The purpose of this study was to evaluate the effect of a new resin monomer, filler size and polishing technique on the surface roughness of composite resin restorations using confocal laser scanning microscopy. By adding new methoxylated Bis-GMA (Bis-M-GMA, 2,2-bis[4-(2-methoxy-3-methacryloyloxy propoxy) phenyl] propane) having low viscosity, the content of TEGDMA might be decreased. Three experimental composite resins were made: EX1 (Bis-M-GMA/TEGDMA = 95/5 wt%, 40 nm nanofillers); EX2 (Bis-M-GMA/TEGDMA = 95/5 wt%, 20 nm nanofillers); EX3 (Bis-GMA/TEGDMA = 70/30 wt%, 40 nm nanofillers). Filtek Z250 was used as a reference. Nine specimens (6 mm in diameter and 2 mm in thickness) for each experimental composite resin and Filtek Z250 were fabricated in a teflon mold and assigned to three groups. In Mylar strip group, specimens were left undisturbed. In Sof-lex group, specimens were ground with #1000 SiC paper and polished with Sof-lex discs. In DiaPolisher group, specimens were ground with #1000 SiC paper and polished with DiaPolisher polishing points. The Ra (Average roughness), Rq (Root mean square roughness), Rv (Valley roughness), Rp (Peak roughness), Rc (2D roughness) and Sc (3D roughness) values were determined using confocal laser scanning microscopy. The data were statistically analyzed by Two-way ANOVA and Tukey multiple comparisons test (p = 0.05). The type of composite resin and polishing technique significantly affected the surface roughness of the composite resin restorations (p < 0.001). EX3 showed the smoothest surface compared to the other composite resins (p < 0.05). Mylar strip resulted in smoother surface than other polishing techniques (p < 0.05). Bis-M-GMA. a new resin monomer having low viscosity, might reduce the amount of diluent, but showed adverse effect on the surface roughness of composite resin restorations.
In the binary system of SiC and carbon, porosity and pore size distribution of green body was controlled by varying pH, by the addition of polyelectrolyte dispersants, and by using different particle size of starting powders. The preforms having different green microstructure were fabricated by slip casting from suspensions having different dispersion condition. The reaction bonding process was carried out for these preforms. The condition of reaction bonding was 1600$^{\circ}C$ and 20 min. under vacuum atmosphere. The analyses of optical and SEM were studied to investigate the effect of green microstructure on that of reaction bonded silicon carbide and subsequently the mechanical properties of sintered body was investigated. Different green microstructures were obtained from suspensions having different dispersion condition. It was found that the pore size could be remarkably reduced for a fine SiC(0.5$\mu\textrm{m}$). The bimodal microstructure was not found in the present study, which is frequently observed in the typical reaction bonded silicon carbide. It is considered that the ratio between SiC and C was responsible for the formation of bimodal microstructure. For the preform fabricated from the well dispersed suspension, the 3-point bending strength of reaction-bonded silicon carbide was 310${\pm}$40 MPa compared to the specimen fabricated from relatively agglomerated particles having lower value 260${\pm}$MPa.
Pasteurella haemolytica is well known to cause severe pneumonia, consolidation and oedema of the lung, and fibrinous pleurisy under the stress and infection of virus in the cattle. In the course of our screening for antimicrobial agents against P.haemloytica, compound 51086 has been isolated from the fermentation broth of Streptimyces sp. 51086. The compound 51086 was purified by SiO2, Sephadex LH-20 and ODS column chromatographies and HPLC, subsequently. The structure of compound 51086 was determined as hygromycin A by combination of 1H NMR, 13C NMR, HMBC, and ESI-MS. This compound showed significant antibacterial activity against P.haemolytica and P.multocida.
A fibrinolytic enzyme has been found in several bacteria isolated from fermented food. This study was carried out to investigate the purification and characteristics of the fibrinolytic enzyme produced by Bacillus subtilis KCK-7 originated from Chungkookjang. The fibrinolytic enzyme was purified to homogeneity from the culture supernatant using ammonium sulfate fractionation and chromatographies on DEAE-cellulose and on Sephadex G-100. The final specific activity of the purified enzyme increased 11.0-fold, and the protein amount in the purified enzyme was about 16% of that in the culture supernatant. The molecular weight of the purified enzyme was estimated to be about 45,000 by SDS-PAGE. The optimum pH and temperature for the enzyme activity were pH 7.0 and $60^{\circ}C$, respectively. The enzyme activity was relatively stable up to $60^{\circ}C$ over the pH range of 7.0-10.0. The fibrinolytic enzyme activity increased by $Ca^{2+}$ and $Cu^{2+}$, whereas it was inhibited by $Hg^{2+}$ and $Ba^{2+}$. In addition, it was severely inhibited by PMSF and DFT. It is suggested that the purified enzyme was a serine protease for the fibrinolysis. The purified enzyme could completely hydrolyze fibrin in vitro within 8 h. Hence, it is suggested that the purified enzyme can be put into practice as an effective thrombolytic agent.
Piglets communicate with their sow by using special sounds and synchronize their suckling behavior with their mother’s grunting. This study sought to find an effective sound for controlling the nursing/suckling behavior of pigs. Eighteen crossbred Landrace${\times}$Yorkshire sows and their piglets were studied on days 1, 7, and 14 post-partum. The parity of the sows was three or four. The litter size ranged from 9 to 11, with a mean of 10.4 piglets. Thirty minutes after the end of the last suckling, either the nursing-suckling sound (NSS) or the nursing-suckling sound + click sound (NSSCS) was played for 90 s randomly, and this experiment was repeated three times. The behavior of the sows and their piglets was recorded using camcorders and observed each second. When comparing NSS and NSSCS, there was less lying and sleeping and more sitting, standing, walking, and massaging when NSSCS was played than when NSS was played. These results suggest that NSSCS may induce more nursing and suckling in pigs than NSS.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.3
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pp.251-263
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2008
In this paper, we report an analytical modeling and 2-D Synopsys Sentaurus TCAD simulation of ion implanted silicon carbide MESFETs. The model has been developed to obtain the threshold voltage, drain-source current, intrinsic parameters such as, gate capacitance, drain-source resistance and transconductance considering different fabrication parameters such as ion dose, ion energy, ion range and annealing effect parameters. The model is useful in determining the ion implantation fabrication parameters from the optimization of the active implanted channel thickness for different ion doses resulting in the desired pinch off voltage needed for high drain current and high breakdown voltage. The drain current of approximately 10 A obtained from the analytical model agrees well with that of the Synopsys Sentaurus TCAD simulation and the breakdown voltage approximately 85 V obtained from the TCAD simulation agrees well with published experimental results. The gate-to-source capacitance and gate-to-drain capacitance, drain-source resistance and trans-conductance were studied to understand the device frequency response. Cut off and maximum frequencies of approximately 10 GHz and 29 GHz respectively were obtained from Sentaurus TCAD and verified by the Smith's chart.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.425-425
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2009
그라핀을 금속 촉매를 이용하여 상압 혹은 저진공 CVD로 성장할 경우 대형 기판을 쉽게 얻을 수 있으므로 최근 들어 금속 촉매를 이용한 CVD 기술이 재 각광받고 있다. 최근 MIT의 Jing Kong 그룹, Purdue 대학의 Yong P. Chen 그룹, 국내에서는 성균관대학에서 이에 대한 논문을 발표한 바 있다. CVD 방법의 가장 큰 장점은 그라핀 박막의 가장 큰 문제점 중 하나인 대형 기판에 매우 유리하다는 점이다. 본 연구에서는 결함 없는 대형 그라핀기판을 얻기위해 Si/$SiO_2$/Ni 박막위에 그라핀을 LPCVD로 성장하는 실험을 진행하였다. 우선 시료는 Si위에 $SiO_2$를 Sputtering으로 증착하였고, 그 위에 250nm, 300nm두께의 Ni 박막을 e-beam evaporator로 증착하였다. $0.5-1cm^2$ 크기의 샘플을 Thermal CVD 장비를 이용하여 그라핀을 성장하는 실험을 진행하였다. 성장 압력은 95 torr, 성장온도는 $800^{\circ}C$, $850^{\circ}C$, $900^{\circ}C$에서 Hydrocarbon ($C_2H_2$)을 5min, 10min으로 성장시간을 split하였다. Hydrocarbon을 흘리기 전에 Ni grain을 성장하기 위해 성장온도에서 30~60min정도 $H_2$분위기에서 Ni 산화막의 환원 및 어닐링을 진행하였다. 그림.1은 $850^{\circ}C$, 5분간 성장한 그라핀/Ni 샘플의 광학사진이다. 그림.2는 $850^{\circ}C$에서 5min, 10min 성장한 샘플의 Raman spectrum이다. (파장은 514.532nm). 850C 10min 샘플은 G>G' peak 이지만, 5min으로 성장한 샘플의 경우 G'>G peak 임을 알 수 있고, 따라서 5min의 조건에서는 층 두께가 4층 미만의 그라핀 박막을 얻을 수 있음을 보여준다. 또한 G' peak의 위치가 두께가 감소할수록 내려감을 확인할 수 있다. 다만 D peak가 실험한 대부분의 샘플에서 보여서 아직 성장한 그라핀의 결합이 많은 것으로 보인다. 이러한 이유는 성장온도가 낮은 것이 일차 원인으로 생각되며 박막의 균일도 향상과 결함을 줄이기 위한 추가적인 개선 실험을 진행 중이다.
A simple method to measure the elastic modulus E and Poisson's ratio v of diamod-like carbon (DLC) films deposited on Si wafer was suggested. Using the anisotropic etching technique of Si we could make the edge of DLC overhang free from constraint of Si substrate. DLC film is chemically so inert that we could not on-serve any surface damage after the etching process. The edge of DLC overhang free from constraint of Si substrate exhibited periodic sinusoidal shape. By measuring the amplitude and the wavelength of the sinu-soidal edge we could determine the stain of the film required to adhere to the substrate. Since the residual stress of film can be determine independently by measurement of the curvature of film-substrate com-posite we could calculated the biaxial elastic modulus E/(1-v) using stress-strain relation of thin films. By comparing the biaxial elastic modulus with the plane-strain modulus E/(1-{{{{ { v}^{2 } }}) measured by nano-in-dentation we could further determine the elastic modulus and Poisson's ratio independently. This method was employed to measure the mechanical properties of DLC films deposited by {{{{ { {C }_{6 }H }_{6 } }} rf glow discharge. The was elastic modulus E increased from 94 to 169 GPa as the {{{{ { V}_{ b} / SQRT { P} }} increased from 127 to 221 V/{{{{ {mTorr }^{1/2 } }} Poisson's ratio was estimated to be abou 0.16∼0.22 in this {{{{ { V}_{ b} / SQRT { P} }} range. For the {{{{ { V}_{ b} / SQRT { P} }} less than 127V/{{{{ {mTorr }^{1/2 } }} where the plastic deformation can occur by the substrate etching process however the present method could not be applied.
MINH Y. C.;KIM H. G.;KIM S. J.;BERGMAN P.;JOHANSSON L. E. B.
Journal of The Korean Astronomical Society
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v.33
no.1
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pp.37-45
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2000
We have investigated the properties of the high-latitude cloud MBM 7 using the 3 mm transitions of CO, CS, HCN, $HCO^+,\;C_3H_2,\;N_2H^+$, and SiO. The molecular component of MBM 7 shows a very clumpy structure with a size of $\le$0.5 pc, elongated along the northwest-southeast direction, perpendicularly to an extended HI component, which could be resulted from shock formation. We have derived physical properties for two molecular cores in the central region. Their sizes are 0.1-0.3 pc and masses 1-2 M$\bigodot$ having an average volume density $\~2{\times}10^3 cm^{-3}$ at the peak of molecular emission. We have tested the stability of the cores using the full version of the virial theorem and found that the cores are stabilized with ambient medium, and they are expected not to be dissipated easily without external perturbations. Therefore MBM 7 does not seem to be a site for new star formation. The molecular abundances in the densest core appear to be much less (by about one order of magnitude) than the 'general' dark cloud values. If the depletions of heavy elements are not significant in the HLCs compared with those in typical dark clouds, our results may suggest different chemical evolutionary stages or different chemical environments of the HLCs compared with dense dark clouds in the Galactic plane.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.318.1-318.1
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2016
Hafnium Oxide (HfOx) has been attracted as a promising gate dielectric for replacing SiO2 in gate stack applications. In this paper, Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor with solution processed HfO2 high-k material as a dielectric were fabricated. The solvent using $HfOCl2{\cdot}8H2O$ dissolve in 2-Methoxy ethanol was prepared at 0.3M. The HfOx layers were deposited on p-type silicon substrate by spin-coating at $250^{\circ}C$ for 5 minutes on a hot plate and repeated the same cycle for 5 times, followed by annealing process at 350, 450 and $550^{\circ}C$ for 2 hours. When the annealing temperature was increased from 350 to $550^{\circ}C$, capacitance value was increased from 337 to 367 pF. That was resulted from the higher temperature of HfOx which have more crystallization phase, therefore dielectric constant (k) was increased from 11 to 12. It leads to the formation of dense HfOx film and improve the ability of the insulator layer. We confirm that HfOx layer have a good performance for dielectric layer in MOS capacitors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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