In this paper, a high power RF amplifier module using AlN substrate of high thermal conductivity has been proposed. This RF amplifier module has the advantage of compact size and effective heat dissipation for the packaging of high power chip. To fabricate the thru-hole and scribing line on AlN substrate, the key parameters of $CO_2$ laser were experimented. And then, microstrip lines and spiral planar inductors were fabricated on an AlN substrate using the thin-film process. The fabricated microstrip lines on the AlN substrate has an attenuation value of 0.1 dB/mm up to 10 GHz. The fabricated spiral planar inductor has a high quality factor, a maximum of about 62 at 1 GHz for a 5.65 nH inductor. Packaging of a RF power amplifier was implemented on an AlN substrate with thru-hole. From the measured results, the gain is 24 dB from 13 to 15 GHz and the output power is 33.65 dBm(2.3 W).
마이크로 스트립 線路에서 周波數의 函數인 實效誘電率에 따른 分散特性을 計算하기 위하anar Waveguide 모델이 提示되었으며 各 파라미터 變化에 의한 結果를 比較하였다. 多樣한 比誘電率과 스트립幅/基板두께(W/h)는 0.9$\leq$W/h$\leq$2의 比를 使用하여 比較하였다. 컴퓨터 시뮬레이션 結果, 各各의 境遇에 對해 Planar Waveguide 모델을 利用한 定規化 位相速度가 이미 發表된 바 있는 다른 方法보다 周波數가 增加함에 따라 1/$\sqrt{\epsilon_r}$ 의 값에 가장 接近하였다.
The design, numerical simulation, and an experimental implementation of two-element cross-shaped microstrip line-fed printed slot array antenna for IMT-2000 at the 2.0 GHz band is presented in this paper. The proposed antenna with relative permittivity 4.3 and thickness 1.0mm is analyzed by the Finite-Difference Time-Domain (FDTD) method. It was shown that the measured 2.0 VSWR bandwidth of one-element microstrip slot antenna is from 1.42 GHz to 2.69 GHz, which is approximately 61.8% and that of two-element microstrip slot array antenna is from 1.42 GHz to 2.56 GHz, which is approximately 57.3% And it was shown that the measured gain of one-element microstrip slot antenna is 2.75 dBi and that of two-element microstrip slot antenna is 4.75 dEi. The antennas were fabricated and tested. The measured results are in good agreements with the FDTD results.
In this paper, an analysis of microstrip-slotline transition is performed using a 3D vector Finite Element Method(FEM). Artificial anistropic absorber technique is employed to implement an matching boundary condition in FEM. On the base of the analysis, power divider/combiner is designed. The structure of the power combiner already developed are Branch-line coupler, Rat-race coupler, Wilkinson coupler, Lange coupler, etc. Which are all planar, If the frequency goes up, the coupling efficiency of these planar couplers is decreased on account of skin loss. Especially, in millimeter-wave band, the efficiency of more than two ways combiner is radically reduced, so that application in power amplifier circuit is almost impossible, Microstrip-slotline transition structure is a power combining technique integrated into wave-guide, so that the loss is small and the efficiency is high. Theoretically, we can mount several transistors into the power-combiner. This makes it possible to develop a high power amplifier. The numerically calculated performances of the device that is, we believe, the best are compared to the experimental results in Ka-Band(26.5GHz-40GHz).
The recent development of high temperature superconducting epitaxial thin film offer great potential for planar passive microwave application such as ring resonator, filters, transmission lines, and antennas. This paper describes the fundamental properties of Microstrip Band-Pass Filter using HTS Thin Film and its application to microwave devices. In order to fabricate HTS microstrip multiple filters, We have grown laser ablated HTS thin films, patterned by photolithographic process and wet etching processes intro HTS microwave devices.
In this paper, arbitrarily-shaped microstrip patch antenna in multi-layered is analyzed using spatial domain MoM. The triangular patch function is adopted here as the expansion function for planar arbitrarily-shaped microstrip. For example, an edge-fed rectangular patch antenna on a single-layered substrate is analyzed. The results show the agreement between the calculation and measurement.
하이브리드 모드 마이크로 스트립 線路에서 周波數의 函數인 實效誘電率 및 實效幅에 따른 正規化 位相速度와 特性 임피던스의 分散特性을 計算하기 爲한 Planar Waveguide 모델이 提示되었으며. Eeff(f)와 Weff(f)는 周波數에 따른 實驗關係式과 CAD를 目的으로 設定된 計算式을 利用하여 Planar Waveguide모델 計算에 適用하였고, 多樣한 比誘電率과 스트립 幅/基板 두께(W/h)는 $0.5$\leq$W/h\leq2.5의$ 比를 使用하여, 그 結果를 稱的値, Spectral domain 解析 및 實驗關係 結果 等과 比較하였다. 컴퓨터 시뮬레이션 結果, Planar Waveguide 모델을 利用할 境遇가 이미 發表된 바 있는 다른 方法보다 周波數가 增加함에 따라 周波數 別 正規化 位相速度는 1/ 의 값에 가장 接近하였고 特性 임피던스는 더욱 增加하였다. 또한, CAD를 目的으로 設定된 Eeff(f)를 本 提案 모델이 適用한 境遇가 實驗關係式을 利用한 境遇보다 더 좋은 結果를 얻을 수 있었다.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제2C권5호
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pp.268-272
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2002
In this paper, we proposed a procedure to analyze a shielded-microstrip step discontinuity using the mode matching method (MMM) combined with the vector finite element method (VFEM), which is used to find the equivalent waveguide-model for a microstrip. In order to calculate the effective-widths and -dielectric permittivity of the equivalent waveguide-model corresponding shielded-microstrip, the propagation constant and characteristic impedance are calculated from the VFEM. MMM is then applied to find the scattering parameter in the planar waveguide. This technique makes it possible to take advantage of the high accuracy of the VFEM as well as the high efficiency of the MMM.
The rapid growth of wireless and mobile communications has stimulated the development of multilayer filter technology. In this paper, one type of aperture-coupled microstrip interdigital-loop resonators in a multilayer structure are proposed and investigated for the applications to the design of a new class of compact microstrip bandpass filter. The new filter configuration consists of two arrays of microstrip interdigital-loop resonators that can be coupled through the apertures on the common ground plane. Depending on the arrangement of the apertures, different filtering characteristics can easily be realized. The results of measurement are almost similar to those of simulation.
본 논문에서는 평판형 방사소자를 이용한 새로운 원형편파용 혼 안테나를 제안한다. 본 안테나는 평판형 마이크로스트립 안테나와 구형 혼으로 구성되며, 혼 내부에 삽입되는 마이크로스트립 안테나는 혼에 전력신호를 여기하는 급전부이자 편파기로서 동작한다. 또한, 마이크로스트립 안테나는 고이득, 높은 고립도 특성과 함께 광대역을 구현하기 위하여 금속 스페이서를 삽입한 적층형 구조로 설계되었다. 제안된 구조를 통하여, 혼 안테나는 급전부와 편파기와 같은 부가적인 구조를 별도로 설계하지 않음으로써 안테나의 소형화를 도모할 수 있다. 제안된 안테나는 8.6dBi의 이득과 4.8%의 3-dB 축비 대역폭을 가지며, 특히, 높은 대역에서 원형편파로 동작되는 이동통신 및 위성통신 분야의 다양한 안테나 시스템에 적용될 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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