This study aims to investigate and analyze the overall recognition of the photovoltaic system for the application of BIPV(Building Integrated Photovoltaic) in Korea. For this purpose, a survey was carried on through questionnaires answered by 6 groups of experts such as construction engineers, registered architects, mechanical engineers, electrical engineers, university or college professors, and others who are ranked high in their companies or universities or colleges and who mostly seem to be eager to participate in the development of the PV system and to make a business of the system. The results of the survey are as follows: 1. About 95% of those experts who answered the questionnaire have known about renewable energy, and 93% of them are interested in solar energy as alternative energy 2. Host experts have a lot of information on the solar energy system, but have scanty information on the PV system. 3. The experts in the educational and research field have researched for the reasonable period of the participation in the development of the PV system and the period of making a business of the system. They judge that companies in the mechanical and electrical field will participate in the development of the PV system and will make a business of the system in 5 years. 4. The experts have thought that the PV system is designed not for economy but for the environment of the earth and that PV system technology in Korea is much lower than that in the advanced countries. 5. The experts hesitate to participate in the development of the PV system and to make a business of the system because they have little confidence in the economy of the PV system now and because they have thought that they will bear a great financial burden of construction cost 6. The experts judge that it is most desirable to apply the PV system to the rooftops of buildings. And they are greatly interested in the BIPV.
Dislocations are basic crystal defects and represent one-dimensional native nanostructures embedded in a perfect crystalline matrix. Their structure is predefined by crystal symmetry. Two-dimensional, self-organized arrays of such nanostructures are realized reproducibly using specific preparation conditions (semiconductor wafer direct bonding). This technique allows separating dislocations up to a few hundred nanometers which enables electrical measurements of only a few, or, in the ideal case, of an individual dislocation. Electrical properties of dislocations in silicon were measured using MOSFETs as test structures. It is shown that an increase of the drain current results for nMOSFETs which is caused by a high concentration of electrons on dislocations in p-type material. The number of electrons on a dislocation is estimated from device simulations. This leads to the conclusion that metallic-like conduction exists along dislocations in this material caused by a one-dimensional carrier confinement. On the other hand, measurements of pMOSFETs prepared in n-type silicon proved the dominant transport of holes along dislocations. The experimentally measured increase of the drain current, however, is here not only caused by an higher hole concentration on these defects but also by an increasing hole mobility along dislocations. All the data proved for the first time the ambipolar behavior of dislocations in silicon. Dislocations in p-type Si form efficient one-dimensional channels for electrons, while dislocations in n-type material cause one-dimensional channels for holes.
In this work, we have investigated the application of rapid thermal processing (RTP) and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) for surface passivation. Rapid thermal oxidation (RTO) has sufficiently low surface recombination velocities (SRV) $S_{eff}$ in spite of a thin oxides and short process time. The effective lifetime is increasing with an increase of the oxide thickness. In the same oxide thickness, The effective lifetime is independent on the process temperature and time. $S_{eff,max}$ is exponentially decreased with increasing oxide thickness. $S_{eff,max}$ can be reduced to 200 cm/s with only 10 nm oxide thickness. On the other hand, three different types of SiN are reviewed. SiN1 layer has a thickness of about 72 nm and a refractive index of 2.8. Also, The SiN1 has a high passivation quality. The effective lifetime and SRV of 1 $\Omega$ cm Float zone (FZ) silicon deposited with SiN1 is about 800 s and under 10 cm/s, respectively. The SiN2 is optimized for the use as an antireflection layer since a refractive index of 2.3. The SiN3 is almost amorphous silicon caused by less contents of N2 from total process. The effective lifetime on the FZ 1 ${\Omega}cm$ is over 1000 ${\mu}s$.
Crystalline silicon solar cell remains the major player in the photovoltaic marketplace with 90 % of the market, despite the development of a variety of thin film technologies. Silicon's excellent efficiency, stability, material abundance and low toxicity have helped to maintain its position of dominance. However, the cost of silicon photovoltaic remains a major barrier to reducing the cost of silicon photovoltaics. Using the crystalline silicon wafer with thinner thickness is the promising way for cost and material reduction in the solar cell production. However, the thinner thickness of silicon wafer is, the worse bow phenomenon is induced. The bow phenomenon is observed when two or more layers of materials of different temperature expansion coefficiencies are in contact, in this case silicon and aluminum. In this paper, the solar cells were fabricated with different thicknesses of Al layer in order to reduce the bow phenomenon. With lower paste applications, we observed that the bow could be reduced by up to 40% of the largest value with 130 micron thickness of the wafer even though the conversion efficiency decrease of 0.5 % occurred. Since the bowed wafers lead to unacceptable yield losses during the module construction, the reduction of bow is indispensable on thin crystalline silicon solar cell. In this work, we have studied on the counterbalance between the bow and conversion efficiency and also suggest the formation of enough back surface field (BSF) with thinner Al paste application.
With the long-term use of fossil fuel, the whole world is suffering from serious abnormal changes in weather caused by global warming. For this reason, many countries are reducing greenhouse gas emissions out of obligation and the allowable emissions are assigned to each country. Korea is also putting much effort into reducing greenhouse gas emissions by 30 percent against BAU(Business As Usual) by 2020, and is pushing ahead with several projects such as 'Million Green Home' and 'Hatsal Gaduk Home' to expand the use of new renewable energy in house as part of its policy. This study was designed to come up with improvements and help to expand photovoltaic facilities, by investigating and analyzing the current state of photovoltaic facilities in the country and problems in installing them through an in-site reconnaissance and a survey in Jecheon area. As the result, it was found that residents in the area were inadequate to operate and install photovoltaic facilities, lacked awareness of them and felt burdened economically by managing and installing them, although they had a high awareness of solar energy and photovoltaic facilities are constantly increasing with governmental support. In conclusion, it is considered that as improvements, operational effects should be increased through development of techniques, factors to reduce the effects in operating them due to insufficient management and installation should be removed and awareness of residents need to be improved through long-term plans, political support and education of the government.
These day morden cities have serious climatic problems due to enviornmental load caused by excessive development of urbanization. As technological improvement to answer to various ecological disasters and climate changes are also called on the field of construction, inter-disciplinary studies linked to the estabilishment of sustainable energy generation systems and enviornmental control is needed in a consilient point of view. This study aims to analyse optimal site conditions for photovoltaic system and green roof planting through solar radiation simulation in a integrated perspective. In so doing, it seeks to proffer basic study for developing a sound use of roof area that is sustainable in environmental and resources aspects. A computer simulation showed that, in the case of total seasonal solar radiation, summer season resulted 312.5kWh in 35% of total annual solar radiation. This season indicated the lowest radiation rate of the year for direct sunlight in 45.8% of total seasonal solar radiation. Due to such solar radiation simulation, at the largest optimal planting area, Glechoma hederacea var. longituba secured $719.16m^2$ of gross roof area.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제39권1호
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pp.81-85
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2015
본 연구에서는 Poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT):[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester (PCBM)과 GaN를 이용하여 유무기 하이브리드 광전변환소자를 제작함에 있어서, P3HT:PCBM 활성층의 열처리가 소자의 단락전류밀도에 미치는 영향을 알아보았으며 이때 유기물의 농도와 혼합비율을 달리 하였다. 유기물 각각의 층을 코팅하여 층을 만들 때마다 열처리 한 경우, 즉 pre-annealing샘플과 pre-annealing 과정을 거쳐 제작된 소자 전체를 한 번 더 열처리하여 즉 post-annealing까지 행한 샘플을 비교하였다. 그 결과 post-annealing한 샘플이 더 높은 단락전류밀도의 값을 가졌고 이때 P3HT와 PCBM은 1wt%와 1:1 혼합비율에서 좋은 열처리 효과를 나타내었다.
Silver nanowire (AgNW) is a material that is increasingly being used for transparent electrodes, as a substitute for indium tin oxide (ITO), owing to its flexibility, high transmittance to sheet resistance ratio, and simple production process. This study involves manufacturing large-area organic photovoltaic cells (OPVs) deposited on AgNW electrodes. We compared the efficiency of OPVs with ITO and AgNW electrodes. The results verified that an OPV with an AgNW electrode performed better than that with an ITO electrode. Furthermore, by using the knife coating method, we successfully fabricated large-area OPVs without the loss of efficiency. Use of AgNW instead of ITO demonstrated that an OPV could be produced on various substrates by the solution process method, dropping the productions costs significantly. Additionally, by using the knife coating method, the process time and amount of wasted solution are reduced. This leads to an increase in the efficient fabrication of the OPV.
We report on the characteristics of Zr-doped $In_2O_3$ (IZrO) films prepared by DC-RF magnetron cosputtering of $In_2O_3$ and $ZrO_2$ targets for use as a transparent electrode for high efficient organic solar cells (OSCs). The effect of $ZrO_2$ doping power on electrical, optical, structural, and surface morphology of the IZrO film was investigated in detail. At optimized $ZrO_2$ RF power of 50 W, the IZrO film exhibited a low sheet resistance of 20.71 Ohm/square, and a high optical transmittance of 83.9 %. Furthermore, the OSC with the IZrO anode showed a good cell-performance: fill factor of 61.71 %, short circuit current (Jsc) of $8.484mA/cm^2$, open circuit voltage (Voc) of 0.593 V, and power conversion efficiency (PCE) of 3.106 %. In particular, the overall OSC characteristics of the cell with the IZrO anode were comparable to those of the OSC with the conventional Sn-doped $In_2O_3$ (FF of 65.03 %, Jsc of $8.833mA/cm^2$, Voc of 0.608 V, PCE of 3.495 %), demonstrating that the IZrO anode is a promising alternative to ITO anode in OSCs.
Photovoltaics is considered as one of the most promising new energy technology, because its energy source is omni present, pollution-free and inexhaustive. It is agreed that these solar cells must be thin film type because thin film process is cost-efficive in the fact that it uses much less raw materials and can be continuous. The defect chalcopyrite material $CuIn_3Se_5$ has been identified as playing an essential role in efficient photovoltaic action in $CuInSe_2$-based devicesm It has been reported to be of n-type conductivity, forming a p-n junction with its p-type counterpart $CuInSe_2$. Because the most efficient cells consist of the $Cu(In,Ga)Se_2$ quarternary, knowledge of some physical properties of the Ga-containing defect chalcopyrite $Cu(In,Ga)_3Se_5$ may help us better understand the junction phenomena in such devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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