In volume holographic memory (VHM), two-dimensional data array (i.e. data page) is used for the recording and the retrieving process with the aid of spatial light modulator (SLM) and CCD camera. Due to this two-dimensional parallel data processing, burst errors in this system also have two-dimensional characteristics in a data page domain. In this paper, we present a channel model of the burst noise and burst error for the VHM system using disk type recording media. (omitted)
Rewritable optical memory devices such as an CD-RW and DVD+RW are data storage media, which take advantage of the different optical properties in the amorphous and crystalline states of phase change materials. The switching property, structural transformation, transformation kinetics and chemical bindings of $Ge_xSb_{100-x}$($6{\le}x{\le}$34) were studied to investigate the feasibility of applying $Ge_xSb_{100-x}$ alloys in optical memory. The $Ge_xSb_{100-x}$ thin film was deposited by RF magnetron co-sputtering system and phase change characteristics were investigated by X-ray diffraction (XRD), static tester, inductively coupled plasma atomic emission spectrometer (ICP-AES) and atomic force microscopy (AEM). Optimum fiim composition of $Ge_xSb_{100-x}$ was studied and its minimum time fur laser induced crystallization and optical contrast fur phase transition was performed. These results might be correlated with the binding energies between Ge and Sb, and indicate that $Ge_xSb_{100-x}$ have an potential far optical memory applications.
Hong Eo-Jin;Oh Woo-Seok;Jung Min-Su;Park No-Cheol;Yang Hyun-Seok;Park Young-Pil;Lee Sung-Q;Park Kang-Ho
정보저장시스템학회:학술대회논문집
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정보저장시스템학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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pp.47-52
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2005
A lot of information storage devices have been introduced and developed for recently years. The trends of those devices are high capacity, compact size, low power consumption, reliability, and removability for data interchange with other device. As a satisfaction of these trends, near-field technique is in the spotlight as the next generation device. In order for a near-field recording to be successfully implemented in the storage device, a slider and suspension is introduced as actuating mechanism. The optical slider is designed considering near-filed optics. Suspension is not only supports slider performance, and tracking servo capacity but also meets the optical characteristics such as tilt aberration, and guarantee to satisfy shock performances for the mobility fir the actuator. In this study, the optical slider and the suspension for near-field probe array are designed and analyzed considering dynamic performance of head-gimbal assembly and shock simulation..
마이켈슨 간섭계 시스템에 두 개의 Convex Lens를 추가함으로서 평면파 참조광을 유지 시키며, 물체에 조사되는 물체광의 조사면적을 증대시킬 수 있는 변형된 마이켈슨 간섭계를 제작하였다. 변형된 마이켈슨 간섭계를 반사형 디지털 홀로그래피 현미경 시스템(Digital Holography Microscope System)에 적용한 결과 두 개의 Convex Lens를 추가하지 않은 고전 마이켈슨 간섭계를 사용한 디지털 홀로그래피 현미경 시스템 보다 넓은 영역에 대해 물체를 기록 할 수 있으며 또한 보다 넓은 영역을 재생 할 수가 있다.
This paper proposed a dual actuator using Bimorph PZT for information storage device based on prove array NSOM(near-field scanning optical microscopy). The gap between the media and the optical head should be maintained within the optical tolerance. Therefore, a new actuator having high sensitivity is required. Bimorph PZT, which has fast access time and high sensitivity characteristic, is suitable for this precise actuating system. This paper is focused on derivation of mathematical model of dual Bimorph PZT actuator and control algorithm. Hamilton's principle was used for mathematical model. The model is verified by FEA(finite element analysis), and compared with experimental results. Different control algorithms were used for two Bimorph PZT actuating same direction and opposite direction. The gap between recording media and optical head was controlled within 20nm in experiment.
광기록매체용 Ge-Sb-Te다층박막 성장과정을 in-situ 타원계를 사용하여 실시간으로 모니터하여 각 층의 두께를 제어하고 성장된 Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-site 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO$_2$와 기록층인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ 단층박막 시료의 복소굴절율은 eX-Situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO$_2$(1400$\AA$)$\mid$ GST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$)와 각 층의 두께 및 전체 두께에서 1.5% 이내에서 일치하는 정확도를 보여주었다.주었다.
The solid immersion lens (SIL) based near-field recording (NFR) system is considered as one of the high density optical data storage system. For the NFR servo system, tracking servo control is a difficult technology to maintain extremely small gap between SIL and media within one twentieth. This is because the track pitch is decreased for increasing the recording density. In this paper, we propose disturbance observer (DOB) and internal model principle (IMP) for disturbance rejection due to eccentricity of disk. The performance of tracking controller using DOB is increased by about 85%, 94%, 97% using Q filters that have bandwidths of 50Hz, 125Hz, 250Hz, respectively. Moreover, IMP based controller is effectively reduced the residual error.
The equalizer compensates a signal distorted by transmission lines and amplifying stages, so the signal can have uniform characteristics over all frequency range. The equalizer in ODD(Optical Disc Drive) improves the stability of the extracted clock from a received signal and the readability of an inserted disc by suppressing noise and ISI(Inter-Symbol Inference). The length of marks-spaces and track pitch on discs becomes shorter as the recording density of an optical media is higher, which causes noise and ISI. And, the sensitivity about the fluctuation of physical systems is higher as the optical devices become more complicate. This paper proposes a method to select the coefficient of built-in equalizer of ODD in order to maintain the quality of signals against noise and ISI caused by system fluctuation.
In this study, we have investigated crystallization properties of $Te_x(Sb_{85}Ge_{15})_{100-x}$ (x=0.3, 0.5, 1.0) thin films prepared by thermal evaporation. The change of reflectance according to phase change from amorphous to crystalline phases with annealing and exposure of diode laser is measured b the n&k analyzer and the surface morphology between amorphous and crystalline phase is analyzed by SEM and AFM. The difference in reflectance($\DeltaR$) between amorphous and crystalline phase appears approximately 20% at the diode laser wavelength, 780nm in all prepared films. Especially, the reflectance difference,$\DeltaR$ comes up to about 30% in $Te_{0.5}(Sb_{85}Ge_{15})_{99.5}$ thin film. Also, amorphous-to-crystalline phase change is observed in all prepared films. As a result of the measurement of the reflectance using diode laser, the reflectance is increased in proportion to the laser power and exposure time in all films. As a result of observing each film with the SEM and AFM, the surface morphology of the annealed and the exposed films are evidently increased than those of as-deposited films. The fast crystallization is occurred by increasing in Te content. Therefore, we conclude that the $Te_{0.5}(Sb_{85}Ge_{15})_{99.5}$ and $Te_1(Sb_{85}Ge_{15})_{99}$ thin films can be evaluated as an attractive optical recording medium with high contast ratio and fast erasing time due to crystallization.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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