The nitridation kinetics of titanium powder were studied by isothermal and non-isothermal (dynamic) methods in high purity nitrogen under I atm pressure. For the comparison with nitridation, the oxidation kinetics of titanium powder were also studied in dry oxygen at I atm pressure. An automatic recording electrobalance was used to measure the weight gain as a function of time and temperature. For the reaction with nitrogen, the nitride was formed at over $700^{\circ}C$. The reaction with nitrogen followed the parabolic rate law, and the activation energy was calculated to be 31 kcal/mol in the isothermal method (above $900^{\circ}C$). The non-stoichiometric TiNx has been synthesized by the nitridation at a proper temperature and time, followed by the homogenizing treatment above $1100^{\circ}C$. In comparison with the stoichiometric $TiN_{1.0}$ and the non-stoichiometric TiNx ($TiN_{0.5}$ and $TiN_{0.65}$), the hot oxidation characteristics of the former is superior to that of the latter. However, both non-stoichiometric nitrides make little difference in the hot oxidation characteristics.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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pp.782-783
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2006
Titinium carbide $(TiC_x)$ was produced by self-propagating high temperature synthesis (SHS) method. The morphology and non-stoichiometric number of the SHS product were observed by scanning electron microscopy and neutron diffractometry, respectively. Tubular titanium carbide with hole inside was formed with different non-stoichiometric number (x), which value increased with combustion temperature.
Dimethylaluminum isopropoxide (DMAI, $(CH_3)_2AlO^iPr$) as a single precursor, which contains one aluminum and one oxygen atom, has been adopted to deposit non-stoichiometric aluminum oxide ($AlO_x$) films by low pressure metal organic chemical vapor deposition without an additional oxygen source. The atomic concentration of Al and O in the deposited $AlO_x$ film was measured to be Al:O = ~1:1.1 and any serious interfacial oxide layer between the film and Si substrate was not observed. Gaseous by-products monitored by quadruple mass spectrometry show that ${\beta}$-hydrogen elimination mechanism is mainly contributed to the $AlO_x$ CVD process of DMAI precursor. The current-voltage characteristics of the $AlO_x$ film in Au/$AlO_x$/Ir metalinsulator-metal (MIM) capacitor structure show high ON/OFF ratio larger than ${\sim}10^6$ with SET and RESET voltages of 2.7 and 0.8 V, respectively. Impedance spectra indicate that the switching and memory phenomena are based on the bulk-based origins, presumably the formation and rupture of filaments.
The rate constant of alkaline fading of methyl green ($ME^{2+}$) was measured in the presence of non ionic (TX-100), cationic (DTAB) and anionic (SDS) surfactants. $ME^{2+}$ hydrolyses and fades in neutral water and in this work we search the effects of surfactants on its fading rate. The rate of reaction showed remarkable dependence on the electrical charge of the used surfactants. It was observed that the reaction rate constant decreased in the presence of DTAB and SDS and increased in the presence of TX-100. Binding constants of $ME^{2+}$ to TX-100, DTAB and SDS and the related thermodynamic parameters were obtained by classical (or stoichiometric) model. The results show that binding of $ME^{2+}$ to TX-100 and DTAB are two-region and that of SDS is three-region. Also, the binding constants of $ME^{2+}$ to surfactant molecules in DTAB/TX-100 and SDS/TX-100 mixed solutions and their stoichiometric ratios were obtained.
Various crystal defects such as voids, inclusions dislocations, stacking faults and precipitates were observed in the Czochralski-grown Bi12GeO20 crystals. Particularly, precipitates were found in the whole crystals. The phase of these precipitates was identified as Bi4Ge3O12 by EPMA and transmission electron microscopy. The precipitates were produced by pulling rapidly from a non-stoichiometric charge. During the pulling of Bi12GeO20 crystals, the melt composition of stoichiometric charge was changed Bi-deficent with gradual volatilization of Bi2O3. Precipition of the second phase may have been affected by an abrube thermal stress. By adding excess Bi2O3 into the stoichiometric batch, the precipitation of Bi4Ge3O12 was suppressed. At a pulling speed of 2 mm/hr, clear and precipitate from crystals of Bi12GeO20 were grown from the melt of the Bi2O3 excess charge.
Tyranno SA (SiC-polycrystalline fiber, Ube Industries Ltd.) shows excellent heat-resistance up to $2000^{\circ}C$ with relatively high mechanical strength. This fiber is produced by the conversion process from a raw material (amorphous Si-Al-C-O fiber) into SiC-polycrystalline fiber at very high temperatures over $1500^{\circ}C$ in argon. In this conversion process, the degradation reaction of the amorphous Si-Al-C-O fiber accompanied by a release of CO gas for obtaining a stoichiometric composition and the subsequent sintering of the degraded fiber proceed. Furthermore, vaporization of gaseous SiO, phase transformation and active diffusion of the components of the Si-Al-C-O fiber competitively occur. Of these changes, vaporization of the gaseous SiO during the conversion process results in an abnormal SiC-grain growth and also leads to the non-stoichiometric composition. However, using a modified Si-Al-C-O fiber with an oxygen-rich surface, vaporization of the gaseous SiO was effectively prevented, and then consequently a nearly stoichiometric SiC composition could be obtained.
The structure-property relations of ternary copper chalcogenides, $TlCu_{3-x}S_2$ and $\alpha-BaCu_{2-x}S_2$ are examined. The density of states, band dispersions, and Fermi surfaces of these compounds are investigated to verify the reason of the metal-insulator transitions by extended Huckel tight-binding band calculations. The origin of the metalinsulator transitions of non-stoichiometric $TlCu_{3-x}S_2$ and $\alpha-BaCu_{2-x}S_2$ is thought to be the electronic instability induced by their Fermi surface nesting.
The Laves phase alloy hydrides have some promising properties as electrode materials in reversible metal hydride batteries. In this work, the hydrogen storage performance, crystallographic parameters, surface morphology, surface area and electrochemical characteristics of the non-stoichiometric $ZrMn_{0.3}V_{0.7}Ni_{1.4+{\alpha}}$, $ZrMn_{0.5}V_{0.5}Ni_{1.4+{\alpha}}$($\alpha$ =0.0, 0.2, 0.4, 0.6) alloys were examined. These as-cast alloys were found to have mainly a cubic C15-type Laves phase structure by X -ray diffraction analysis. The equilibrium pressure of the alloy were increased as $\alpha$ increased in both two types alloy. In case of $ZrMn_{0.5}V_{0.5}Ni_{1.4+{\alpha}}$ alloys, discharge efficiency and the rate capability of the alloy were decreased as $\alpha$ increased but, these values were increased in case of $ZrMn_{0.3}V_{0.7}Ni_{1.4+{\alpha}}$ alloys. The differences of these electrode properties observed were dependent on the reaction surface area and the catalytic activity of unit area of the each electrode.
한국분말야금학회 2003년도 international symposium on advanced powder metallurgy
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pp.95-96
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2003
Titanium carbide nano-tube and fibers were synthesized by self-propagating high temperature synthesis (SHS) method. The average diameters of the nano-tubes and nano-fibers are about 100 and 20 nm in diameter, respectively. the non-stoichiometric numbers of the titanium carbide determined by neutron diffractometry were 0.87 and 0.94.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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