JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.3
no.1
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pp.21-26
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2003
4H-SiC Schottky rectifiers were exposed to pure Ar discharges in a planar coil Inductively Coupled Plasma system, as a function of source power, of chuck power and process pressure. The reverse breakdown voltage ($V_B$) decreased as a result of plasma exposure due to the creation of surface defects associated with the ion bombardment. The magnitude of the decrease was a function of both ion flux and ion energy. The forward turn-on voltage ($V_F$), on-state resistance ($R_{ON}$) and diode ideality factor (n) all increased after plasma exposure. The changes in all of the rectifier parameters were minimized at low power, high pressure plasma conditions.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.2
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pp.155-160
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2020
Ga2O3/n-type 4H-SiC heterojunction diodes were fabricated by RF magnetron sputtering. The optical properties of Ga2O3 and electrical properties of diodes were investigated. I-V characteristics were compared with simulation data from the Atlas software. The band gap of Ga2O3 was changed from 5.01 eV to 4.88 eV through oxygen annealing. The doping concentration of Ga2O3 was extracted from C-V characteristics. The annealed oxygen exhibited twice higher doping concentration. The annealed diodes showed improved turn-on voltage (0.99 V) and lower leakage current (3 pA). Furthermore, the oxygen-annealed diodes exhibited a temperature cross-point when temperature increased, and its ideality factor was lower than that of as-grown diodes.
We have developed technology to fabricate large-size active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays with good color purity. Using these innovations, we have developed a 40inch diagonal WXGA AMOLED full color display. Because the TFT circuitry occupies a large portion of the pixel structure, an efficient white emission OLED is essential to integrate the device onto the active matrix backplane. The development of these technologies enables OLED displays to fulfill the requirements for larger size applications such as HDTVs
Kim, Hoon;Kang, Chanyoung;Hwang, Junphil;Kim, Woochul
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.10
no.2
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pp.32-38
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2014
Heat emission from the laser diode used in the optical disc drive and the defects from the increased temperature at the system have attracted attentions from the field of the information storage device. Thermoelectric refrigerator is one of the fine solutions to solve these thermal problems. The refrigeration performance of thermoelectric device is dependent on the thermoelectric material's figure-of-merit. Meanwhile, high electrical contact resistivity between metal electrode and p- and n-type thermoelectric materials in the device would lead increased total electrical resistance resulting in the degeneracy in performance. This paper represents the manufacturing process of the PbTe-based material which has one of the highest figure-of-merit at medium-high-temperature, ~ 600K to 900 K, and the nickel contact layer for reduced electrical contact resistance at once, and the results showing the decent contact structure and figure-of-merit even after the long-term operation environment.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.222-222
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2012
Metal oxide gas sensors based on semiconductor type have attracted a great deal of attention due to their low cost, flexible production and simple usability. However, most works have been focused on n-type oxides, while the characteristics of p-type oxide gas sensors have been barely studied. An investigation on p-type oxides is very important in that the use of them makes possible the novel sensors such as p-n diode and tandem devices. Monoclinic cupric oxide (CuO) is p-type semiconductor with narrow band gap (~1.2 eV). This is composed of abundant, nontoxic elements on earth, and thus low-cost, environment-friendly devices can be realized. However, gas sensing properties of neat CuO were rarely explored and the mechanism still remains unclear. In this work, the neat CuO layers with highly ordered mesoporous structures were prepared by a template-free, one-pot solution-based method using novel ink solutions, formulated with copper formate tetrahydrate, hexylamine and ethyl cellulose. The shear viscosity of the formulated solutions was 5.79 Pa s at a shear rate of 1 s-1. The solutions were coated on SiO2/Si substrates by spin-coating (ink) and calcined for 1 h at the temperature of $200{\sim}600^{\circ}C$ in air. The surface and cross-sectional morphologies of the formed CuO layers were observed by a focused ion beam scanning electron microscopy (FIB-SEM) and porosity was determined by image analysis using simple computer-programming. XRD analysis showed phase evolutions of the layers, depending on the calcination temperature, and thermal decompositions of the neat precursor and the formulated ink were investigated by TGA and DSC. As a result, the formation of the porous structures was attributed to the vaporization of ethyl cellulose contained in the solutions. Mesoporous CuO, formed with the ink solution, consisted of grains and pores with nano-meter size. All of them were strongly dependent on calcination temperature. Sensing properties toward H2 and C2H5OH gases were examined as a function of operating temperature. High and fast responses toward H2 and C2H5OH gases were discussed in terms of crystallinity, nonstoichiometry and morphological factors such as porosity, grain size and surface-to-volume ratio. To our knowledge, the responses toward H2 and C2H5OH gases of these CuO gas sensors are comparable to previously reported values.
The heat temperature of a light emitting diode (LED) is investigated with the thermoelectric device (TED). The Peltier effect of the thermoelectric device is used to control the heat radiation and the junction temperature of high-power LEDs. For the typical specific current (350 mA) of high-power (1 W) LEDs, the LED temperature and the p-n junction temperature become $64.5^{\circ}C$ and $79.1^{\circ}C$, respectively. For 0.1~0.2 W driving power of TED, the LED temperature and the junction temperature are reduced to be $54.2^{\circ}C$ and $68.9^{\circ}C$, respectively. As the driving power of the TED increases over 0.2 W, the temperature of LED itself and the junction temperature are increased due to the heat reversed from the heat-sink to LED. As the difference of temperature between LED and the heat-sink is increased, the quantity of reversed heat becomes larger and it results to degrade the cooling capability of TED.
Kang, Seong Ho;Chung, Wha Jin;Yoon, Hyung Jung;Chung, Doo Soo
Journal of the Korean Chemical Society
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v.41
no.2
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pp.98-104
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1997
A simple, accurate and reproducible capillary electrophoresis(CE) assay has been developed for the determination of berberine, cinnamic acid, and glycyrrhizin which are used in traditional Korean medicinal preparations. Separation of these compounds was performed in 20 mM phosphate buffer(pH 7.5) and acetonitrile(75:25, v/v) using a bare fused silica capillary($57 cm{\times}75 {\mu}m$ i.d.) at 25$^{\circ}C$. With the electric field of 350 V/cm, the time needed for the separation of berberine, cinnamic acid and glycyrrhizin was within 13 min. Calibration curves were linear for 1∼100 ${\mu}g/mL$ berberine, 0.3∼100 ${\mu}g/mL$ cinnamic acid and 2.5∼100 ${\mu}g/mL$ glycyrrhizin. The ranges of relative standard deviations(n=5) for those samples were between 0.96∼2.35%. The limits of detection(S/N=3) for berberine, cinnamic acid and glycyrrhizin were 0.5, 0.1 and 2.0 ${\mu}g/mL$, respectively. The numbers of theoretical plates were 181,000(berberine), 88,000(cinnamic acid) and 169,000(glycyrrhizin), while they were 3,100∼4,800 in HPLC.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.418-419
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2013
현재, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 박막은 가시영역에서 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수하기 때문에 평면 디스플레이(flat displays), 박막 트랜지스터(thin film transistors), 태양전지(solar cells) 등을 포함한 광소자에 투명전도성산화물(transparent conducting oxide, TCO) 전극으로 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만, 이 물질은 밴드갭이 3.4 eV로 다소 작아 다양한 분야의 의료기기, 환경 보호에 응용 가능한 자외선 영역에서 상당히 많은 양의 광흡수가 발생하는 치명적인 문제점을 가지고 있다. 또한, 인듐(Indium)의 급속한 소비는 인듐의 매장량의 한계로 인해 가격을 상승시키는 주요한 원인으로 작용하고 있다. 한편, InGaN 기반의 자외선 발광다이오드 분야에서는 팔라듐(Pd) 기반의 반투명 전극과 은(Ag) 기반의 반사전극을 주로 사용하고 있지만, 낮은 투과도와 낮은 굴절률을 때문에 여전히 자외선 발광다이오드의 광추출 효율(extraction efficiency)에 문제점을 가지고 있다. 따라서 자외선 발광다이오드의 외부양자 효율(external quantum efficiency, EQE)을 높이기 위해 높은 투과도와 GaN와 유사한 굴절률을 가지는 p-형 오믹 전극을 개발해야 한다. 본 연구에서는 초박막의 ITO (16 nm)/Ag (7 nm)/ITO (16 nm) 다층 구조를 갖는 투명전도성 전극을 제작한 후, 열처리 온도에 따른 전기, 광학적 특성에 향상에 대해서 조사하였다. 사용된 산화물/금속/산화물 전극의 구조는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED), 태양전지 등에 많이 사용되는 안정적인 투명 전극을 자외선 LED 소자에 처음 적용하여, ITO의 전체 사용량은 줄이고, ITO 사이에 금속을 삽임함으로써 금속에 의한 전기적 특성 향상과 플라즈몬 효과에 의한 투과도를 높일 수 있는 장점을 가지고 있다. 실험 결과로는, $400^{\circ}C$에서 열처리한 ITO/Ag/ITO 다층 구조는 365 nm에서 84%의 광학적 특성과 9.644 omh/sq의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과로부터 좀 더 최적화를 수행하면, ITO/Ag/ITO 다층 구조는 자외선 발광다이오드의 투명전도성 전극으로 사용될 수 있을 것이라 기대된다.
Purpose: In this study, we added two kinds of photoinitiators (CQ and TPO) to prepare two kinds of denture base resins (Bis-GMA series and UDMA series) for three-dimensional (3D) printing to compare and analyze their mechanical and biological properties and to find the optimal composition. Methods: Control specimens were made using the mold made of polyvinyl siloxane of the same size. Light curing was performed twice for 20 seconds on both the upper and lower surfaces with LED (light emitting diode) light-curing unit (n=10). Experimental 3D printing dental resins were prepared, to which two photoinitiators were added. Digital light processing type 3D printer (EMBER, Autodesk, CA, USA) was used for 3D printing. The specimen size was 64 mm×10 mm×3.3 mm according to ISO 20795-1. The final specimens were tested for flexural strength and flexural modulus, and MTT test was performed. Furthermore, one-way analysis of variance was performed, and the post-test was analyzed by Duncan's test at α=0.05. Results: The flexural strength of both Bis-GMA+CQ (97.12±6.47 MPa) and UDMA+TPO (97.40±3.75 MPa) was significantly higher (p<0.05) in the experimental group. The flexural modulus in the experimental group of UDMA+TPO (2.56±0.06 GPa) was the highest (p<0.05). MTT test revealed that all the experimental groups showed more than 70% cell activity. Conclusion: The composition of UDMA+TPO showed excellent results in flexural strength, flexural modulus, and biocompatibility.
The objective of this study was to elucidate the effect of light-emitting diode treatment on early growth and inorganic elements in leaf lettuce (Lactuca sativa L. 'Oak Leaf'). In changes to leaf morphology, shoot elongation and hypocotyl length showed poor growth under red light irradiation, while red+blue light irradiation induced shorter plant height and more leaves, resulting in increased fresh weight. With respect to Hunter's color and SPAD values, lettuce seedlings grown under red+ blue and fluorescent light irradiation had a higher $a^*$ value but showed no other changes to SPAD values. Interestingly, redness in relative chlorophyll content was 1.4 times higher under red+blue light irradiation. Inorganic element (N, Ca, Mg, and Fe) and ascorbic acid concentrations increased in lettuce plants grown under LED light irradiation compared to those of lettuce grown under fluorescent light, which showed a higher P content. In conclusion, red+blue light irradiation, which stimulates growth and higher nutrient uptake in leaf lettuce, could be employed in containers equipped with LEDs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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