
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2018
We propose a method for improving the reliability of a solar cell by applying a fluorinated surface coating to protect the cell from the outdoor environment using an atmospheric pressure plasma (APP) treatment. An APP source is operated by radio frequency (RF) power, Ar gas, and $O_2gas$. APP treatment can remove organic contaminants from the surface and improve other surface properties such as the surface free energy. We determined the optimal APP parameters to maximize the surface free energy by using the dyne pen test. Then we used the scratch test in order to confirm the correlation between the APP parameters and the surface properties by measuring the surface free energy and adhesive characteristics of the coating. Consequently, an increase in the surface free energy of the cover glass caused an improvement in the adhesion between the coating layer and the cover glass. After treatment, adhesion between the coating and cover glass was improved by 35%.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.4
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pp.249-254
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2020
An 80 nm thick zinc aluminate thin film was deposited on a glass substrate via radio-frequency (rf) magnetron sputtering and heat treated to analyze changes in the wetting angles due to a surface modification. The thin films were modified from hydrophilic to hydrophobic by a simple thermal treatment. The surface modification from a heat treatment increased the wetting angles up to 111°, which was explained by the relationship with the excess surface area. The wetting angles of the annealed thin films decreased with increasing exposure time under ambient conditions, which was attributed to the oxygen vacancies in the films that were introduced during deposition. The annealed thin films were treated by ionized oxygen via oxygen plasma. After the oxygen plasma treatment, the decreased wetting angles were maintained at ~95° for 11 days.
The polarizing film application exploits the unique physicochemical properties between PVA(Poly vinyl alcohol) film and CTA(Cellulose triacetate) film. However, hardly any research was aimed at improving the adhesion characteristics of the CTA film by radio frequency(RF) plasma treatment at argon(Ar) gaseous state. In this report, we deal with surface treatment technology for protective CTA film developed specifically for high adhesion applications. After Ar plasma, surface of the films is analyzed by atomic force microscopy(AFM), roughness parameter and peel strength. Furthermore, the wetting properties of the CTA film were studied by contact angle analysis. Results obtained for CTA films treated with a glow discharge showed that this technique is sensitive to newly created physical functions. The roughness and peel strength value increased with an increase in treatment time for initial treatment, but showed decreasing trend for continuous treatment time. The result of contact angle measurement refer that the hydrophilicity of surface was increased. AFM studies indicated that no considerable change of surface morphology occurred up to 3 minutes of treatment time, but a considerable uneven of surface structure resulted from treating time after 5 minutes.
It is well known that electromagnetic (EM) waves are mode converted to electrostatic (ES) waves in inhomogeneous plasmas. We examine this issue in a three-dimensional multi-fluid numerical model. First, we derive a set of coupled linear wave equations when a one-dimensional inhomogeneous density profile is assumed in a cold and collisionless plasma. The massive ions are considered as fixed because we are interested in high frequency waves in plasmas. It is shown that the EM mode satisfies the 0th order modified Bessel equation near the resonant region where the frequency matches the local electron plasma frequency. It is expected that the EM waves are coupled and damped to the ES waves owing to the logarithmic singular behavior at such resonances. Second, we numerically test the same case in a 3-D multi-fluid model. An impulsive input is assumed to excite EM waves in the inhomogeneous 3-D box model. The wave spectra of electric and magnetic fields are presented and compared with the analytical results. Our results suggest that the EM energy is irreversibly converted into the ES energy wherever the resonant condition is satisfied. Finally we discuss how the mode conversion appears in both electric and magnetic fields by analyzing time histories of each component. We also compare our results with MHD wave coupling. It is numerically confirmed in this study that the coupling of EM and ES waves is similar to that of compressional and transverse MHD waves.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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