Beryllium oxide (BeO) is being re-emphasized and utilized in Micro Modular Reactors (MMR) because of its prominent nuclear and high temperature properties in recent years. The implications of the research about effects of neutron irradiation on the microstructure and properties of BeO are significant. This article comprehensively reviews the effects of neutron irradiation on BeO and proposes the maximum permissible neutron doses at different temperatures for BeO without cracks in appearance according to the data in the previous literature. This maximum permissible neutron dose value has important reference significance for the experimental study of BeO. The effects of neutron irradiation on the thermal conductivity and flexural strength of BeO are also discussed. In addition, microstructure evolution of irradiated BeO during post-irradiation annealing is summarized. This review article has important implications for the application of BeO in MMR.
Choo, Kee Nam;Yang, Seong Woo;Park, Seng Jae;Shin, Yoon Taeg
Nuclear Engineering and Technology
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v.53
no.1
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pp.344-350
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2021
As the High Flux Advanced Neutron Application Reactor (HANARO) has been recently required to support new R&D relevant to future nuclear systems requiring a much higher neutron fluence, the development of irradiation capsule technology for long-term irradiation testing was performed in three steps (3, 5, 10 dpa). At first, several design improvements of a standard capsule were suggested based on a failure analysis of the capsule and successfully applied for irradiation testing at HANARO at up to eight reactor operation cycles equivalent to 3 dpa. Based on a schematic stress analysis of the vulnerable parts of the previous capsule, an optimized design of the capsule was made for 5 dpa irradiation. The newly designed capsule was safely out-pile tested up to 450 days, which was equivalent to 5 dpa irradiation in the reactor. The test results were submitted to the Reactor Safety Review Committee of HANARO and irradiation testing for 5 dpa was approved. The capsule was also successfully out-pile tested to evaluate the possibility of irradiation testing for 10 dpa. For a higher neutron fluence exceeding 10 dpa, new capsule technologies, including a new capsule that has a different bottom design and neutron flux boosting capsule, were also suggested.
Kim, C.J.;Park, S.D.;Jun, B.H.;Kim, B.G.;Choo, K.N.;Ri, H.C.
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.16
no.1
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pp.9-13
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2014
Effects of neutron irradiation on the superconducting properties of the undoped $MgB_2$ and the carbon(C)-doped $MgB_2$ bulk superconductors, prepared by an in situ reaction process using Mg and B powder, were investigated. The prepared $MgB_2$ samples were neutron-irradiated at the neutron fluence of $10^{16}-10^{18}n/cm^2$ in a Hanaro nuclear reactor of KAERI involving both fast and thermal neutron. The magnetic moment-temperature (M-T) and magnetization-magnetic field (M-H) curves before/after irradiation were obtained using magnetic property measurement system (MPMS). The superconducting critical temperature ($T_c$) and transition width were estimated from the M-T curves and critical current density ($J_c$) was estimated from the M-H curves using a Bean's critical model. The $T_cs$ of the undoped $MgB_2$ and C-doped $MgB_2$ before irradiation were 36.9-37.0 K and 36.6-36.8 K, respectively. The $T_cs$ decreased to 33.2 K and 31.6 K, respectively after irradiation at neutron fluence of $7.16{\times}10^{17}n/cm^2$, and decreased to 22.6 K and 24.0 K, respectively, at $3.13{\times}10^{18}n/cm^2$. The $J_c$ cross-over was observed at the high magnetic field of 5.2 T for the undoped $MgB_2$ irradiated at $7.16{\times}10^{17}n/cm^2$. The $T_c$ and $J_c$ variation after the neutron irradiation at various neutron fluences were explained in terms of the defect formation in the superconducting matrix by neutron irradiation.
In-phantom neutron flux distribution is measured at the HANARO BNCT irradiation facility. The measurements are performed with Au foil and wires. The thermal neutron flux and Cd ratio obtained at the HANARO BNCT facility are $1.19{\times}10^9\;n/cm^{2}s$ and 152, respectively, at 24 MW reactor power. The measured in-phantom neutron flux has a maximum value at a depth of 3 mm in the phantom and then decreases rapidly. The maximum flux is about $25\%$ larger than that of the phantom surface, and the measured value at a depth of 22 mm in the phantom is about a half of the maximum value. In addition, the neutron beam is limited well within the aperture of the neutron collimator. The two-dimensional in-phantom neutron flux distribution is determined. Significant neutron irradiation is observed within 20 mm from the phantom surface. The measured neutron flux distribution can be utilized in irradiation planning for a patient.
The Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI) has designed a Hybrid-Low Power Research Reactor (H-LPRR) which can be used for critical assembly and conventional research reactor as well. It is an open tank-in-pool type research reactor (Thermal Power: 50 kWth) of which the most important applications are Neutron Activation Analysis (NAA), Radioisotope (RI) production, education and training. There are eight irradiation holes on the edge of the reactor core: IR (6 holes for RI production) and NA (2 holes for NAA) holes. In order to quantify the elemental concentration in target samples through the Instrumental Neutron Activation Analysis (INAA), it is necessary to measure neutron spectrum parameters such as thermal neutron flux, the deviation from the ideal 1/E epithermal neutron flux distribution (α), and the thermal-to-epithermal neutron flux ratio (f) for the irradiation holes. In this study, the MCNP6.1 code and FORTRAN 90 language are applied to determine the parameters for the two irradiation holes (NA-SW and NA-NW) in H-LPRR, and in particular its α and f parameters are compared to values of other research reactors. The results confirmed that the neutron irradiation holes in H-LPRR are designed to be sufficiently applied to neutron activation analysis, and its performance is comparable to that of foreign research reactors including the TRIGA MARK II.
The organic yields (i.e. fraction of nuclear events resulting in organic compound formation) of the radioative neutron capture reactions of halogens in purified bromobenzene have been determined varying extraction time, at $100^{\circ}C$ for thermal effect, varying irradiation time, varying neutron flux and with additional U. V. irradiation. Among the important results are; (1) The organic yields show no remarkable fluctuations with time following neutron irradiation; (2) The organic yields show no change with thermal energy; (3) The organic yields of degassed samples are same in different length of irradiation time whereas the yields of the samples in open air appear to increase with increasing time of irradiation (4) The organic yields increase remarkably with increased neutron flux; (5) The organic yields show a sharp increase by additional U. V. irradiation after neutron irradiation.
Background: When bipolar junction transistors (BJTs) are used as switches, their switching characteristics can be deteriorated because the recombination time of the minority carriers is long during turn-off transient. When BJTs operate as low frequency switches, the power dissipation in the on-state is large. However, when BJTs operate as high frequency switches, the power dissipation during switching transients increases rapidly. Materials and Methods: When silicon (Si) BJTs are irradiated by fast neutrons, defects occur in the Si bulk, shortening the lifetime of the minority carriers. Fast neutron irradiation mainly creates displacement damage in the Si bulk rather than a total ionization dose effect. Defects caused by fast neutron irradiation shorten the lifetime of minority carriers of BJTs. Furthermore, these defects change the switching characteristics of BJTs. Results and Discussion: In this study, experimental results on the switching characteristics of a pnp Si BJT before and after fast neutron irradiation are presented. The results show that the switching characteristics are improved by fast neutron irradiation, but power dissipation in the on-state is large when the fast neutrons are irradiated excessively. Conclusion: The switching characteristics of a pnp Si BJT were improved by fast neutron irradiation.
The local structure of defects in undoped, Si-doped, and neutron irradiated free standing GaN bulk crystals, grown by hydride vapor phase epitaxy, has been investigated by employing electron magnetic resonance(EMR), Raman scattering and cathodoluminescence. The GaN samples were irradiated to a dose of $2{\times}10^{17}$ neutrons in an atomic reactor at Korea Atomic Energy Research Institute. There was no appreciable change in the Raman spectra for undoped GaN samples before and after neutron irradiation. However, a forbidden transition, $A_1$(TO) mode, appeared for a neutron irradiated Si-doped GaN crystal. Cathodoluminescence spectrum for the neutron irradiated Si-doped GaN crystal became much broader or was much more broadened than that for the unirradiated one. The observed EMR center with the g value of 1.952 in a neutron irradiated Si-doped GaN may be assigned to a Si-related complex donor.
The effects of fast neutron irradiation on the electrical and optical properties of Li (3 at%) doped ZnSnO (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process are investigated. From the results of Li-ZTO TFT characteristics according to change of neutron irradiation time, the saturation mobility is found to increase and threshold voltage values shift to a negative direction from 1,000 s neutron irradiation time. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level shows that the relative area of oxygen vacancies is almost unchanged with different irradiation times. From the results of band alignment, it is confirmed that, due to the increase of electron carrier concentration, the Fermi level (EF) of the sample irradiated for 1,000 s is located at the position closest to the conduction band minimum. The increase in electron concentration is considered by looking at the shallow band edge state under the conduction band edge formed by fast neutron irradiation of more than 1,000 s.
A rapid pneumatic transfer system (PTS) for an instrumental neutron activation analysis (INAA) is developed as an automatic irradiation facility involving the measurement of a short half-life nuclide and a delayed neutron counting system. Three new PTS designs with improved functions were constructed at the HANARO research reactor in 2006. The new system is composed of a manual system and an automatic system for both an INAA and a delayed neutron activation analysis (DNAA). The design and basic conception of a modified PTS are described, and the functions of system operation and control, radiation protection and emissions of radioactive gas are improved. In addition, a form of capsule transportation of these systems is tested. The experimental results pertaining to the irradiation characteristics with variation of the neutron flux and the temperature of the irradiation position with the irradiation time are presented, as is an analysis of the reference material for analytical quality control and uncertainty assessments.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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