Volatile organic compounds (VOCs) are present in essentially all natural and synthetic materials from petrol to flowers. In this study, indoor and outdoor VOCs concentrations of houses, offices and internet-cafes were measured and compared simultaneously with personal exposures of each 50 participants in Asan and Seoul, respectively. Also, factors that influence personal VOCs exposure were statistically analyzed using questionnaires in relation to house characteristics, time activities, and health effects. All VOCs concentrations were measured by OVM passive samplers (3M) and analyzed with GC/MS. Target pollutants among VOCs were Toluene, o-Xylene, m/p-Xylene, Ethylbenzene, MIBK, n-Octane, Styrene, Trichloroethylene, and 1,2-Dichlorobenzene. Indoor and outdoor VOCs concentrations measured in Seoul were significantly higher than those in Asan except Ethylbenzene. Residential indoor/outdoor (I/O) ratios for all target compounds ranged from 0.94 to 1.51 and I/O ratios of Asan were a little higher than those of Seoul. Relationship between personal VOCs exposure, and indoor and outdoor VOCs concentrations suggested that time-activity pattern could affect the high exposure to air pollutant. Factors that influence indoor VOCs level and personal exposure with regard to house characteristics in houses were building age, inside smoking and house type. In addition insecticide and cosmetics interestingly affected the VOCs personal exposure. Higher exposure to VOCs might be caused to be exciting increase and memory reduction, considering the relationship between measured VOCs concentrations and questionnaire (p<0.05).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.123-123
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2000
선폭이 초미세화됨에 따라 게이트 전극에서의 공핍 현상 및 불순물 확산의 물제를 갖는 poly-Si 게이트를 대체할 전극 물질로 텅스텐(W)이 많이 연구되어 왔다. 반도체 소자의 배선물질로 일찍부터 사용되어온 텅스텐은 내화성 금속의 일종으로 용융점이 높고, 저항이 낮다. 그러나, 일반적으로 사용되고 있는 CVD에 의한 텅스텐의 증착은 반응가스(WF6)로부터 오는 불소(F)의 게이트 산화막내로의 확산으로 인해 MOS 소자가 크게 열화될수 있다. 본 연구에서는 W/TiN 이중 게이트 전극 구조를 갖는 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적 특성을 살펴보았다. P-Type (100) Si위에 RTP를 이용, 85$0^{\circ}C$에서 110 의 열산화막을 성장 및 POA를 수행한 후, 반응성 스퍼터링법에 의해 상온, 6mTorr, N2/Ar=1/6 sccm, 100W 조건에서 TiN 박막을 150, 300, 500 의 3그룹으로 증착하였다. 그 위에 LPCVD 방법으로 35$0^{\circ}C$, 0.7Torr, WF6/SiH4/H2=5/5~10/500sccm 조건에서 2000~3000 의 텅스텐을 증착하였다. Photolithography 공정 및 습식 에칭을 통해 200$\mu\textrm{m}$$\times$200$\mu\textrm{m}$ 크기의 W/TiN 복층 게이트 MOSC를 제작하였다. W/TiN 복측 게이트 소자와 비교분석하기 위해 같은 조건의 산화막을 이용한 알루미늄(Al) 게이트, 텅스텐 게이트 MOSC를 제작하였다. 35$0^{\circ}C$에서 증착된 텅스텐 박막은 10~11$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 미소한 W(110) peak값을 나타내는 것으로 보아 비정질 상태에 가까웠다. TiN 박막의 경우 120~130$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 TiN (200)의 peak 값이 크게 나타난 반면, TiN(111) peak가 미소하게 나타났다. TiN 박막의 두께와 WF/SiH4의 가스비를 변화시켜가며 제작된 MOS 캐패시터를 HF 및 QS C-V, I-V 그리고 FNT를 통한 전자주입 방법을 이용하여 TiN 박막의 불소에 대한 확산 방지막 역할을 살펴 보았다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. TiN 박막이 300 , 500 이고 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우 소자 특성이 우수하였으나, 5:5의 경우에는 FNT 전자주입 특성이 열화되기 시작하였다. 그리고, TiN박막의 두께가 150 으로 얇아질 경우에는 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우에서도 소자 특성이 열화되기 시작하였다. W/TiN 복층 게이트 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적인 특성 분석결과, 순수 텅스텐 게이트 소자의 큰 저전계 누설 전류 특성을 해결할 수 있었으며, 불소확산에 영향을 주는 조건이 WF6/SiH4의 가스비에 크게 의존됨을 알 수 있었다. TiN 박막의 증착 공정이 최적화 될 경우, 0.1$\mu\textrm{m}$이하의 초미세소자용 게이트 전극으로서 텅스텐의 사용이 가능할 것으로 보여진다.
Shin, Min hwan;Seo, Ji yeon;Choi, Yong hun;Kim, Jonggun;Shin, Dongsuk;Lee, Yeoul-Jae;Jung, Myung-Sook;Lim, Kyoung Jae;Choi, Joongdae
Journal of Korean Society on Water Environment
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v.25
no.2
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pp.212-220
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2009
In many studies, the Numeric Integration (NI) method has been widely used to calculate pollutant loads from the watershed because it is easy to apply. However, there have been many needs for more accurate pollutant loads estimation method with the restricted number of water quality samples. However, the ESTIMATOR model does not allow the users to define the regression model to explain the measured flow and water quality relationship, indicating the ESTIMATOR model is not flexible. The LOADEST model allows the user to choose the model type from 11 predefined general forms of regression equations. Annual loads of T-N and T-P with the LOADEST model were 0.70 times and 0.84 times of those by NI method, respectively. The coefficient of determination ($R^2$) of the LOADEST regression for the T-N and T-P were 0.92 and 0.72, respectively. This indicates that the load estimation regression model with the LOADEST for the study watershed explains the relationship between the observed flow and water quality data well reasonably well. Based on these findings, we suggest that the LOADEST model estimated regression equation could be used to estimate pollutant loads using the measured flow data for the study watershed.
Kim, Sun Hee;Shin, Jeong Hyun;Lee, Jun Hyeok;Lee, Hong Jae;Kim, Bum Sung;Lee, Don Hee
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.73.1-73.1
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2010
태양광 시장은 세계적인 금융 위기 속에서도 점점 그 규모가 확대되고 있다. 시장의 규모가 확대되고 있음에도 불구하고 금융 위기를 겪으면서 생산자 중심의 시장에서 수요자 중심의 시장으로 바뀌게 되었다. 이에 따라 더 적은 비용으로 높은 출력의 제품만이 경쟁력을 가지게 됨으로써 효율이 더욱 이슈화되었다. 여러 태양전지 중 가장 점유율이 높은 결정질 태양전지는 일반적인 양산 공정만으로 효율을 높이는데 한계가 있으므로 selective emitter, back contact, light induced plating 등의 새로운 공정을 도입하여 효율을 높이려는 경향이 나타나고 있다. 본 연구에서는, ALD 장치를 사용하여 결정질 태양전지의 후면을 passivation 함으로써 효율을 높이는 방법을 모색하였다. 부동화 층으로는 $Al_2O_3$를 사용하였으며 셀을 제조하여 평가하였다. 실험방법은 p-type의 웨이퍼를 이용하여 습식으로 texturing 후 $POCl_3$ 용액으로 p-n junction을 형성하였고 anti-reflection 막인 SiNx는 PECVD를 사용하여 R.I 2.05, 80nm 두께로 증착하였다. 그런 다음 후면의 n+ layer를 제거하기 위하여 SiNx에 영향을 미치지 않는 용액을 사용하여 후면을 식각하였다. BSF 층은 screen printer로 Al paste를 printing하여 형성하였고 Al etching용액으로 여분의 Al제거한 후 ALD 장치를 이용하여 $Al_2O_3$를 증착하였다. 마지막으로 전극을 형성한 후 laser로 isolation하여 효율을 평가하였다.
The effect of nutrient availability and forest type on the nutrient turnover of fine roots is important in terrestrial nutrient cycling, but it is poorly understood. I measured nutrient turnover of hardwoods and softwoods at three well studied sites in the northeastern US: Sleepers River, VT; Hubbard Brook, NH; Cone Pond, NH. Significant differences in nutrient turnover by fine roots were observed among sites, but not between forest types. The magnitude of differences for each element ranged from 3 times for P and N to 8 times for Ca and Mg between sites. Smaller differences of 0.2 to 0.8 times were observed between forest types. In hardwoods, the Sleepers River 'new' site had $23kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$ Ca, $7kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$ Mg, and $16kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$ K turnover, owing to high root nutrient contents and turnover. Cone Pond had the highest turnover for Mn ($0.8kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$) and Al ($16kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), owing to high nutrient contents. The Hubbard Brook hardwood site exhibited the lowest turnover of these elements. In softwoods, the variation in turnover of Ca, Mg, and K was lower than in hardwoods. The Hubbard Brook had the highest turnover for P ($1.6kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), N ($31kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), Mn ($0.4kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), Al ($10kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), Fe ($6.4kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), Zn ($0.3kg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), Cu ($34g\;ha^{-1}\;yr^{-1}$), and C ($1.1Mg\;ha^{-1}\;yr^{-1}$). Root Ca turnover exponentially increased as soil percentage Ca saturation increased because of greater root nutrient contents and more rapid turnover at the higher Ca sites. These results imply that nutrient inputs by root turnover significantly increase as soil Ca availability improves in temperate forest ecosystems.
Kim, Yu-Mi;Jeong, Kwang-Seok;Yun, Ho-Jin;Yang, Seung-Dong;Lee, Sang-Youl;Lee, Hi-Deok;Lee, Ga-Won
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.11
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pp.900-904
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2011
In this paper, we investigated an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type LTPS TFTs. The devices with inferior electrical performance also show larger hump phenomenon. which can be explained by the sub-channel induced from trapped electrons under thinner gate oxide region. We can confirm that the devices with larger hump have larger interface trap density ($D_{it}$) and grain boundary trap density ($N_{trap}$) extracted by low-high frequency capacitance method and Levinson-Proano method, respectively. From the C-V with I-V transfer characteristics, the trapped electrons causing hump seem to be generated particularly from the S/D and gate overlapped region. Based on these analysis, the major cause of an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type poly-Si TFTs is explained by the GIDL occurring in the S/D and gate overlapped region and the traps existing in the channel edge region where the gate oxide becomes thinner, which can be inferred by the fact that the magnitude of the hump is dependent on the average trap densities.
The aim of this study was to evaluate the occurrence of vanadium in Jeju Island groundwater, focusing on the spatio-temporal patterns and geochemical controlling factors of vanadium. For this, we collected two sets of groundwater data: 1) concentrations of major constituents of 2,595 groundwater samples between 2008 and 2014 and 2) 258 groundwater samples between December 2006 and June 2008. The concentrations of groundwater vanadium were in the range of $0.2{\sim}71.0{\mu}g/L$ (average, $12.0{\mu}g/L$) and showed local enrichments without temporal/seasonal variation. This indicated that vanadium distribution was controlled by 1) the geochemical/mineralogical composition and dissolution processes of original materials (i.e., volcanic rock) and 2) the flow and chemical properties of groundwater. Vanadium concentration was significantly positively correlated with that of major ions ($Cl^-$, $Na^+$, and $K^+$) and trace metals (As, Cr, and Al), and with pH, but was negatively correlated with $NO_3-N$ concentration. The high concentrations of vanadium (>$15{\mu}g/L$) occurred in typically alkaline groundwater with high pH (${\geq}8.0$), indicating that a higher degree of water-rock interaction resulted in vanadium enrichment. Thus, higher concentrations of vanadium occurred in groundwater of $Na-Ca-HCO_3$, $Na-Mg-HCO_3$ and $Na-HCO_3$ types and were remarkably lower in groundwater of $Na-Ca-NO_3$(Cl) type that represented the influences from anthropogenic pollution.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.1
no.4
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pp.11-15
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2000
This paper presents a process optimization of antireflection (AR) coating on crystalline Si solar cells. Theoretical and experimental investigations were performed on a double-layer AR(DLAR) coating of MgFe$_2$/GeO$_2$. We investigated GeO$_2$ films as an AR layer because they have a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. RF sputter grown GeO$_2$ film showed deposition temperature strong dependence. The GeO$_2$ at 400$\^{C}$ exhibited a strong (111) preferred orientation and the lowest surface roughness of 6.87 $\AA$. Refractive index of MgFe$_2$film was measured as 1.386 for the most of growth temperature. An optimized DLAR coating showed a reflectance as low as 2.04% in the wavelengths ranged from 0.4 ㎛ to 1.1 ㎛. Solar cells with a structure of MgFe$_2$/GeO$_2$/Ag/N$\^$+//p-type Si/P$\^$+//Al were investigated with the without DLAR coatings. We achieved the efficiency of solar cells greater than 15% with 3.12% improvement with DLAR coatings. Further details about MgFe$_2$,GeO$_2$ films, and cell fabrication parameters are presented in this paper.
The yeast strains of Saccharomyces diastaticus produce one of three isozymes of an extracellular glucoamylase I, II or III, a type of exo-enzyme which can hydrolyse starch to generate glucose molecules from non-reducing ends. These enzymes are encoded by the STA1, STA2 and STA3 genes. Another gene, sporulation-specific glucoamylase (SGA), also exists in the genus Saccharomyces which is very homologous to the STA genes. The SGA has been known to be produced in the cytosol during sporulation. However, we hypothesized that the SGA is capable of being secreted to the extracellular region because of about 20 hydrophobic amino acid residues at the N-terminus which can function as a signal peptide. We expressed the cloned SGA gene in S. diastaticus YIY345. In order to compare the biochemical properties of the extracellular glucoamylase and the SGA, the SGA was purified from the culture supernatant through ammonium sulfate precipitation, DEAE-Sephadex A-50, CM-Sephadex C-50 and Sephadex G-200 chromatography. The molecular weight of the intact SGA was estimated to be about 130 kDa by gel filtration chromatography with high performance liquid chromatography (HPLC) column. Sodium dedecyl sulfate polyacrylamide gel electrophoresis (SDS-PAGE) analysis showed it was composed of two heterogeneous subunits, 63 kDa and 68 kDa. The deglycosylation of the SGA generated a new 59 kDa band on the SDS-PAGE analysis, indicating that two subunits are glycosylated but the extent of glycosylation is different between them. The optimum pH and temperature of the SGA were 5.5 and $45^{\circ}C$, respectively, whereas those for the extracellular glucoamylase were 5.0 and $50^{\circ}C$. The SGA were more sensitive to heat and SDS than the extracellular glucoamylase.
receptor(MC4R) gene and carcass traits was examined in randomly selected commercial pigs. A porcine MC4R gene was genotyped for Asp298Asn(nt. 892G>A) by polymerase chain reaction-restriction fragment length polymorphism(PCR-RFLP). A total of three genotypes, A/A, A/G, and G/G, were found with 28.8, 22.8, and 48.4% frequencies, respectively. In the whole population, pigs containing 892A/- showed significantly higher marbling score than those of homozygotes G/G(P<0.05). Two homozygotes, A/A and G/G showed lower in meat color score but higher in water holding capacity than those of heterozygotes A/G(P<0.01). However, the carcass weight of the barrows containing wild type -/G was significantly higher(i.e. more than 2.5kg) than those of homozygotes A/A(P<0.05). The effects of each genotype on carcass traits in the gilts were similar to those of the whole population, but not in barrows, suggesting an unknown sex-related effect on carcass traits. This study suggested that the genotype MC4R A/- could improve the meat quality in the commercial pig production. However, since the genetic polymorphism of MC4R gene differentially affected the carcass traits in sex-related manner, therefore, both parameters, the sex and genotype, should be considered for marker-assisted selection in commercial pig production.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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