범용적으로 고진공 성막 장비에서 사용되는 quartz crystal microbalance (QCM)는 두꺼운 필름이 quartz 위에 성막되는 경우, 크리스탈 고유의 진동에 영향을 주어 사용이 어려워진다. 본 논문에서는 실시간 필름 증착 공정 중에 센서의 손상이 없는 광학적 계측 방식을 통해 필름의 성막 속도를 측정하는 방법을 연구하였다. 기체 이동 경로로 지나가는 페럴린 가스 중 다이머에 의한 레이저의 산란 정도를 측정하여, 페럴린 공정의 분해부 온도가 감소할수록 페럴린 가스 중 다이머의 비율이 증가하는 것을 성공적으로 확인하였다. 또한, 성막된 필름의 특성을 확인한 결과, 분해부 온도가 감소할수록 필름의 두께와 haze가 증가한 것을 확인할 수 있었다. 우리는 연구 결과를 통해 개발한 안정적인 실시간 성막 속도 계측 시스템을 이용함으로써, 진공 공정을 통해 성막하는 페럴린 필름의 정밀한 성막 속도 제어에 활용하고자 한다.
비등온 및 등온조건에서의 열중량분석을 이용하여 다양한 압력조건(0.5 - 50 mmHg)에서 LiCl-KCl 공융염 증류속도를 우선 측정하였다. 비등온조건에서의 열중량분석결과로부터 온도의 함수로 표현될 수 있는 증류 속도식을 도출하였다. 이 속도식에 의해 계산된 휘발플럭스(flux)는 등온조건에서의 열중량분석을 통해 얻어진 증류속도와 일치하였다. 1300 K 이하의 온도조건과 0.5 mmHg와 50 mmHg 사이의 감압조건에서 $10^{-4}-10^{-5}$ mole $cm^{-2}sec^{-1}$의 증류속도를 얻을 수 있다. 실험실규모 실험장치에서 50 mmHg의 압력과 1150 K 이상의 온도 조건에서 한 시간 증류로 약 99%의 염이 분리되었다. 희토류 침전물내에 잔류하는 염을 증류에 의해 제거할 때 휘발시간이나, 온도를 증가시키는 것보다 휘발 계면적을 증가시키는 것이 효과가 더 큰 것으로 나타났으며, 휘발면적을 $4.52cm^2$에서 $12.56cm^2$로 증가시켜 한 시간 동안 증류하였을 때 99.95% 이상의 염이 분리되었다.
방사선 조사 기술을 이용한 타락죽의 멸균 시 관능적 품질을 개선하기 위한 연구의 일환으로 방사선 조사온도에 따른 타락죽의 pH, 지질산패도, 점도, 색도, 관능검사 및 향기패턴을 측정하였다. 그 결과 pH와 색도의 경우 방사선 조사에 의한 변화는 없는 것으로 나타났다. 지질산패도의 경우 조사구 가운데 냉동조사구가 가장 낮았으나, 점도에서는 냉동조사구가 가장 높게 나타났다. 관능검사 결과, 종합적 기호도에서 냉동조사구의 경우 대조구와 유의적 차이가 없는 것으로 나타났다. 향기패턴 분석 결과, 지질산패 및 이취에 관련된 RT 3.88 sec의 peak와 타락죽 고유의 향과 관련한 RT 7.34 sec의 peak를 구분할 수 있었다. 따라서 방사선을 조사에 의한 타락죽의 관능적 품질 저하는 냉동조사를 통해 개선이 가능하였으나, 여전, 지질산패와 점도감소 및 조사취 발생 등에 의한 타락죽 고유의 관능적 품질이 감소되는 것으로 나타나, 추후 항산화제의 첨가 또는 포장방법의 변화 등과 병용처리를 통해 보다 효과적인 품질 개선을 위한 연구가 필요할 것으로 사료되었다.
해양범죄에서 발견되는 다양한 증거물 중 지문과 DNA(Deoxyribo nucleic acid)는 용의자를 특정할 수 있다는 점에서 매우 중요하다. 본 연구에서는 실제 해양환경에서 증거물로 많이 발견되는 비다공성 재질 5종(플라스틱, 스테인리스, 유리, 세라믹, FRP(Fiber reinforced plastic))을 선정하여 자연 및 혈액지문을 유류한 후 동해 해경서 전용부두에서 약 7일간 침지하였다. 그 후 CA(Cyanoacrylate) 훈증법과 4가지 분말법(Swedish black powder, Concentrated black powder, Supranano red powder, Dazzle orange powder)을 이용하여 지문 현출 후 DNA 추출, 정량, STR(Short tandem repeat) 프로필을 분석하였다. 지문현출방법 중 Supranano red powder를 적용하였을 때 DNA 농도가 상대적으로 높은 양이 나타났으며 STR 프로필 분석을 실시한 결과 평균 16.8~9개의 유전자좌위를 확보할 수 있었고, 유리 및 세라믹 재질에서는 20개 모두 확인할 수 있었다. 연구 결과 약 7일 동안 침지된 가상증거물에 지문 현출법을 적용 후 DNA를 추출 및 정량하여 STR 프로필을 확보할 수 있었으며, VMD(Vacuum metal deposition), SPR(Small particle reagent) 등 다양한 지문현출방법을 적용한 뒤 DNA를 분석하여 STR 프로필을 확보할 수 있는 추가적인 연구가 필요할 것으로 판단된다.
점토와 같은 세립질 또는 유기물을 다량으로 함유하거나 다져진 지층을 대상으로 지중(in-situ) 정화를 진행하는 경우, 정화효율이 떨어져 정화비용이 증가하는 등의 한계가 발생한다. 또한, 토양조건이 양호하더라도 균일하지 않은 토질특성과 낮은 투수특성으로 인해 장기간에 걸쳐 정화를 수행하여 완료되는 것이 일반적이다. 본 연구는 기존 지중정화의 한계를 개선하기 위한 방법으로 공압파쇄, 진공추출, 플라즈마 블라스팅을 접목한 기술(PPV공법)의 정화효과 확인과 현장 적용성을 평가하고자 수행하였다. 상대적인 비교를 위하여 본 연구에 적용된 기술을 실험군으로 하고 기존 공법인 화학적산화공법을 대조군으로 하여 TPH로 오염된 토양에서80일에 걸쳐 각각 지중정화를 수행하였으며, 총 4차에 걸쳐 모니터링 시료를 채취하여 정화효과를 비교 평가하였다. 모니터링 결과, 대조군은 정화제 전달효과가 불량하여 오염도의 감소 경향성을 보이지 않는 반면 실험군(PPV공법) 적용에서는 정화시간이 경과함에 따라 뚜렷한 오염도 저감효과가 나타난다. 주입정으로부터 거리별 TPH 최고농도 저감율을 평가하면, 대조군은 경향성이 없으나 PPV공법은 주입정 반경 1 m 이내에서는 62.6%, 1.1~2.0 m에서 90.1%, 2.1~3.0 m에서 92.1%의 정화효과를 보인다. 주입정으로부터 거리별 TPH 평균농도 저감율을 평가하면, 대조군은 실질적인 정화효과가 없으나 PPV공법은 주입정 반경 1 m 이내에서는 53.6%, 1.1~2.0 m에서 82.4%, 2.1~3.0 m에서 68.7%의 정화효과가 확인되었다. TPH 최대 및 평균 오염농도의 변화를 토대로 실험군과 대조군의 정화효율을 평가한 결과, PPV공법은 대조군 대비 149.0~184.8%의 정화효과가 상승하는 것으로 평가할 수 있으며 평균 정화효과 상승률은 약167%이다. 시간경과에 대한 TPH 농도를 분석을 통해 상관관계식을 도출하고 이를 활용하여 최초 농도 대비 80% 저감기간을 평가한 결과 PPV공법을 적용하는 경우 화학적산화공법 적용시보다 184.4%의 정화시간 단축이 가능할 것으로 평가되었다. 다만, 단일 부지에 대한 평가 결과이기 때문에 모든 지층에 동일하게 적용될 수 없으므로 향후 이에 대한 추가적인 연구를 수행하여 그 효과를 보다 면밀히 검토할 필요가 있다.
재고 분유를 이용하기 위하여 유청 배출없이 전지 분유와 발효유를 혼합하여 모조 치즈를 제조하였으며, 숙성 환경과 숙성 기간의 차이를 관찰하여 자연 치즈와 유사한 성질을 나타내는 최적의 숙성 조건을 규명하기 위하여 수분함량 변화, 일반성분, 비카제인태 질소화합물, 비단백태 질소화합물 그리고 유리 아미노산 등의 변화를 관찰하였다. 본 모조 치즈는 제조 후 건조 1일째가 수분함량이 40.27%로 가장 적합하였고, 이들은 진공 포장한 후 $12^{\circ}C$에서 숙성하는 방법과 P. camemberti 곰팡이를 분무한 후 $12^{\circ}C$, 95% RH에서 숙성하는 두 가지 방법으로 숙성하였다. 곰팡이 숙성 시 유당 함량이 24.64%에서 4주 숙성 시 5.43%로 급격히 감소하는 현상이 있었으나 진공 포장 숙성 시에는 유당의 변화가 심하지 않았다. 또한 진공 포장 숙성 시 비카제인태 질소 및 비단백태 질소는 숙성 4주 이후에 각각 28.10 mg/mL에서 50.61 mg/mL으로, 6.58 mg/mL에서 21.59 mg/mL으로 증가하였으며, 곰팡이 숙성 시 비카제인태 질소 및 비단백태 질소는 숙성 4주 이후에 각각 28.10 mg/mL에서 54.05 mg/mL으로, 6.58 mg/mL에서 23.06 mg/mL으로 증가하였다. 진공 포장 숙성 시 4주간의 유리 아미노산 차이를 측정한 결과, arginine, tyrosine, leucine이 두드러진 증가를 보였다. 그리고 총 유리 아미노산이 7.73 nmol/mg에서 9.29 nmol/mg으로 증가하였고, bitter amino acid는 1.36 nmol/mg에서 2.43 nmol/mg으로 증가하였다. 또한 곰팡이 숙성 시 4주간의 유리 아미노산을 측정한 결과, asparagine을 제외한 모든 유리 아미노산이 두드러진 증가를 보였다. 총 유리 아미노산이 8.40 nmol/mg에서 34.87 nmol/mg로 증가하였고, bitter amino acid는 1.53 nmol/mg에서 10.02 nmol/mg로 증가하였다. 치즈 유사품 제조 시에 P. camemberti를 이용한 치즈가 P. camemberti 를 이용하지 않는 치즈보다 단백질 분해 정도나 풍미가 더 우수한 것으로 나타났다.
본 연구는 식품의 안전성에 대한 관심이 고조되면서 위생적인 식육생산을 위한 방법으로 전자선을 조사하여 이화학적 특성 및 지방산화에 미치는 영향을 조사하고자 실시하였다. 공시재료는 한우암소 지육중 육질등급 1+판정(근내지방도 No.7. 육색 No.4, 성숙도 No.1, 조직감 No.1)을 받은 지육($280\∼300kg$) 6두를 구매하였다. 구매한 원료지육을 1차 수도물로 고압수세하고 2차 $ 50\% $에틸알콜로 소독한 후 발골 정형하여 실험재료로 사용하였다. 모든 처리에서 가열온도가 높아갈수록 포화지방산의 함량이 높아갔다. PBS는 가열온도에 따른 지방산패에서 전자선 비조사구와 조사구 모두 가열온도가 높을수록 높은 지방산 패도를 나타내 었고(P<0.05), OBS 또한 malonsldehyde양이 증가하였다(p<0.05). 가열온도별로는 $ 60^{\circ}C $에 비하여 $ 80^{\circ}C $가 비조사구와 3, 6 kCy 조사구는 약 2배정도의 MA량이 생성되었다(p<0.05). OBS가 PBS보다 많은 양의 malonaldehyde가 생성되었으며, 전자선 조사 수준의 차이에는 수준에 따라 비조사구와 약간의 차이만 나타내었다. 전자선조사수준과 가열온도가 증가함에 따라 콜레스테롤 산화물의 발생량이 증가하였으며, 또한 가열방법 중 PBS가 OBS에 비하여 산화의 정도가 유의적으로 증가하였다(p<0.05).
최근 신선 유통되는 퉁퉁마디는 식물 체내 수분 함량이 높고 조직이 단단하지 못해 저장성이 낮은 식물로 MA 저장을 통해 저장성을 향상시키고, 최근 새롭게 개발된 비천공 breathable(NPB) 필름을 적용하여 각기 $5^{\circ}C$와 $10^{\circ}C$로 저장하여 실제 유통 수준에서의 영향을 알아 보았다. 또한 신선 편이 제품으로의 유통 가능성을 알아보기 위하여 3cm, 5cm, 그리고 10cm로 각각 절단하여 저장성을 상호 비교하였다. 그 결과 $10^{\circ}C$에 비하여 $5^{\circ}C$ 저장 조건이 NPB 필름을 적용 하였을 경우 저장력이 우수한 결과를 보였는데 저장중 생체중의 감소율은 $5^{\circ}C$에서 25일 저장 종료일까지 2% 이내의 결과를 보였고 $10^{\circ}C$에서는 저장 15일 후에 100,000cc NPB 필름을 제외하고 2% 이내의 감소율을 나타내었다. $5^{\circ}C$와 동일 기간인 15일을 기준으로 비교하면 $5^{\circ}C$가 1% 이내의 감소율을 나타내 상대적으로 우수한 결과를 보였다. 동일기간 동안 측정한 이산화탄소와 산소 농도의 변화에서는 5,000cc NPB 필름이 MA 저장시의 특징을 보였다. 저장중 포장내 에틸렌 농도는 진공 필름에서 NPB 필름처리들보다 10~100배까지 높았으나, 크기별 차이에 통계적 유의성은 없었다. 각기 $5^{\circ}C$에서 25일간 그리고 $10^{\circ}C$에서 15일간 저장한 이후 항산화 활성을 측정, 상호 비교한 결과 $5^{\circ}C$가 $10^{\circ}C$보다 두배 이상의 항산화 활성도를 나타내었고 100,000cc NPB 필름에서 높은 활성도를 보였고 크기별로는 10cm 크기가 활성도가 낮아지지 않는 것으로 나타났다. 저장 종료후 관능검사를 통한 외관품질과 이취를 평가한 결과 $5^{\circ}C$ 처리와 5,000cc 필름을 적용한 구에서 상대적으로 높은 수준으로 나타났다. 본 실험을 통하여 $5^{\circ}C$, 저장시 5,000cc NPB 필름을 MA 저장에 적용하는 것이 타당하다는 결과를 얻을 수 있었다. 다만 실제 유통 현장에서 사용되는 온도조건이 $10^{\circ}C$임을 고려하면 $10^{\circ}C$ 저장 시 10cm 크기에는 100,000cc NPB 필름이 단기유통이라는 측면에서 적용이 가능할 것 으로 판단되었다.
현재 플렉시블 폴리머를 이용한 MEMS (Microelectromechanical Systems) 기술이 빠르게 발전하고 있다. 그 중에서 Polycarbonate (PC), Poly Methyl Methacrylate (PMMA)와 같은 플렉시블 폴리머 재료는 광학적 특성이 우수하고 인체 친화적이며 미세 패턴 제조 공정이 용이하다는 등의 많은 장점을 가지고 있다. 본 연구는 반응성 이온 식각 기술을 이용하여 $O_2$, $SF_6$ 그리고 $CH_4$의 삼성분계 가스의 혼합 비율에 따른 PC와 PMMA의 건식 식각 결과 및 특성 평가에 관한 것이다. 준비한 각각의 기판에 포토리소그래피 방법으로 마스크를 형성하여 샘플을 만들었다. RF 척 파워를 100 W, 총 가스 유량을 10 sccm으로 고정시켜 플라즈마 식각 실험을 실시하였다. 그 결과에 의하면 전체적으로 PMMA의 식각율이 PC보다는 약 2배 정도 높았다. 그 결과는 PC는 PMMA 보다 상대적으로 높은 녹는점을 가지고 있다는 사실과 관계가 있다고 생각한다. 또한 $O_2/SF_6/CH_4$의 삼성분계 가스와 $SF_6/CH_4$, $O_2/SF_6$, $O_3/CH_4$로 나누었을 때 $O_2/SF_6$의 혼합 가스에서 PMMA와 PC의 식각 속도가 가장 높았다 (PC: 5 sccm $O_2$/5 sccm $SF_6$에서 약 350 nm/min, PMMA: 2.5 sccm $O_2$/7.5 sccm $SF_6$에서 약 570 nm/min). SEM을 활용하여 식각된 표면을 분석한 결과 PC는 PMMA보다 상대적으로 식각 표면이 더 매끈하였다. 또한 표면 거칠기 분석결과 PC의 표면 거칠기는 1.9$\sim$3.88 nm이었지만 PMMA의 표면 거칠기는 17.3$\sim$26.1 nm로 현저하게 높았음을 확인할 수 있었다.
The promise of nano-crystalites (nc) as a technological material, for applications including display backplane, and solar cells, may ultimately depend on tailoring their behavior through doping and crystallinity. Impurities can strongly modify electronic and optical properties of bulk and nc semiconductors. Highly doped dopant also effect structural properties (both grain size, crystal fraction) of nc-Si thin film. As discussed in several literatures, P atoms or radicals have the tendency to reside on the surface of nc. The P-radical segregation on the nano-grain surfaces that called self-purification may reduce the possibility of new nucleation because of the five-coordination of P. In addition, the P doping levels of ${\sim}2{\times}10^{21}\;at/cm^3$ is the solubility limitation of P in Si; the solubility of nc thin film should be smaller. Therefore, the non-activated P tends to segregate on the grain boundaries and the surface of nc. These mechanisms could prevent new nucleation on the existing grain surface. Therefore, most researches shown that highly doped nc-thin film by using conventional PECVD deposition system tended to have low crystallinity, where the formation energy of nucleation should be higher than the nc surface in the intrinsic materials. If the deposition technology that can make highly doped and simultaneously highly crystallized nc at low temperature, it can lead processes of next generation flexible devices. Recently, we are developing a novel CVD technology with a neutral particle beam (NPB) source, named as neutral beam assisted CVD (NBaCVD), which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at low temperatures. During the formation of the nc-/pm-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. In the case of phosphorous doped Si thin films, the doping efficiency also increased as increasing the reflector bias (i.e. increasing NPB energy). At 330V of reflector bias, activation energy of the doped nc-Si thin film reduced as low as 0.001 eV. This means dopants are fully occupied as substitutional site, even though the Si thin film has nano-sized grain structure. And activated dopant concentration is recorded as high as up to 1020 #/$cm^3$ at very low process temperature (< $80^{\circ}C$) process without any post annealing. Theoretical solubility for the higher dopant concentration in Si thin film for order of 1020 #/$cm^3$ can be done only high temperature process or post annealing over $650^{\circ}C$. In general, as decreasing the grain size, the dopant binding energy increases as ratio of 1 of diameter of grain and the dopant hardly be activated. The highly doped nc-Si thin film by low-temperature NBaCVD process had smaller average grain size under 10 nm (measured by GIWAXS, GISAXS and TEM analysis), but achieved very higher activation of phosphorous dopant; NB energy sufficiently transports its energy to doping and crystallization even though without supplying additional thermal energy. TEM image shows that incubation layer does not formed between nc-Si film and SiO2 under later and highly crystallized nc-Si film is constructed with uniformly distributed nano-grains in polymorphous tissues. The nucleation should be start at the first layer on the SiO2 later, but it hardly growth to be cone-shaped micro-size grains. The nc-grain evenly embedded pm-Si thin film can be formatted by competition of the nucleation and the crystal growing, which depend on the NPB energies. In the evaluation of the light soaking degradation of photoconductivity, while conventional intrinsic and n-type doped a-Si thin films appeared typical degradation of photoconductivity, all of the nc-Si thin films processed by the NBaCVD show only a few % of degradation of it. From FTIR and RAMAN spectra, the energetic hydrogen NB atoms passivate nano-grain boundaries during the NBaCVD process because of the high diffusivity and chemical potential of hydrogen atoms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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