Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.54
no.5
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pp.17-23
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2017
Optical current sensors are suitable for operation in high voltage and high current environments such as power plants due to they are not affected by electromagnetic interference and have excellent insulation characteristics. However, as they operate in a harsh environment such as large temperature fluctuation and mechanical vibration, high reliability of the sensor is required. Therefore, many groups have been working on enhancing the reliability. In this work, an integrated optical current sensor incorporating polarization-rotated reflection interferometer is proposed. By integrating various optical components on a single chip, the sensor exhibits enhanced stability as well as the solution for low-cost optical sensors. Using this, we performed the characterization for the actual field application. By using a large power source, the current of 0.3 kA~36 kA was applied to the photosensor and the linear operation characteristics were observed. The error of the sensor was within $0{\pm}.5%$. Even when operating for a long time, the error range of the sensor was kept within $0{\pm}.5%$. In addition, the measurement of the frequency response over the range of 60 Hz to 10 kHz has confirmed that the 3-dB frequency band of the proposed OCT is well over 10 kHz.
Modern distance sensing methods employ various measurement principles, including triangulation, time-of-flight, confocal, interferometric and frequency comb. Among them, the triangulation method, with a laser light source and an image sensor, is widely used in low-cost applications. We developed an omnidirectional two-dimensional (2D) distance sensor based on the triangulation principle for indoor floor mapping applications. The sensor has a range of 150-1500 mm with a relative resolution better than 4% over the range and 1% at 1 meter distance. It rotationally scans a compact one-dimensional (1D) distance sensor, composed of a near infrared (NIR) laser diode, a folding mirror, an imaging lens, and an image detector. We designed the sensor layout and configuration to satisfy the required measurement range and resolution, selecting easily available components in a special effort to reduce cost. We built a prototype and tested it with seven representative indoor wall specimens (white wallpaper, gray wallpaper, black wallpaper, furniture wood, black leather, brown leather, and white plastic) in a typical indoor illuminated condition, 200 lux, on a floor under ceiling mounted fluorescent lamps. We confirmed the proposed sensor provided reliable distance reading of all the specimens over the required measurement range (150-1500 mm) with a measurement resolution of 4% overall and 1% at 1 meter, regardless of illumination conditions.
In this paper, an optical fiber sensor(OF sensor) utilizing the principal of Mach-Zehnder interferometer were proposed to detect the partial discharge signals in insulating oil. At first the AC breakdown signals were detected to check the response of the OF sensor. The detected signals from OF sensor was consistent with that from current probe. After the response checking, simultaneous measurements and continuous recording were made of electrical and the OF sensor signals from partial discharge(PD) produced by IEC(b) electrode system immersed in insulating oil. The continuous recording made it possible to extract basic quantities of PD from the OF sensor signals, such as pulse phase and pulse amplitude distribution. Through the signal analysis, the absolute peaks of the OF sensor PD signal was found to be increased with the amplitude of electrical signals, and these results mean that there is a strong correlation between OF sensor and electrical PD signals. It was demonstrated that the OF sensor in this research had a possibility to detect the PD signals in power apparatus.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.24
no.11
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pp.9-16
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2010
This paper examines the temperature characteristics of an Optical CT (optical current transformer) using the Faraday effect for measuring high current in a super high voltage-power apparatus. It is performed as follows by the sensor for embodying Faraday effect. $\cdot$ A single-mode optical fiber capable of maintaining a polarization state is used. $\cdot$ A light source is applied at 1310[nm] to a Laser Diode. $\cdot$ The Linear of Faraday effect to a large current is evaluated and $\cdot$ A possible application using an Optical CT was shown. An Influence of Faraday effect to the surrounding temperature measured -40~50[$^{\circ}C$], and the characteristic of the current sensitivity was reported. An application using the results of the temperature compensation system was used in order to compensate for surrounding temperatures. A possibility of applying Optical CT for electric power apparatus was advanced further. We were able to confirm that this temperature calibration method can minimize the fluctuation of the output signal depending on the temperature conditions.
A new non-destructive inspection technique has been developed. One characteristic of the technique is that defects are visualized by laser ray. Magnetic domains and domain walls of a magneto-optical sensor(MO sensor) are varied by the magnetic flux leaked by defects, and the variations are observed by the reflected light of the laser ray. The information of defect can remotely be inspected by this technique in a real time. This paper describes the results estimated on the 2-dimensional surface defects and opposite-side defects in a ferromagnetic material and the natural surface defect in a clutch disk wheel. The light region of a visible image and the magnitude of a reflected light increases as the input current of the magnetizer increases. The natural surface defect, that has not the width of crack's open mouth, can be also visualized like as 2-dimensional artificial defects.
Based on the linear electro-optic (EO) effect of lithium niobite (LiNbO3, LN) crystal, an intense two-dimensional (2D) electric field sensor was analyzed, fabricated and experimentally demonstrated. The linear polarized light beam transmits along the optical axis (z-axis) of the LN crystal, and the polarization direction of the polarized light is 45° to the y-axis. The sensor can detect the intensity of a 2D electric field that is perpendicular to the z-axis. Experimental results demonstrated that the minimum detectable electric field of the sensor is 10.5 kV/m. The maximum detected electric field of the sensor is larger than 178.9 kV/m. The sensitivity of the sensor is 0.444 mV/(kV·m-1). The variation of the sensitivity is within ±0.16 dB when the sensor is rotated around a z-axis from 0° to 360°. The variation of the sensor output optical power is within ±1.4 dB during temperature change from 19 ℃ to 26 ℃ in a day (from 7:00 AM to 23:00 PM) and temperature change from 0 ℃ to 40 ℃ in a controllable temperature chamber. All theoretical and experimental results revealed that the fabricated sensor provides technology for the direct detection of intense 2D electric fields.
Position estimation of a sound source based on time difference of arrival at an array of three acousto-optic sensors is introduced. Each sensor consists of a Mach-Zehnder interferometer including a sensing part in one arm that is a piece of fiber surrounded by membrane in order to enhance the acousto-optic effect. Estimation error of a recorded gunshot sound signal was evaluated with the theoretically calculated values for two different locations.
Near-infrared (NIR) sensing technology using CMOS image sensors is used in many applications, including automobiles, biological inspection, surveillance, and mobile devices. An intuitive way to improve NIR sensitivity is to thicken the light absorption layer (silicon). However, thickened silicon lacks NIR sensitivity and has other disadvantages, such as diminished optical performance (e.g. crosstalk) and difficulty in processing. In this paper, a pixel structure for NIR sensing using a stacked CMOS image sensor is introduced. There are two photodetection layers, a conventional layer and a bottom photodiode, in the stacked CMOS image sensor. The bottom photodiode is used as the NIR absorption layer. Therefore, the suggested pixel structure does not change the thickness of the conventional photodiode. To verify the suggested pixel structure, sensitivity was simulated using an optical simulator. As a result, the sensitivity was improved by a maximum of 130% and 160% at wavelengths of 850 nm and 940 nm, respectively, with a pixel size of 1.2 ㎛. Therefore, the proposed pixel structure is useful for NIR sensing without thickening the silicon.
The pixel size in high-resolution complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensors continues to shrink due to chip size limitations. However, the pixel pitch's miniaturization causes deterioration of optical performance. As one solution, a quad color filter (CF) array with pixel binning has been developed to enhance sensitivity. For high sensitivity, the microlens structure also needs to be optimized as the CF arrays change. In this paper, the covered microlens, which consist of four microlenses covered by one large microlens, are proposed for the quad CF array in the backside illumination pixel structure. To evaluate the optical performance, the suggested microlens structure was simulated from 0.5 ㎛ to 1.0 ㎛ pixels at the center and edge of the sensors. Moreover, all pixel structures were compared with and without in-pixel deep trench isolation (DTI), which works to distribute incident light uniformly into each photodiode. The suggested structure was evaluated with an optical simulation using the finite-difference time-domain method for numerical analysis of the optical characteristics. Compared to the conventional microlens, the suggested microlens show 29.1% and 33.9% maximum enhancement of sensitivity at the center and edge of the sensor, respectively. Therefore, the covered microlens demonstrated the highly sensitive image sensor with a quad CF array.
Kim, Chang-Won;Park, Dong-Su;Kim, Myung-Gyoo;Lee, Jung-Hee;Kang, Shin-Won;Sohn, Byung-Ki
Journal of Sensor Science and Technology
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v.4
no.2
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pp.22-28
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1995
A Michelson interferometric AC current sensor has been fabricated by using a single mode optical fiber and a cylindrical PZT tube of which a radial dimension varies with applied voltage. The signal processing scheme used in this work, measures the magnitude of AC current regardless of the frequency of the current. An AC current is measured by counting the number of interference fringe during half cycle of the AC current. The number of interference fringes varies linearly with the magnitude of the current and the error range is within 5% at the temperature range from $-20^{\circ}C$ to $80^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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