• Proceedings of the Petrological Society of Korea Conference
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• 2006.05a
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• pp.12-14
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• 2006

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.08a
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• pp.95-95
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• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.240-240
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• 2007

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.05a
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• pp.66-66
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• 1997

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1998.11a
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• pp.49-49
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• 1998

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.336-336
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• 2012

수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}1$과 ${\tau}2$, 이에 따른 밀도 I1과 I2를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변화하기보다 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
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• 2002.11a
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• pp.11-15
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• 2002

This study is intended to analyze the relationship between the rebound value of P type schmidt hammer and the compressive strength for a quality control of concrete. According to the results, the compressive strength of standard curing specimen increases in proportion to age, but that of air curing specimen hardly increases after 28 days. The rebound value of P type schmidt hammer, however, increases due to carbonation of concrete in air curing specimen. The correlativity between the rebound value and the compressive strength is very favorable in the case of standard curing specimen, but drops remarkably in the case of air curing specimen. Thus, as application of age coefficient is required for exact estimation of the compressive strength, the age coefficient is derived from this study. The age coefficient of P type schmidt hammer is higher at the age of 3 and 7days, and drops significantly, compared with the age of 28days. And it is lower before 28days than that of N type schmidt hammer suggested in Japan, and shows the similar tendency after 28days.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.17 no.6
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• pp.65-71
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• 1980

The Sn O2-Si Heterojunction sola cells are Prepared by vacuum deposition of SnO2 on N- and P-type Si - wafers arts the effects of annealing on the Solar cell characteiistics are presented. The existence of optimumannealins temperature for maximum open-circuit voltage and short - circuit current of the solar cell is observed. The optimum tomperature, when low resistivity (7- 2.3 [$\Omega$.cm]) P-and N-type Si -wafers are used, is 500 [$^{\circ}C$] End 400 [$^{\circ}C$] when high resistivity[41-58 [$\Omega$.cm]) P-type Si-wafers are used.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.394.1-394.1
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• 2014

고효율 및 낮은 구동 전압을 가지는 유기 발광소자를 제작하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 고효율 및 낮은 구동전압을 가지는 p-i-n 유기발광소자는 정공수송층에 p형 무기 도펀트를 도핑하고, 전자수송층에 n형 무기 도펀트를 사용하여 제작하지만, 무기 도펀트는 높은 온도에서 증착하기 때문에 챔버 내의 다른 유기 물질들이 함께 증착되거나 유기 박막에 손상을 가져올 수 있는 단점을 가지고 있기 때문에 유기물 n형 도펀트의 경우는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 유기 p형 도펀트인 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile과 유기 n형 도펀트인 bis (ethylenedithio)-tetrahiafulene (BEDT-TTF)를 사용하여 p-i-n 구조의 유기 발광소자를 제작하였다. 유기 n형 도펀트인 BEDT-TTF는 전자수송층 사이에서 산화-환원 반응을 통해 많은 전자를 생성하게 되고, 증가한 전자들로 인해서 Al 음극전극과 전자수송층 사이의 에너지장벽이 낮추는 역할을 하게 된다. BEDT-TTF를 도핑하지 않은 유기 발광소자보다 BEDT-TTF를 도핑하였을 때, 100 cd/m2 일때 약 2.4 V 작동 전압의 감소를 관측할 수 있었다. 이 결과는 음극전극으로부터 발광층으로 전자의 주입이 원활하게 되고, 그 결과 낮은 구동전압 및 고효율을 가지는 p-i-n 유기 발광소자를 제작할 수 있다는 것을 보여준다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.407-407
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• 2012

본 연구에서는 p형 전도 특성을 갖는 ZnO 박막 연구를 위해 RF 마그네트론 스퍼터 법으로 Li이 1 at.% 첨가된 ZnO target을 이용하여 ZnLiO 박막을 제작하였다. ZnLiO 박막은 $500{\sim}650^{\circ}C$의 온도 구간에서 $50^{\circ}C$ 단계로 아르곤 가스와 산소의 가스 분압비를 조절하여 성장하였으며, 급속 열처리 법으로 산소분위기에서 3분간 열처리 하였다. 성장된 박막은 전자주사현미경과 x-ray 회절 분광법을 이용하여 구조적 특성을 분석하였고, Hall 효과 측정을 통하여 전기적 특성을 분석하였다. Photoluminescence (PL)법을 통하여 박막의 광학적 특성을 분석하였다. 초기 제작된 ZnLiO 박막은 산소 분위기에서의 급속 열처리과정을 통하여 결정성과 p형 전도 특성이 향상됨을 확인하였다. 이는 열처리 과정을 통해 격자 내 치환되지 못한 Li 원자가 Zn 자리로 치환됨에 따라 격자가 안정화 되며, 억셉터 농도의 증가를 통하여 p-type 전도 특성이 개선된 것으로 보여진다.