• 한국축산식품학회:학술대회논문집
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• 한국축산식품학회 2004년도 제34차 추계 국제 학술대회
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• pp.321-325
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• 2004

본 연구는 Ohmic heating system을 이용하여 돈육을 해동하여 해동에 의한 식육의 손상을 최소화하고 신선육과 유사한 해동육을 얻기 위해 최적 해동 속도에 대한 기초 자료를 마련하고자 실시하였다. 각각의 ohmic power intensity(AC, 0, 10, 20, 30, 40 Volt)에 따른 돈육의 해동속도는 기하학적으로 중심부 변화에서 가장 빠른 해동속도는 40V에서 1,582 cm/h로 산출되었고 OV의 0.307cm/h에 비하여 약 5배 정도 빠르게 나타났으며 power intensity가 증가할수록 해동속도가 증가하였다. 이와 같이 ohmic intensity(X: volt)와 해동속도(Y: cm/h)변화를 수학적으로 나타내었는데 다음과 같다; lnY=-0.8971+$1.0345{\cdot}X$ $R^2=0.9968$. 각각의 ohmic power와 비교에서 대조구인 신선육의 보수력이 가장 높았고 해동시료인 처리구간 비교에서 power가 상대적으로 높은 30V, 40V에서 보수력이 가장 좋게 나타났다. Cooking loss에서는 power intensity에 따른 유의적인 변화는 발견되지 않았다. Colo에서는 b-값의 경우 ohmic power intensity가 증가함에 따라 다소 감소하는 경향을 보여 주었다. 해동시 power intensity가 증가할수록 pH는 다소 낮아지는 경향을 보여주었다. 또한 육의 TBA가는 이와 반대로 ohmic thawing은 육의 TBA가를 증가시키는 요인으로 작용하였는데, power intensity에 따른 변화는 유의적인 차이를 보여주지 않았다. 그러나 VBN가에서는 신선육에 비해 해동육의 VBN은 증가하였지만 해동방법에 따른 차아는 발견되지 않았다.

• 한국식품영양학회지
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• 제30권4호
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• pp.689-695
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• 2017

Ohmic heating is an internal heating method based on the principle that when an electrical current passes through food, electric resistance heat is uniformly generated internally by food resistance. Previous studies indicate that the thermal properties, external structure, internal structure, and swelling power of ohmic heat treated starch of various starches, such as potato, wheat, corn, and sweet potato, differed from those of conventional heating at the same temperature. In this study, the pasting property of starch, treated with ohmic and conventional heating, were measured by RVA (Rapid Visco-Analyzer). Our results show that as the ohmic heating temperature increased, the PV (Paste Viscosity) of the starch decreased significantly, and the PT (Pasting Temperature) increased. Changes in PV and PT indicate that the swelling of starch remains unchanged by ohm heating. The HPV (Hot Paste Viscosity), CPV (Cold Paste Viscosity) and SV (Setback Viscosity) of ohmic heated starch also differed from the conventional heated starch. The pasting property is similar to the viscosity curve of common cross-linked modified starch. In this experiment, we further confirm the similarity with modified starch and its usability.

• 한국식품영양학회지
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• 제25권4호
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• pp.1068-1074
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• 2012

Ohmic heating uses electric resistance heat which occurs equally and rapidly inside of food when electrical current is flown into. In other study, we researched about soybean protein's characteristic changes by ohmic heating. Nevertheless treated same temperature, denaturation of soybean protein were accelerated by ohmic heating than conventional heating. In this time, we studied thermal property change of potato starch by ohmic heating besides conventional heating. For this purpose, potato starch was heated at same subgelatinization temperature by ohmic and conventional heating. And thermal properties were tested using DSC. Annealing of starch is heat treatment method that heated at 3~4% below the gelatinization point. DSC analysis results of this study, the $T_o$, $T_p$, $T_c$ of potato starch levels were increased, whereas $T_c{\sim}T_o$ was narrowed. This thermal property changes appear similar to annealing's result. It is thought the results shown in this study, because the heating from below the gelatinization point. 6, 12, 24, 72, and 120 hours heating at $55^{\circ}C$ for potato starch, $T_o$, $T_p$, $T_c$ values continue to increased with heating time increase. The gelatinization temperature of raw potato starch was $65.9^{\circ}C$ and the treated starch by conventional heating at $55^{\circ}C$ for 120 hr was $72^{\circ}C$, ohmic was $76^{\circ}C$. The gelatinization range of conventional (72 hr) was $10^{\circ}C$, ohmic was $8^{\circ}C$. In case of 24 hours heating at 45, 50, 55, 60, $65^{\circ}C$ for potato starch, the result was similar to before. $T_o$, $T_p$, $T_c$ values continue to increased and gelatinization range narrowed with heating temperature increase. In case of conventional heating at $60^{\circ}C$, the results of gelatinization temperature and range were $70.1^{\circ}C$ and $9.1^{\circ}C$. And ohmic were $74.4^{\circ}C$ and $7.5^{\circ}C$. When viewed through the results of the above, the internal structure of starch heated by ohmic heating was found that the shift to a more stable form and to increase the homology of the starch internal structure.

• 한국식품과학회지
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• 제26권6호
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• pp.791-798
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• 1994

점성이 높고 열전도도가 낮아 기존의 열전도 가열방식으로는 효과적인 살균이 어려운 고추장, 된장 등의 페이스트상 식품의 효율적인 살균 공정을 개발하기 위한 기초 연구로서 전기 저항열(Ohmic heaing)을 이용한 실험실 규모의 정치 회분식 가열 시스템을 고안하고 전기적 요소가 가열 특성에 미치는 영향을 연구 검토하여 다음의 결론을 얻었다. 1. 고추장과 된장의 상온에서의 전기 전도도는 각각 1.865 S/m 2.510 S/m였으며, Ohmic heating에 의하여 온도가 증가함에 따라 전기전도도가 거의 비례적으로 증가하는 전기적 특성을 나타내었다. 2. 상용 주파수(60 Hz)에서는 전압을 증가시킬수록 비가열 속도$(^{\circ}C/g{\cdo}s)$가 거의 비례적으로 증가하였다. 일정한 전압에서 주파수를 증가시켰을 때 1KHz 이상에서부터 주파수의 증가에 따라 비가열 속도는 급격히 증가하여 고추장의 경우에는 5KHz에서 최고 가열속도 틀 나타내었으며 그 이상의 주파수에서는 감소하였으나 된장의 경우에는 계속 증가하여 실험범위의 최고값인 20KHz에서 최대 가열속도를 나타내었다. 3.고추장의 경우 전압, 전극 간격 및 시료량과 비가열속도와외 관계를 검토한 결과 비가열 속도 $35^{\circ}C/g{\cdot}s$ 이하일때 균일하게 가열이 이루어졌으며, 그 이상의 가열속도에서는 전극 부근에서 cake 생성 현상이 일어나 효과적으로 가열되지 않았다. 4. Ohmic heating 동안에 시료의 위처에 따른 온도 분포를 관찰한 결과 낮은 주파수 범위에서는 시료의 표면과 중간 부위외 온도차가 거의 없이 균일하게 급속히가열되었다. 그러나 5 KHz 이상의 높은 주파수 영역에 서는 표피 효과로 인하여 시료의 중심과 표면사이에 $10^{\circ}C$내외의 온도차가 생겼으며, 전극 부근의 온도가 중심부근 보다 5${\sim}10^{\circ}C$ 높았으므로 적절한 주파수의 선정이 중요하였다. 5. 고추장과 된장의 수분함량이 습량 기준으로 30% 이하일 때는 전류가 흐르지 않아 Ohmic heating의 적용이 불가능 하였으나, 30% 이상에서는 수분함량의 증가에 따라 가열속도는 급속히 증가하였다.

• 한국진공학회지
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• 제12권4호
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• pp.218-227
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• 2003

AlGaAs/GaAs HBT 에미터 오믹 접촉을 위해 n형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉 특성을 조사하였다. Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉의 경우, 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 낮은 접촉 비저항을 나타내었다. Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 경우, $450^{\circ}C$까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$, 20초의 급속 열처리 조건에서 최저 $3.9\times10^{-7}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 두 오믹 접촉 모두 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하였다. Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au를 AlGaAs/GaAs HBT의 에미터 오믹 접촉으로 사용하여 제작된 HBT 소자의 고주파 특성을 측정한 결과, 차단 주파수가 각각 63.9 ㎓ 및 74.4 ㎓로, 또한 최대공진 주파수가 각각 50.1 ㎓ 및 52.5 ㎓로 우수한 작동특성을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.290-293
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• 2003

Ohmic contact characteristics of Al ion implanted n-type SiC wafer were investigated. Al ions implanted with high dose to obtain the final concentration of $5{\times}10^{19}/cm^3$, then annealed at high temperature. Firstly, B ion ion implanted p-well region were formed which is needed for fabrication of SiC devices such as DIMOSFET and un diode. Secondly, Al implanted high dose region for ohmic contact were formed. After ion implantation, the samples were annealed at high temperature up to $1600^{\circ}C\;and\;1700^{\circ}C$ for 30 min in order to activate the implanted ions electrically. Both the inear TLM and circular TLM method were used for characterization. Ni/Ti metal layer was used for contact metal which is widely used in fabrication of ohmic contacts for n-type SiC. The metal layer was deposited by using RF sputtering and rapid thermal annealed at $950^{\circ}C$ for 90sec. Good ohmic contact characteristics could be obtained regardless of measuring methods. The measured specific contact resistivity for the samples annealed at $1600^{\circ}C\;and\;1700^{\circ}C$ were $1.8{\times}10^{-3}{\Omega}cm^2$, $5.6{\times}10^{-5}{\Omega}cm^2$, respectively. Using the same metal and same process of the ohmic contacts in n-type SiC, it is found possible to make a good ohmic contacts to p-type SiC. It is very helpful for fabricating a integrated SiC devices. In addition, we obtained that the ratio of the electrically activated ions to the implanted Al ions were 10% and 60% for the samples annealed at $1600^{\circ}C\;and\;1700^{\circ}C$, respectively.

• 한국식품과학회지
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• 제47권4호
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• pp.474-479
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• 2015

연속식 옴가열 장치를 이용한 고추장을 베이스로 한 모델 식품에 대한 가열 살균 연구를 진행하여, 옴가열을 이용한 소스 살균에 필요한 기초 데이터를 수집하였다. 옴가열 시 점도에 상관없이 $100^{\circ}C$까지 고르게 상승하였으나, 점도가 높을수록 전기전도도와 가열속도가 낮아져 살균력이 감소하는 것으로 나타나, 저점도 식품이 옴가열을 이용한 가열 및 살균에 있어 더 유용하다는 것을 알 수 있었다(13,14). 재래가열 후의 살균도는 65.4-75.4%, 옴가열 시는 89.5-95.0%로 살균력이 더 우수하였다. 향후 연속식 옴가열 장치의 살균효과를 더 높이기 위해서는 여러 개의 셀 연결 방식을 통해 한 개의 셀에서 온도를 조금씩 상승시켜 스케일 생성을 방지하는 연구와 셀 통과시 빠른 온도 상승에 의한 점도 변화로 살균 처리량이 변하기 때문에 최적 셀 조합 및 가열살균 조건에 대한 충분한 고찰이 필요할 것으로 생각된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권10호
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• pp.1545-1553
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• 1989

The ohmic contact behavior in HEMT structure was compared with that in MESFET one throughout the specific contact resistance and microstructural change in both structures. A Au-Ge-Ni based metallization scheme was used and the alloying temperature of the ohmic materials was changed from 330\ulcorner to 550\ulcorner. The alloying temperature to obtain the minimum specific contact resistance in HEMT structure was 60k higher than that in MESFET. The volume fraction of NiAs (Ge) in MESFET structure increases with alloying temperature and/or the alloying time, which makes the decrease of specific contact resistance at the initial stage of ohmic metallization. In contrast, the volume fraction of NiAs(Ge) in HEMT structure was not dependent upon the specific contact resistance, which implies that the ohmic contacts are dominantly formed by the Ge diffusion to 2-DEG(two dimensional electron gas) layer.

• 한국축산식품학회:학술대회논문집
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• 한국축산식품학회 2004년도 제34차 추계 국제 학술대회
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• pp.407-411
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• 2004

Ohmic heating occurs when an electric current is passes through food, resulting in a temperature rise in the product due to the conversion of the electric energy into heat. The time spent in the thawing is critical for product sterility and quality. The objective of this study is to conduct numerical modelling between the effect of ohmic thawing intensity on PTT(phase transition time) at constant concentration and the effect of matrix concentrations on PTT at constant voltage condition. the stronger ohmic thawing intensity resulted in decreasing the PTT. High ohmic intensity causes short PTT. And the higher gelatin concentration, the faster increment of PTT. A numerical modeling was executed to predict the PTT influenced by the power intensity using exponential regression and the PTT influenced by gelatin concentration using logarithmic regression. Therefore, from this numerical model of gelatin matrix, it is possible to estimate exact values extensively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.133-136
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• 2004

In this study, the characteristics of 3C-SiC ohmic contact were investigated. Titanium-tungsten(TiW) films were used for contact metalization. The ohmic contact resistivity between 3C-SiC and TiW was measured by HP4155 and then calculated with the circular transmission line method(C-TLM). And also the physical properties of TiW and the interface between TiW and 3C-SiC were analyzed using XRD and AES. TiW films make a good role of a diffusion barrier and their contact properties with 3C-SiC are stable at high temperature.