• 융합정보논문지
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• 제9권3호
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• pp.75-81
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• 2019

본 논문은 유기물로 이루어진 폴리머 기판상에 저온 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 대해 연구하였다. 먼저, 폴리머 기판에 화학증착방식으로 비결정 실리콘 박막을 증착하였고, 열처리 장치인 퍼니스로 탈수소 및 활성화 공정을 430도에서 2시간동안 진행하였다. 이후 엑시머 레이저를 이용하여 결정화를 진행하여 다결정 실리콘 반도체 막을 제조하였다. 이 박막은 박막트랜지스터 제작을 위한 활성층으로 사용하였다. 제작된 p형 박막트랜지스터는 이동도 $77cm^2/V{\cdot}s$, on/off 전류비는 $10^7$이상의 동작특성을 보였고, 이는 결정화된 박막내부에 결함 농도가 낮음을 의미한다. 이 결과로 유기물 기판상에 엑시머 레이저로 형성된 다결정 실리콘으로 제작된 전자소자는 플렉서블 AMOLED 디스플레이 회로 형성에 최적의 기술임을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.950-952
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• 2003

This paper have been studied fabrication and characteristics of disposable pH sensor using MEMS technology. The sensor has two open-well structure, the container for the internal electrolyte and electrode were formed by anisotropically etching a silicon substrate. unlike currently used KCI saturated solution, the structure was introduced hydrogel which take an advantage of miniaturization, bulk product, a low price. PU and CA/TP used to measurement ion detection, one is reference membrane and the other is pH. fabricated sensor is encapsulated entirely with epoxy, finally sensor was estimated various ion sorts and pH ranges.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권4호
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• pp.78-83
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• 1998

A small size cartrideg for FET type electrolyte sensor is designed and faricated with much simplified process by using micromachining tenchiques such as silicon etching andglass bonding. Size of the whole cartideg is 2.4cm*2.5cm, and the dead volume of a micro flow-channel in the cartrideg is only 8.5.mu.l. The photosensitive polymer(THB 30) is used to define a micropool and to encapsulate the sensor surface for standardizationof electrolyte sensors. To miniaturize micro flow-channel conventional reference electrode(Ag/AgCl) a differential amplification is introduced using REFET and quasi reference electrode. Refet was fabricated using photosensitive polymer(OMR 83). The fabricated cartridge with built-in pH-ISFET showed good operational characteristics such as linearity and high sensitivity (55.4mV/pH) in a wide pH range(pH2-pH12).

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.366-366
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• 2009

후면접합 태양전지는 상용 태양전지의 수평전류 손실(lateral current loss) 이 없으며, 전면전극에 의해 발생하는 그림자 손실(shading loss) 줄인 고효율 태양전지의 하나이다. 생성된 반송자가 후면에 위치한 전극에서 수집되기 때문에 효율향상을 위해서는 불순물에 의한 재결합을 줄이는 것이 중요하다. 따라서 Gettering 은 높은 소수반송자 수명(life-time)을 가지는 고품위 실리콘 기판은 고효율 실리콘태양전지 제작을 위한 중요 요소 기술이다. 본 연구에서는 n-type c-Si 기판을 이용한 고효율 실리콘 이종접합 태양전지제작을 위해 external gettering 공정을 이용하여 고품위 실리콘 기판을 제작하였다. POC13 doping process 의 온도, 시간을 변화시킴으로써 이에 따른 변화를 관찰하였다. 주사전자현미경(SEM)를 통해 etch pit 을 확인 했으며,Four point probe 를 통해 면저항을 측정, 인(P)의 농도를 계산 하였다. 계산된 면저항을 통해 인(P)의 확산 깊이를 계산하였다. Iodine passivation 된 시편을 Qusi-steady state photoconductance (QSSPC)를 이용하여 소수반송자 수명을 측정함으로써 gettering 에 의한 bulk lifetime 향상 효과를 관찰하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1463-1465
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• 1994

The electrical characteristics of $Al/Ta_2O_5/Si$ metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were studied. $Ta_2O_5$ films on p-type silicon had been prepared by ionized cluster beam epitaxy technique (ICBE). This $Ta_2O_5$ films have low leakage current, high breakdown strength and low flat band shift. In this research, a single crystalline cpitaxial film of $Ta_2O_5$ has been grown on p-Si wafer using an ICBE technique. The native oxide layer ($SiO_2$) on the silicon substrate was removed below $500^{\circ}C$ by use of an accelerated arsenic ion beam, instead of a high temperature deposition. $Ta_2O_5$ films formed by ICBE technique can be received considerable attention for applications to coupling capacitors, gate dielectrics in MOS devices, and memory storage capacitor insulator because of their high dielectric constants above 20 and low temperature process.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.313.1-313.1
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• 2013

현재 결정질 실리콘 태양전지의 전 후면 전극의 형성은 스크린 프린팅 방법이 주를 이루고 있다. 스크린 프린팅 방법은 쉽고 빠르게 인쇄가 가능한 반면 단가가 높고 금속 페이스트에 첨가된 여러 혼합물에 의해서 전극과 기판 사이의 저항이 크다는 단점이 있다. 본 논문에서는 스크린 프린팅 방법으로 태양전지의 seed layer를 인쇄하고, Cu도금을 진행함으로써 태양전지의 전기적 특성을 비교하였다. 주요 전극 형성을 Cu 도금을 사용함으로써 전극과 기판사이의 저항을 감소시키고 값비싼 Ag페이스트를 값싼 Cu로 대체함으로써 가격을 낮출 수 있는 장점이 있다. 실험에 사용된 Si 웨이퍼 특성은 $156{\times}156$ mm2, 200 ${\mu}m$, 0.5-3.0 ${\Omega}{\cdot}cm$ and p-type 웨이퍼를 사용하였다. 웨이퍼는 표면조직화, p-n접합 형성, 반사방지막 코팅을 하였으며 스크린 프린팅 방법을 이용해 전 후면 전극을 인쇄하고 열처리 과정을 통해 전극을 형성하였다. 이 후 전면에 Cu도금을 실행하여 태양전지를 완성하였다. 완성된 태양전지는 솔라 시뮬레이터 및 TLM패턴을 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, SEM과 linescan, 광학현미경 등을 이용하여 전극을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.89-93
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• 2002

In the present paper we suggested a parallel-branch structure of aluminum spiral inductor for the use of RF integrated circuit at 1∼3 GHz. The inductor was implemented on P-type silicon wafer (5∼15 Ω-cm) under the standard CMOS process and it showed a improved quality(Q) factor by more than 10% with no degradation of inductance. The effect of the structure modification on the Q factor and the inductance was scrutinized comparing with those of the conventional spiral inductors.

• 한국표면공학회지
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• 제31권3호
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• pp.165-170
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• 1998

Deposition of diamond on silicon substrates has been performed by RF HPCVD (Helicon Plasma Chemical Vapor Deposition) from methane-hydrogen gas mixture. Growth properties and deposition condition conditions have been studies as functions of substrate temperature ($750^{\circ}C$~$850^{\circ}C$). Si p-type (100) wafers were used as a substrate. The chharecterizations of the gaind thin films by SEM, AFM and Raman seattring are diamond crystallites which include disordered graphit.

• 태양에너지
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• 제6권2호
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• pp.70-75
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• 1986

The fabrication procedure and characteristics of $Ta_2O_5/Al/SiO_2/p-Si$ MIS solar cells forming a fine grating pattern of aluminum evaporated on to p-type silicon crystal are discribed. The proper temperature for oxide growing of these cells was found to be about $450^{\circ}C$ for 20 minutes with oxygen flow. The conversion efficiency increased about 3% after $750{\AA}$ thickness of tantalium silica film spin on anti-reflective coating. The best results showed that $V_{oc}=0.545V,\;J_{sc}=34mA$ and F.F = 0.65, which represent that the conversion efficiency is 12%.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권5호
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• pp.301-306
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• 2017

Wire electrical discharge machining (WEDM) process was evaluated to slice Silicon (Si) for various applications. Specifically, various Si workpieces with various resistances, such as single and multi crystalline Si bricks and wafers were used. As conventional slicing processes, such as slurry-on or diamond-on wire slicing, are based on mechanical abrasions between Si and abrasive, there is a limitation to decrease the wafer thickness as well as kerf-loss. Especially, when the wafer thickness is less than $150{\mu}m$, wafer breakage increases dramatically during the slicing process. Single crystalline P-type Si bricks and wafers were successively sliced with considerable slicing speed regardless of its growth direction. Also, typical defects, such as microcracks, craters, microholes, and debris, were introduced when Si was sliced by electrical discharge. Also, it was found that defect type is also dependent on resistance of Si. Consequently, this study confirmed the feasibility of slicing single crystalline Si by WEDM.