2G HTS tapes are widely used for various electric machines. In addition, stacked or parallel connected HTS tapes are essentially used to raise transport current level for large capacity electric machines. Therefore, critical current characteristic of stacked tapes need to be studied. Recently developed 2G HTS tapes are fabricated with various defects doping so that tapes possess pinning center to improve the critical current characteristic. During this process, the critical current is determined minimum value in not perpendicular magnetic field but a specific magnetic field angle according to the reported research. However, the effects of magnetic field angle to critical current of multi-stacked 2G HTS tapes have not been examined. In this paper, field coil which is a race-track coil wound by using an HTS tape with iron-core was fabricated to apply angle adjustable magnetic field to the 2G HTS tape samples. We measured critical current of single and multi-stacked two tapes that have different characteristic depending on various magnetic field angle and magnitude in liquid nitrogen environment. Furthermore, results of single and multi-stacked tapes were compared and analyzed.
Kim, Heon-Jung;W. N. Kang;Kim, Hyeong-Jin;Park, Eun-Mi;Kim, Kijoon H. P.
Progress in Superconductivity
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v.3
no.1
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pp.23-27
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2001
We have investigated the mixed-state magnetoresistance of high quality c-axis-oriented MgB2 thin film for magnetic field from 0.5 T to 5.0 T, applied normal to ab-plane. The temperature dependence of magnetoresistance was well described by vortex glass and fluctuation theories for different temperature regimes. We observed glassy exponent of v(z-1)~3 and upper critical field of $H_{c2}$(0)~35 T, which is consistent with previous data obtained from direct $H_{c2}$(0) measurements. Interestingly, the thermally activated flux flow region was observed to be very narrow, suggesting that the pinning strength of this compound is very strong. This finding is closely related to the recent reports that the bulk pinning is dominant in $MgB_2$and the critical current density of $MgB_2$ thin film is very high, comparable to that of cuprate superconductor. The present results further suggest that $MgB_2$is beneficial to technical applications.ons.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.362-362
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2009
$MgB_2$ bulk samples were sintered at different ambient. In this work, high purity Ar gas was added with oxygen and hydrogen gas, which can be regarded as impurity in a sense, as a possible dopant in the $MgB_2$. It was found that oxygen in the sintering ambient leads to a decrease in the critical current density $J_c$ at self field and lower fields. However, we can obtained higher $J_c$ at higher fields. It was also noted that $MgB_2$ samples sintered with 5% hydrogen in Ar revealed the increased $J_c$ at all fields compared to those processed in pure Ar ambient. From the XRD and FESEM analysis, the impurity gas in Ar can refine the $MgB_2$ grain size and result in increased grain. boundary, which can act as a strong flux pinning sites in $MgB_2$ samples. Also discussed are the effects of sintering ambient on irreversibility field, $H_{irr}$ and the upper critical field, $H_{C2}$.
The magnetic properties have been investigated for the system of $Y_{1-x}$Yb$_{x}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$F$_{y}$O$_{y}$ with x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5. In the magnetic hysteresis measurements, the values of the magnetic critical current densities are in the range of 10$^{4}$-10$^{5}$ A/cm$^{2}$ at the maximum external field 1.4 T. The upper critical field is over 100 T. The critical current density is estimated by the magnetization width .DELTA.M through the Bean critical state model. As the field strength is increased, the .DELTA.M diminishes slowly. The .DELTA.M for the fluorinated sample also decreases slowly with increasing field. It is considered that the large J, value results from this type is due to enhanced pinning center in grain boundary.y.ary.y.
Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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2002.02a
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pp.3-4
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2002
The stainless steel sheathed MgB$_2$ tapes with Cu addition were fabricated by PIT method without heat treatment. The $J_{c}$ value of 5,600 A/ $cm^{2}$and 16,000 A/$cm^{2}$ at 4.2 K and 5 T were obtained for the $MgB_{2}$ tape and 10 vol % of Cu added $MgB_{2}$ tape respectively. The $J_{c}$-B curve shows enhancement in J$_{c}$ under magnetic field, which suggests enhancement in flux pinning property with Cu addition.n.
Ultra fine MgO particles added BSCCO tapes were fabricated by tape casting using Doctor Blade Method and enclosed by silver foil for different starting compositions (that is, 2223 major, 2212 major). In order to obtain optimum microstructure, thermomechanical treatment was done. Microstructure and phase were analyzed by XRD, SEM and DTA. The critical current density was measured under magnetic field at 77K. The tapes fabricated from the precursor powder with BSCCO-2223 phase (>90%) result in a microstructure with a larger grain size and higher transport critical current density value under magnetic field at given thermomechanical treatment conditions.
A series of NiO/NiFe bilayer films are deposited with the variation of Ar sputtering pressure for the NiO layers only. As the pressure for the NiO layers increases, the exchange anisotropy field (HEX) decreases gradually and becomes extinct at 2.5 mTorr, at which the maximum coercive force (HC) in the NiO/NiFe films is obtained. Randomly oriented columnar structures with HEX a few tens of Oe and oriented columnar structures with zero HEX are observed in the NiP layers by highvoltage hihg-resolution transmission electron microscopy. The vanishing of the HEX in the oriented structures is attributed to the lack of exchange anisotropy energy (EEX) between NiO and NiFe layers, which results in little contribution of interfacial unidirectional pinning anisotropy to the interface of NiO/NiFe bilayer.
Park, Ji-Hun;U, Yeong-Jun;Seo, Seung-Beom;Choe, Seong-Yul
Proceeding of EDISON Challenge
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2016.03a
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pp.299-304
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2016
2차원 반도체 소재의 경우 물질종류마다 내포하고 있는 고유결함에 의해서 Fermi-Level Pinning 이 발생하여 이로 인한 Schottky Barrier transistor로 동작을 하게 되며, 이는 접합부에 Carrier Injection 정도와 Schottky Barrier을 통과하는 Tunneling 정도에 의해서 소자의 특성이 결정 된다. 본 연구에서는 시뮬레이션을 통하여 2차원 반도체인 $MoS_2$소자를 설계하고, S/D Doping에 따라 접촉 저항 개선 효과와 소자의 동작특성이 어떠한 영향을 미치는지 연구하여 최대 $250cm^2/V{\cdot}sec$의 field effect mobility 의 결과를 얻었다. 또한 S/D doping 에 따라 각 저항 성분의 영향을 분석하였으며 면저항 및 접촉 저항 둘 다 doping 농도가 증가함에 따라 감소하는 결과를 나타내며, S/D doping의 영향은 접촉저항에서 더 크게 나타났다. 더불어 2차원 반도체의 Resistance network model 을 제안하여 subthreshold 영역에서는 $R_{ic}$, saturation 영역에서는 $R_{ish}$ 가 전체저항에서 주요한 변수로 전체저항식에 포함되어야 한다는 것을 시뮬레이션을 통해서 검증하였다.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.61
no.2
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pp.339-341
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2012
The high Tc superconductor of YBCO system with the nominal composition of precursor was prepared from mixed powders of $Y_2O_3$, $BaCO_3$, CuO and $TiO_2$ by the thermal pyrolysis method. The effect of $TiO_2$ doping to Y based ceramics superconductors fabricated by the thermal pyrolysis reaction, to investigate the effect of the dopant on the superconductivity. The voltage appearing across the field-cooled HTS sample increased with external magnetic field. The improvement of critical current property as well as the mechanical property is important for the application. The improvement of the critical current can be achieved by forming the nano size defect working as a flux pining center inside the superconductor. We simply added $TiO_2$ to starting materials to dope $TiO_2$ and observed an increase in the trapped field and the critical current density up to at least 5 wt % $TiO_2$. The $TiO_2$ was converted to fine $BaTiO_3$ particles which were trapped in YBCO matrix during the sintering process. We observed a peak effect of Jc that can be attributed to $TiO_2$ doping and results suggest that introducing a proper amount of pinning centers can significantly enhance current density.
The high temperature superconducting (HTS) magnet has been developed for the high magnetic field applications such as NMR, MRI and other industrial machinery. In designing process of these HTS magnets, the accurate estimation on the critical current (Ic) is essential to predict and secure the electromagnetic performance. The critical current of 2G HTS tape has anisotropic Ic degradation characteristics with the application of magnetic field - angular dependency of critical current. It is known that the perpendicular magnetic field to the face of HTS tape makes dominant degradation on the critical current for conventional 2G HTS tape. However, recently developed 2G HTS tape has more complex characteristics due to the artificial pinning center. Therefore, the method for Ic estimation reflecting such characteristics of 2G HTS tape needs to be devised. The method considering the angular dependency is introduced in this paper. And the result of newly devised method is compared with that of previous method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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