• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권4호
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• pp.32-38
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• 2011

IEEE802.15.4 체계의 USN 센서노드 무선통신부에 내장하기 위한 5.0GHz 광대역 RF 주파수 합성기를 0.18${\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 제작하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Sigma}-{\Delta}$ 모듈레이터 분수형 분주기, PLL 공통 회로 등의 설계 최적화에 중점을 두고 설계하였으며, 특히 VCO는 N-P MOS 코어 구조 및 12단 캡 뱅크를 적용하여 고속 및 광대역 튜닝 범위를 동시에 확보하였다. 설계된 칩의 크기는 $1.1{\times}0.7mm^2$이며, IP로 활용하기 위한 코어 부분의 크기는 $1.0{\times}0.4mm^2$이다. 주파수합성기를 제작한 다음 측을 통하여 분석해 본 결과 발진 범위 및 주파수 특성이 양호하게 나타났다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권5호
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• pp.49-54
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• 2009

USN 센서노드 무선통신부에 내장하기 위한 1.9GHz RF 주파수 합성기를 $0.18{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 구현하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Sigma }-{\Delta}$ 모듈레이터 분수형 분주기, PLL 공통 회로 등의 설계 최적화에 중점을 두고 설계하였으며, 특히 VCO는 N-P MOS 코어 구조 및 캡 뱅크를 적용하여 고속 저전력 및 넓은 튜닝 범위를 확보하였다. 설계된 칩의 크기는 $1.2{\times}0.7mm^2$이며, IP로 활용하기 위한 코어 부분의 크기는 $1.1{\times}0.4mm^2$이다. 측정 결과 PLL 회로의 잡음 면에서도 문제가 될 만한 특정 스퍼는 발생하지 않았으며, 6MHz 기본 스퍼에 해당하는 잡음은 -63.06dB로 나타났다. 위상잡음 특성은 1MHz 오프셋에서 -116.17dBc/Hz로서 양호한 특성을 보였다.

• 전자공학회논문지CI
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• 제45권6호
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• pp.87-93
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• 2008

IEEE802.15.4 체계의 USN 센서노드 무선통신부에 내장하기 위한 5.0GHz 광대역 RF 주파수 합성기를 $0.18{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Sigma}-{\Delta}$ 모듈레이터 분수형 분주기, PLL 공통 회로 등의 설계 최적화에 중점을 두고 설계하였으며, 특히 VCO는 N-P MOS 코어 구조 및 12단 캡 뱅크를 적용하여 고속 저전력 및 광대역 튜닝 범위를 확보하였다. 설계된 칩의 크기는 $1.1*0.7mm^2$이며, IP로 활용하기 위한 코어 부분의 크기는 $1.0*0.4mm^2$이다. 2가지 종류의 주파수합성기를 설계한 다음 모의실험을 통하여 비교 분석해 본 결과 일부 특성만 개선한다면 IP로써 사용하는데 문제가 없을 것으로 나타났다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제21권2호
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• pp.101-106
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• 2022

In this paper, WBG semiconductor such as SiC and GaN were applied as power switches for LCL circuit that can be applied to satellite power systems and the test results of the LCL circuit are reported. P-channel MOSFET and N-channel MOSFET, which were generally used in the conventional LCL circuit, were applied together to expand the utility of the test results. The design and stability evaluation were performed using a Micro Cap circuit simulation program. For the test circuit, a module using each switch was manufactured, and a total of 5 modules were manufactured and the steady state and transient state characteristics were compared. From the experimental results, the LCL circuit for power supply of the satellite power system constructed in this paper satisfied the constant current and constant voltage conditions under various operating conditions. The P-channel MOSFET showed the lowest efficiency characteristics, and the three N-channel switches of Si, SiC and GaN showed relatively high efficiency characteristics of up to 99.05% or more. In conclusion, it was verified that the on-resistor of the switch had a direct effect on the efficiency and loss characteristics.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권6호
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• pp.1047-1055
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• 2006

필드이온빔(FIB) 가공기를 써서 초고강도의 벌크다이아몬드를 가공하기 위해 이온 소오스의 종류와 가공 조건에 따른 나노급 미세 선폭의 최적조건을 알아보고 이에 근거한 2차원적인 텍스트의 가공과 3차원적인 박막요소의 가공을 시도하였다. 다이아몬드 기판과 실리콘 기판을 Ga과 $H_2O$ 소오스를 이용하는 FIB를 써서 30 kV 빔 전류를 10 pA $\sim$ 5 nA로 변화시키면서 패터닝하고 이때 각각 20 ${\mu}m$ 길이로 생성되는 선형 패턴의 선폭, 깊이, 에치속도, 에치형상, 깊이선폭비 (aspect ratio)를 확인하였다. 다이아몬드도 실리콘 기판과 마찬가지로 나노급 패턴의 형성이 가능하였다. $H_2O$ 소오스를 채용한 경우가 에치 깊이가 2배 정도 증가하였으며 동일한 가공 조건에서는 실리콘에 비해 다이아몬드의 에치 선폭이 감소는 경향이 있었다. 특히 다이아몬드는 절연성 때문에 차지가 축적되어 가공 중 이온빔이 불안정해지는 문제가 있었으나 차지 중화 모드를 이용하여 성공적으로 sub-100 nm급 선폭의 미세 가공이 가능하였다. 확인된 선폭가공 조건에 근거하여 2차원적으로 0.3carat의 보석용 다이아몬드의 거들부에 300여개의 글자를 FIB를 활용하여 선폭 240 nm정도로 명확히 기록하는 것이 가능하였다. $Ga^+$이온과 30 eV-30 pA로 조건에서 비교적 넓은 선폭과 Z축 depth 고정범위에서 많은 개인정보의 기록이 영구적으로 가능하였으며 전자현미경으로 재생이 가능하였다. 3차원적으로 두께 $1{\mu}m$의 박막요소를 FIB가공과 백금 용접으로 떼어낸 후 FIB가공으로 두께가 100 nm가 되도록 한 후 투과전자현미경을 이용하여 성분 분석을 하는 것이 성공적으로 수행될 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권4호
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• pp.41-49
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• 2008

n형 Bi-Te 박막과 p형 Bi-Sb-Te 박막을 전기도금법으로 형성하여 열전특성을 측정하였으며, Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어의 전기도금 성장거동을 분석하였다. 알루미나 템프레이트의 200nm 직경의 나노기공 내에 전기도금으로 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 형성시 각기 81%와 77%의 filling 비를 나타내었다. 알루미나 템프레이트에 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 순차적으로 전기도금하여 열전소자를 구성하였으며, Bi-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극과 Bi-Sb-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극 사이에서 $15{\Omega}$의 저항이 측정되었다.

• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.77-87
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• 2010

40여년전에 보고된 이래 병원에서 유래한 메치실린-저항 Staphylococcus aureus (MRSA) 은 세계적으로 큰 문제가 되어왔다. 항균성의 가능성을 가지는 새로운 약품을 개발하기 위하여 N'-[(-3-substituted-4-oxo-1,3-thiazolidin-2-ylidene]-4-hydroxy benzohydrazide (4a-4.i)와 N'-[-(3,4-disubstituted)-1,3-thiazolidin-2ylidene)]-4-hydroxybenzohydrazide (5.a-5.i)~(10.a-10.i)을 적절한 합성방법을 사용하여 합성하였다. 이들 합성된 화합물들은 s. aureus 균주에 대해 생체외 조건에서 분석하였다. 시료 화합물과 표준 화합물에 대해 최소억제농도(MIC)를 결정하였다. 시험한 모든 화합물들은 2000 ${\mu}g$/mL 투여량까지는 독성이 없었고, 사용한 균주에 대해 상당한 항균성을 보였다. 특히 6.f, 7.g, 9.f 와 10.f, 10 i 들이 가장 항균성이 컸다. 이것으로 미루어 파라-히드록시벤조히드라자이드 고리와 치환된 싸이아졸린 고리는 항균성에 필수적임을 알 수 있었다. 3D-QSAR 분석결과로 파라-히드록시벤조히드라자이드의 활성자리에 대한 결합방식을 알게되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권3호
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• pp.75-80
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• 2019

친환경 및 고효율의 장점 때문에 신재생 에너지원으로 널리 사용되고 있는 실리콘 태양 전지는 모듈을 직렬 연결하여 발전할 때 500-1,500 V의 전압이 걸리게 된다. 모듈 프레임과 태양 전지 사이에 걸린 이러한 고전압 차에 의해 장시간 가동시 효율 및 최대 출력이 감소하는 현상인 potential-induced degradation(PID)은 실리콘 태양 전지의 수명을 단축시키는 주요 원인 중 하나로 알려져 있다. 특별히 전면 유리의 $Na^+$ 이온이 고전압에 의해 반사방지막을 거쳐 실리콘 내부로 확산하여 실리콘 내부 적층 결함 등에 축적되는 것이 PID의 원인으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 p-형 PERC(passivated emitter and rear contact) 구조 실리콘 태양전지를 대상으로 $Na^+$ 이온의 확산 장벽으로 작용할 수 있는 $SiO_x$층이 p-n 접합과 반사방지막 사이에 삽입되었을 때 그 두께가 PID 현상 완화에 미치는 영향을 연구하였다. 96 시간 동안 1,000 V의 전압을 연속적으로 가한 후 병렬 저항, 효율 및 최대 출력을 측정한 결과 삽입된 $SiO_x$ 장벽층의 두께가 7-8 nm 이상일 때 비로소 PID 현상이 효과적으로 완화되는 것으로 나타났다.

• 대한치과교정학회지
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• 제28권5호
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• pp.813-823
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• 1998

마찰력은 치아이동시 활주이동부에 유해한 인자로 인식되어져 왔으나 치아이동에 저항하는 고정원에 있어서는 유리한 인자로 받아들여질 수 있다. 즉 마찰력이 작은 결찰법들을 이용하여 효과적인 치아이동을 도모하는 반면 마찰력이 큰 결찰법들을 이용하여 브라켓의 걸림에 의해 치아이동이 거의 일어나지 않게 하면 고정원을 강화할 수 있다. 인공타액하에서 시간경과에 따른 교정선과 브라켓 사이의 마찰력 변화, 탄성 모듈과 스테인레스 강 결찰선을 이용하여 각각 결찰양식을 달리 하였을 때의 마찰력 변화 그리고 결찰재의 재료를 달리 하였을 때의 마찰력 변화를 알아보기 위하여 .018"x.025" 슬롯의 상악 중절치용 standard edgewise twin 브라켓과 .017"x.022" 스테인레스 강 교정선을 탄성 모듈, .009" 스테인레스 강 결찰선 그리고 .012" 스테인레스 강 결찰선을 이용하여 다양하게 결찰하였다. 또한 통상적인 방법으로 결찰한 탄성 모듈 결찰군을 결찰 직후와 1주 간격으로 4주간 마찰력을 측정하여 다음과 같은 결과를 얻었다. ${\cdot}$탄성 모듈 whole tie시 시간경과에 따른 마찰력은 4주 경과시 가장 높았으나 3주, 2주, 1주, 결찰 직후간에는 통계학적으로 유의한 차이가 없었다 (p>0.n). ${\cdot}$탄성 모듈로 결찰시 마찰력은 twisting tie가 가장 높았고 double overlay tie, whole tie, half tie 순으로 나타났으나 twisting tie와 double overlay tie 간에는 통계학적으로 유의한 차이가 없었다 (p>0.05). ${\cdot}$스테인레스 강 결찰선으로 결찰시 half tie 군이 whole tie 군보다 낮은 마찰력을 보였으며 ligature tying plier로 결찰한 경우가 needle holder로 결찰한 경우보다 더 높았고 .012" 결찰선을 이용한 경우가 .009" 결찰선을 이용한 경우보다 더 높았다 (p<0.05). ${\cdot}$통상적인 방법으로 탄성 모듈과 스테인레스 강 결찰선을 이용하여 결찰한 경우 두 군간에 유의한 차이가 없었다(p>0.05).

• 대한화학회지
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• 제56권2호
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• pp.236-245
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• 2012

The main mycobacterial infection in human is tuberculosis caused by Mycobacterium tuberculosis. Tuberculosis is the leading infectious cause of death in the world. Therefore there is continuing and compelling need for new and improved treatment for tuberculosis. The entire logic towards design of new compounds containing 4-hydroxy-N'-(1,3-thiazoldin- 2-yldene)benzohydrazide moiety is basically for superior antimycobacterial activity. The recent advances in QSAR and computer science have provided a systematic approach to design a structure of any compound and further, the biological activity of the compound can be predicted before synthesis. The 3D-QSAR studies for the set of 4-hydroxy-N'-(1,3-thiazoldin- 2-yldene)benzohydrazide and their derivatives were carried out by using V-life MDS (3.50). The various statistical methods such as Multiple Linear Regression (MLR), Partial Least Square Regression (PLSR), Principle Component Regression(PCR) and K nearest neighbour (kNN) were used. The kNN showed good results having cross validated $r^2$ 0.9319, $r^2$ for external test set 0.8561 and standard error of estimate 0.2195. The docking studies were carried out by using Schrodinger GLIDE module which resulted in good docking score in comparison with the standard isoniazid. The designed compounds were further subjected for synthesis and biological evaluation. Antitubercular evaluation of these compounds showed that (4.a), (4.d) and (4.g) found as potent inhibitor of H37RV.