• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제7권5호
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• pp.386-391
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• 2015

PURPOSE. The purpose of this preliminary study was to investigate the effects of adding 4,4'-bis(N,N-diethylamino) benzophenone (DEABP) as a co-initiator to a binary photoinitiating system (camphorquinone-amine) to analyze on the degree of conversion (DC) of a light-cured resin for dental 3D printing. MATERIALS AND METHODS. Cylindrical specimens (N=60, n=30 per group, ${\phi}5mm{\times}1mm$) were fabricated using bisphenol A glycerolate dimethacrylate (BisGMA) both with and without DEABP. The freshly mixed resins were exposed to light in a custom-made closed chamber with nine light-emitting diode lamps (wavelength: 405 nm; power: $840mW/cm^2$) for polymerization at each incidence of light-irradiation at 10, 30, 60, 180, and 300 seconds, while five specimens at a time were evaluated at each given irradiation point. Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy was used to measure the DC values of the resins. Two-way analysis of variance and the Duncan post hoc test were used to analyze statistically significant differences between the groups and given times (${\alpha}$=.05). RESULTS. In the DEABP-containing resin, the DC values were significantly higher at all points in time (P<.001), and also the initial polymerization velocity was faster than in the DEABP-free resin. CONCLUSION. The addition of DEABP significantly enhanced the DC values and, thus, could potentially become an efficient photoinitiator when combined with a camphorquinone-amine system and may be utilized as a more advanced photopolymerization system for dental 3D printing.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.555-560
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• 2014

본 논문에서 850nm~1000nm 파장대역에서 레이저를 검출하기 위한 고감도 실리콘 포토다이오드를 제조하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 소자의 크기는 $5000{\mu}m{\times}2000{\mu}m$이며 두께는 $280{\mu}m$로 제조하여 TO-5 형태로 패키징 하였다. 전기적 특성으로 암전류는 5V 역 전압 일 때 0.1nA의 값을 나타내었으며 정전용량은 0V일 때 1kHz 주파수 대역에서 32.5pF와 200kHz 주파수 대역에서 32.4pF로 적은 정전용량의 값을 나타내었다. 또한 출력신호의 상승시간은 10V의 전압일 때 20.92ns로 고속 응답특성을 확인하였다. 광학적 특성으로는 890nm에서 최대 0.57A/W의 분광감응도를 나타내었고 1000nm에서는 0.37A/W로 감소한 분광감응도를 나타내고 있지만 870nm~920nm 파장대역에서는 비교적 우수한 분광감응도를 나타내었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.20-20
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• 2003

We developed 30 ㎽-AlInGaN based violet laser diodes. The fabrication procedures of the laser diodes are described as follows. Firstly, GaN layers having very low defect density were grown on sapphire substrates by lateral epitaxial overgrowth method. The typical dislocation density was about 1-3$\times$10$^{6}$ /$\textrm{cm}^2$ at the wing region. Secondly, AlInGaN laser structures were grown on LEO-GaN/sapphire substrates by MOCVD. UV activation method, instead of conventional annealing, was conducted to achieve good p-type conduction. Thirdly, ridge stripe laser structures were fabricated. The cavity mirrors were formed by cleaving method. Three pairs of SiO$_2$ and TiO$_2$ layers were deposited on the rear facet for mirror coating. Lastly, laser diode chips were mounted on AlN submount wafers by epi-down bonding method. The lifetime of the laser diodes was over 10,000 hrs at room temperature under automatic power controlled condition. We expect the performance of the LDs to be improved by the optimization of the growth and fabrication process. The detailed characteristics and important issues of the laser diodes will be discussed at the conference.

• 전기화학회지
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• 제2권1호
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• pp.17-22
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• 1999

다공질 실리콘을 이용한 마이크로센서와 마이크로액츄에이터의 연구는 현재 초기단계에 있기 때문에, 지금까지 발광 다이오드나 화학 센서 등과 같은 몇몇 응용 소자가 발표된 수준에 머물러 있다. 본 논문에서는 화학 센서와 광소자를 중심으로 다공질 실리콘 센서 및 액추에이터 연구현황을 고찰 보고하고자 한다. 정전용량형 다공질 실리콘 습도센서의 감습 특성은 비선형이였으며, 저습보다는 $40\%RH$ 이상의 고습영역에서 더 높은 감도를 나타내었다. 다공질 실리콘 $n^+-p-n^+$ 소자는 에탄올에 노출되었을 때 소자 전류가 급격히 증가하였다. 다공질 실리콘 다이어프램에 제작된 $p^+-PSi-n^+$ 다이오드는 광 스위칭 현상을 나타내어 광센서 또는 광스위치로써의 응용 가능성을 보여주었다. 다공질 실리콘에 365nm를 조사해서 얻어진 광루미네센스(PL)는 넓은 스펙트럼을 보였으며, 피크 파장은 610 nm이었다. ITO/PSi/In LED의 전계발광(EL)스펙트럼은 PL에 비해 약간 더 넓은 영역에 걸쳐 나타났으며, 피크 에너지가 단파장(535nm)으로 이동하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1114-1116
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• 1995

P/N(CuO/ZnO) Heterojunction gas sensors were made by 2-step sintering methods and its gas sensing property was measured by varying the injected gases and the operating temperatures. As the applied voltage was increased in air ambients, the current-voltage characteristics shown the ohmic properties. However, when the CO gas ambients, 500 ppm at $200^{\circ}C$, the current-voltage characteristics behaves like a rectifying diode s after 3 mins later and its conduction mechanism is discussed qualitatively for the first times.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.284-284
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• 2012

본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.

• Journal of Information Display
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• 제11권1호
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• pp.12-16
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• 2010

The effect of the crystallization and activated annealing of Si films using an excimer laser and the new CW blue laser are described and compared with furnace annealing for application in advanced TFTs and for future applications. Pulsed excimer laser annealing (ELA) is currently being used extensively as a low-temperature poly-silicon (LTPS) process on glass substrates as its efficiency is high in the ultra-violet (UV) region for thin Si films with thickness of 40-60 nm. ELA enables extremely low resistivity relating to high crystallinity for both the n- and p-type Si films. On the other hand, CW blue laser diode annealing (BLDA) enables the smooth Si surface to have arbitral crystal grains from micro-grains to an anisotropic huge grain structure only by controlling its power density. Both annealing techniques are expected to be applied in the future advanced TFT systems.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 정기총회 및 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.243-245
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• 1993

The negative curvature effect on the breakdown voltage of p-n junction, which may realize 1-D breakdown voltage due to the lower peak electric field at the junction, is proposed and verified by the fabrication of lateral diode on Silicon-on-Insulator (SOI) together with MEDICI simulation. The experimental and simulation results show good agreements with the theoretical expectation. The proposed method is effectively applicable to the lateral, especially on SOI, power devices.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.391-392
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• 2008

A SPICE-based 3-dimensional circuit model of Light-Emitting Diode(LED) was modified include the reverse breakdown properties. The new model is found to be accurate to study the failure mechanisms of LEDs under electrostatic discharge (ESD) and electronic overstress (EOS). It was found that the permanent damages under heavy reverse stress is mainly due to the high electric field strength in P-GaN layer.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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• pp.302-303
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• 2000

Edge emitting 레이저 다이오드의 전형적인 모양은 그림 1과 같다. 반도체 레이저는 다른 종류의 레이저에 비하여 체적이 매우 작으며 제조 단가가 저렴하고 대량생산이 용이할 뿐 아니라 수 mA의 전류만 흘리면 레이저가 되는 이점이 있으므로 광통신용 응용 외에도 바코드 리더, 비디오 디스크, 오디오 디스크, 레이저 프린터, 포인터 등에 폭넓게 이용된다. 하지만 다른 레이저들에 비하여 발산각이 큰 편인데 p-n 접합에 나란한 방향과 수직인 방향의 발산각은 각각 λ/w와 λ/l 로 타원모양을 갖게 된다$^{(1)}$ . LD의 발광 부분은 폭이 작으므로 일정한 높이에서 정확한 세기분포를 측정하기 위하여 그림 2와 같이 본 연구실에서 제작한 NSOM (Near-filed Scanning Optical Microscope) 구조를 이용한다$^{(2)}$ . (중략)