기존의 고출력 광원들이 환경문제 등으로 외국에서 규제대상으로 지정되고 있는 가운데고체 상태의 광원인 Light-emitting diode (LED)는 기존의 광원에 비해 에너지 절감효과 크기 때문에 인해 널리 사용되고 있는 추세이다. 대부분의 백색 LED의 경우 청색 LED에 황색 형광체를 사용하는 것이 일반적이다. 그러나 이의 경우 빛의 흡수와 재방출 과정에서 생기는 에너지 변환손실의 문제가 불가피하다. 또한, 두 종류의 색을 섞어서 나타나는 낮은 연색성의 문제가 있고 사용할 수 있는 형광체의 종류와 조합도 일본 등 해외에 출원된 특허권으로 연구개발에 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 형광체를 사용하지 않는 단일 백색 LED를 개발을 위하여 극성과 반극성을 조합한 구조를 연구하였다. Photo-lithography를 이용하여 다양한 크기와 구조의 홀 패턴을 얻을 수 있었으며, metal organic chemical vapor deposition을 이용하여 다양한 형태의 피라미드 구조를 성장할 수 있었다. 패턴의 홀 크기와 홀 사이의 간격을 조절하면서 성장을 진행 하였고, 그 결과 pyramid와 truncated pyramid 모양의 GaN 구조를 성장할 수 있었다. [그림 1] Pyramid 구조의 반극성 면과 truncated pyramid 구조의 극성 면사이의 성장속도 차이 때문에 양자우물의 두께가 달라짐을 확인하였다. 이로 인해 양자구속효과가 달라져 다른 파장의 발광을 기대할 수 있었다. 뿐만 아니라 In의 확산거리가 Ga보다 길어서 홀사이 간격을 달리하면 In조성비가 달라지는 효과가 있음을 확인하였고 다양한 홀 사이 간격으로부터 각기 다른 파장의 발광을 얻을 수 있었다. 파장을 조금 더 상세하게 분석하기 위하여 Photoluminescence과 Cathodoluminescence을 사용하였다. 이로써 여러 파장을 발광하는 패턴을 섞어 넓은 영역의 발광 스펙트럼을 만들었다. 특히 패턴을 섞는 방법도 홀과 에피 구조를 섞는 방법, 크기가 다른 홀 패턴을 배열하는 방법등 다양히 하며 가장 좋을 패턴을 연구하였다. 그리하여 최적의 패턴과 구조, 성장조건을 찾아 백색의 CIE 좌표값을 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 LCD 후면 광원용 한 쌍의 형광층, 방전용기 및 대향전극을 갖는 무수은 평판형광램프에 대하여 연구하였다. 구동 전압이 인가되면 균일한 방전이 램프 전체에 걸쳐서 발생한다. 방전개시전압은 가스 압력에 따라 증가한다. 이와 같은 경향은 방전 가스 압력의 증가에 의한 평균자유행정의 감소에 기인된 것으로 생각된다. 녹색 발광 평판형광램프에서 최대 2700[cd/m2]의 휘도를 얻었다.
This paper had mentioned about CCP light source application for increasing the efficiency of Xe lamp the mercury-free lamp. In order to increase the efficiency of Xe EEFL, we designed and manufactured the lamp used by mixture gas of Xe, Ne and He. Also, we have analyzed the electrical and optical properties with the firing voltage, sustain voltage, paschen's curve, wall charge, and capacitance. As a result, the firing voltage decreased by increasing the ration of mixture gas. and, It is owing to include the gas with high ionization energy. The firing voltage decreased in condition happening the penning effect, Because the ion of metastable state created from penning effect, Which can encourage the ionization phenomena. Also, the wavelength of 467.12 is increase. because of the energy transition in the wavelength of 147 nm. therefore, we can know about the affection of phosphor with UV emission properties. Through an experiment, Xe 100 % and Xe 75 % confirmed same spectrum properties by each mixture gas ratio. In the case of Xe 50 %, spectrum properties appeared Xe discharge and Ne-He discharge. That analyzed an electrical and optical properties. Therefore, confirmed that is excellent because properties of firing voltage, wall charge, capacitance in Xe 50 %, Ne : He = 9 : 1. We offered parameter in inverter manufacture and lamp manufacture by electrical and optical properties.
Deep sea water has cold temperature, abundant nutrients and minerals, and good water quality that is pathogen-free and stable. Compared with surface water, deep sea water contains more nutrition salt, such as nitrogen and phosphor. Moreover, if has the good balance of minerals. Because of the ability of the spray drying process to produce a free-flowing power considering of spherical particles with a well-defined size distribution and the rapid drying times for heat-sensitive material, spray drying is attractive for a wide range of applications spray drying is a unique unit operation in which powders are produced from a liquid feed in a single processing step. Key component of the process are atomizer, spray chamber. Design of spray chamber should be based on the atomizer type, the production rate, and the particle size required. Because of the complex processes taking place during spray drying, traditional design method are based on pilot-plant tests and empirical scale-up rules. Modern technique such as CFD have a role to play in design and troubleshooting.
Conventional backlight for liquid crystal display (LCD) uses mercury which leads to environmental pollution. In this study, characteristics of AC coplanar type mercury-free plasma flat lamp have been studied. Pollution-free Xe-He is adopted as a discharge gas system. Since the Xe gas has a lower efficiency in generating vacuum ultraviolet (VUV) than mercury, the improvement of luminance and luminous efficiency in the Xe gas system is very important. The electrode, dielectric, and phosphor layers constituting lamp are formed on the bottom glass by the screen printing method. The effects of pulse shape, on-time, and pulse frequency on the luminance and luminous efficiency have been examined. For Xe(5%)-He gas, the lamp exhibits higher efficiency with sharper pulse shape, higher peak voltage, and shorter pulse on-time (up to 2 $\mu\textrm{s}$). Higher efficiency and lower consumption of power were obtained at 30 kHz than at 60 kHz. The collision of ion to bottom electrodes is a dominant factor to raise the lamp temperature. Therefore the high voltage and low current discharge system is necessary for reduction of the lamp temperature as well as for enhancement of the luminous efficiency.
In this work, we investigated the spectroscopic properties of $LiY_xSr_yZrO_{3+{\alpha}:Eu^{3+}$, a red emitting nanophosphor based on $SrZrO_3$ perovskite. The synthesis process was an auto-combustion process. X-ray diffractograms show the orthorhombic structure of $SrZrO_3$. Photoluminescence (PL) excitation spectra display a split charge transfer band revealing the presence of two possible sites for the $Eu^{3+}$ ions. The emission spectra at 231 nm excitation illustrate the dominance of the $^5D_0-^7F_1$ transition, which is an indication that the smaller sized $Eu^{3+}$ ions are mostly situated at the more ordered (symmetric) $Sr^{2+}$ sites. The emission spectra at 292 nm & 397 nm excitations show the dominance of $^5D_0-^7F_2$ transition which suggests some of the $Eu^{3+}$ ions are also situated at the distorted $Zr^{4+}$ sites. Both the intensity parameters, asymmetry ratio and the decay lifetimes of the nanophosphors show dependence on $Y^{3+}$ concentration, signifying a modification in the host structure. Maximum quantum efficiency value of ${\approx}46%$ was obtained for the nanophosphors which indicate the need for improvement for practical applications. CIE coordinates show the suitability of this phosphor for both red emission in LED and as a complementary colour for white LED applications.
Recently, many groups have attempted to fabricate 3-dimensional (3D) structures of GaN such as pyramids, rods, stripes and annulars. Since quantum structures on non-polar and semi-polar planes of 3D structures have less influence of internal electric filed, multi quantum wells (MQWs) formed on those planes have high quantum efficiency. Especially, pyramidal and annular structures consist of various crystal planes with different emission wavelength, providing a possibillity of phosphor-free white light emtting diodes (WLEDs).[1] However, it still has problem to obtain high color rendering index (CRI) number because of narrow-band emission and poor indium composition caused by the formation of few number of facets during metal-organic chemical vapor deposition growth.[2] If we can fabricate 3D structure having more various facets, we can make broad-band emittied WLEDs and improve CRI number. In this study, we suggest a simple method to fabricate 3D structures having various facet and containing high indium composition by means of a combination of metal-organic chemical vapor deposition and wet chemical etching techniques.
백색 발광다이오드(LED)는 기존 조명(백열등, 형광등)에 비하여 월등히 에너지를 절약할 수 있어 이미 상업적, 정책적으로 교체가 진행 중이다. 현재의 백색 LED를 만들기 위해서는 필연적으로 형광체를 사용해야 한다. 그러나 이 형광체에 의한 (a)Stocks 에너지변환에 의한 효율감소, (b)높은 공정비용, (c) 열적 안정성 저하를 피할 수 없다. 우리는 유기금속화학증착(MOCVD)과 선택적성장(selective-area epitaxial growth)방법을 이용하여 형광체를 쓰지 않고 3차원 구조체를 이용하여 백색 LED를 제작하여 전기구동하였고 전류의 세기를 변화하여도 지속적으로 동일한 백색광을 유지함을 보였다. 광학적 분석(cathodoluminescence)과 구조적 분석(scanning electron microscope, transmission electron microscope)을 진행하여 구조를 살피고 백색 발광의 원인을 분석하였다. 또한, 고배율 대물렌즈를 사용한 공간분해 광학적 분석실험(photoluminescence와 electroluminescence 데이터를 비교)으로부터 국소적 운반자의 주입효율을 분석하는 방법을 고안하여 실험하였다.[1] 향후 이 방법은 3차원 구조체 LED뿐 아니라 2차원 LED에도 응용하여 LED의 주입효율을 분석하는데 유용하게 사용될 수 있을 것이라 기대된다.
A Highly efficient Mercury-free Flat Fluorescent Lamp (MFFL) with dielectric barrier Xe gas discharge was developed for an alternative of conventional line-type Cold Cathode Fluorescent Lamps (CCFLs) which shows a wide voltage margin and a stable discharge operation for diffuse glow discharge with an application of a auxiliary electrode. Electro-optic characteristics of the MFFL were examined through the changes in ambient temperature, total pressure and Xe partial pressure. the single cell is expanded into a multi-structured configuration to realize a large sized lamp by a simple repetition of the single cells, and a new driving scheme is proposed for an adaptive brightness control using dual auxiliary electrodes and bi-polar drive scheme. In addition, interesting application of this ultra high luminance flat lamp by the optimization of the gas condition and the pattern of the rear phosphor layer is suggested as a good alternative of daylight lamp source
White light-emitting diodes (LEDs), the so-called next-generation solid-state lighting, offer benefits in terms of reliability, energy-saving, maintenance, safety, lead-free, and eco-friendly. Recently, rare-earth-doped oxynitride or nitride compounds have attracted a great deal of interest as a photoluminescent material because of their unique luminescent property, especially for white LEDs applications. Ce doped ${\beta}$-SiAlON has been studied as a wavelength conversion phosphor in white LEDs thanks to its high absorption rates, high quantum efficiency, and excellent thermal stability. Previously researches were not enough to understand the detail mechanism and characteristics of ${\beta}$-SiALON. The bandgap structures and electronic structures were not exact due to limitation of calculation methods. In this study, to elucidate the Ce doping effect on the SiAlON system, accurate band structures and electronic structure of the Ce doped ${\beta}$-SiAlON was intensively investigated using density functional theory calculations. In order to get a better description of the band gaps, MBJLDA method were used. We have found a single Ce atom site in ${\beta}$-SiAlON super cell. Furthermore, the density of state, band structure and lattice constant were intensively investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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