The superiority of gallium nitride FET (GaN FET) over silicon MOSFET is examined in this paper. One of the outstanding features of GaN FET is low reverse-recovery charge, which enables continuous conduction mode operation of totem-pole bridgeless boost power factor correction (PFC) circuit. Among many bridgeless topologies, totem-pole bridgeless shows high efficiency and low conducted electromagnetic interference performance, with low cost and simple control scheme. The operation principle, control scheme, and circuit implementation of the proposed topology are provided. The converter is driven in two-module interleaved topology to operate at a power level of 5.5 kW, whereas phase-shedding control is adopted for light load efficiency improvement. Negative bias circuit is used in gate drivers to avoid the shoot-through induced by high speed switching. The superiority of GaN FET is verified by constructing a 5.5 kW prototype of two-module interleaved totem-pole bridgeless boost PFC converter. The experiment results show the highest efficiency of 98.7% at 1.6 kW load and an efficiency of 97.7% at the rated load.
$Ba_{1-x}Sr_xTiO_3$ thin films with various ratio of Sr (X = 0.4, 0.5, 0.6) were grown $Pt/TiN/SiO_2/Si$ subastrate by RF magnetron sputtering deposition. As, Ag, and Cu films were deposited on $Ba_{1-x}Sr_xTiO_3$ thin films as top electrodes by using a thermal evaporator. The electrical properties of $Ba_{1-x}Sr_xTiO_3$ thin films for various compositions were characterized and the physical properties at interface between $Ba_{1-x}Sr_xTiO_3$ thin films and top electrodes were evaluated in terms of the work function difference. At x =0.5, the degradation of capacitance is lower to the other compositions. As negative biasapplied, the specimen with Cu top electrode has board saturation region and low leakage current since work function of Cu is bigger than other electrodes.$ Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ thin films with Cu top electrode, the dielectric constant was measured to the value of 354 at 1 kHz and the leakage current was obtained to the value of $5.26\times10^{-6}A/cm2$ at the forward bias of 2 V.
IMT-2000 전 대역(1920∼2170MHz, BW=250MHz)에서 사용되는 중계기용 2단 저잡음 증폭기를 설계하였다. Ansoft사의 Serenade를 이용하여 첫째 단 PHEMT의 소스와 접지간 source lead의 인덕턴스 값을 최적화하여 기판 선고로 등가화하고, 첫째 단의 잡음 정합은 물론 각 단의 정합회로가 간단하도록 high pass 구조로 설계하였다. 바이어스 회로는 단일 능동회로로 구성하였고, 인가전압은 8V, 총 전류는 180mA이다. 이때, 첫째 단 PHEMT의 Vgs = -0.4V, Vds = 4V이고, 둘째 단 AH1의 Vds = 5V이다. 상업화가 가능하도록 설계 기준을 정하여 제작되었고, 측정 결과 이득은 20dB, NF는 1dB, 입력 VSWR은 1.14∼l.3dB, P1dB는 22.4dBm, gain flatness는 ±0.45dB로 상업용 저잡음 증폭기로 사용될 수 있다.
The Asian dust (Hwangsa) forecasting model, Asian Dust Aerosol Model (ADAM) has been modified by using satelliate monitoring of surface vegetation, which enables to simulate dusts occuring not only in springtime but also for all-year-round period. Coupled with the Unified Model (UM), the operational weather forecasting model at KMA, UM-ADAM2 was implemented for operational dust forecasting since 2010, with an aid of development of Meteorology-Chemistry Interface Processor (MCIP) for usage UM. The performance analysis of the ADAM2 forecast was conducted with $PM_{10}$ concentrations observed at monitoring sites in the source regions in China and the downstream regions of Korea from March to December in 2010. It was found that the UM-ADAM2 model was able to simulate quite well Hwangsa events observed in spring and wintertime over Korea. In the downstream region of Korea, the starting and ending times of dust events were well-simulated, although the surface $PM_{10}$ concentration was slightly underestimated for some dust events. The general negative bias less than $35{\mu}g\;m^{3}$ in $PM_{10}$ is found and it is likely to be due to other fine aerosol species which is not considered in ADAM2. It is found that the correlation between observed and forecasted $PM_{10}$ concentration increases as forecasting time approaches, showing stably high correlation about 0.7 within 36 hr in forecasting time. This suggests the possibility that there is potential for the UM-ADAM2 model to be used as an operational Asian dust forecast model.
Background: Colorectal cancer (CRC) is a major cause of cancer-related death and cancer-related incidence worldwide. The potential of microRNA-21 (miR-21) as a biomarker for CRC detection has been studied in several studies. However, the results were inconsistent. Therefore, we conducted the present meta-analysis to systematically assess the diagnostic value of miR-21 for CRC. Materials and Methods: Using a random-effect model, the pooled sensitivity (SEN), specificity (SPE), positive likelihood ratio (PLR), negative likelihood ratio (NLR), and diagnostic odds ratio (DOR) were calculated to evaluate the diagnostic performance of miR-21 for CRC. A summary receiver operating characteristic (SROC) curve and an area under the curve (AUC) were also generated to assess the diagnosis accuracy of miR-21 for CRC. Q test and I2 statistics were used to assess between-study heterogeneity. Publication bias was evaluated by the Deeks' funnel plot asymmetry test. Results: A total of 986 CRC patients and 702 matched healthy controls from 8 studies were involved in the meta-analysis. The pooled results for SEN, SPE, PLR, NLR, DOR, and AUC were 57% (95%CI: 39%-74%), 87% (95%CI: 78%-93%), 4.4 (95%CI: 2.4-8.0), 0.49 (95%CI: 0.32-0.74), 9 (95%CI: 4-22), and 0.83 (95%CI: 0.79-0.86), respectively. Subgroup analyses further suggested that blood-based studies showed a better diagnostic accuracy compared with feces-based studies, indicating that blood may be a better matrix for miR-21 assay and CRC detection. Conclusions: Our findings suggest that miR-21 has a potential diagnostic value for CRC with a moderate level of overall diagnostic accuracy. Hence, it could be used as auxiliary means for the initial screening of CRC and avoid unnecessary colonoscopy, which is an invasive and expensive procedure.
Short wave infrared (SWIR) photovoltaic devices have been fabricated from metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown n- on p- HgCdTe films on GaAs substrates. The MOVPE grown films were processed into mesa type discrete devices with wet chemical etching employed for meas delineation and ZnS surface passivatlon. ZnS was thermally evaporated from effusion cell in an ultra high vacuum (UHV) chamber. The main features of the ZnS deposited from effusion cell in UHV chamber are low fixed surface charge density, and small hysteresis. It was found that a negative flat band voltage with -0.6 V has been obtained for Metal Insulator Semiconductor (MIS) capacitor which was evaporated at $910^{\circ}C$ for 90 min. Current-Voltage (I-V) and temperature dependence of the I-V characteristics were measured in the temperature range 80 - 300 K. The Zero bias dynamic resistance-area product ($R_{0}A$) was about $7500{\Omega}-cm^{2}$ at room temperature. The physical mechanisms that dominate dark current properties in the HgCdTe photodiodes are examined by the dependence of the $R_{0}A$ product upon reciprocal temperature. From theoretical considerations and known current expressions for thermal and tunnelling process, the device is shown to be diffusion limited up to 180 K and g-r limited at temperature below this.
졸업 후 치과의료기관에서 근무하게 될 치위생(학)과 학생들은 AIDS 감염인의 수명 연장으로 인한 향후 AIDS 감염인의 비율도 높아져 치과의료기관에서의 AIDS 감염인을 접할 기회도 많아지게 될 것이다. 이에 AIDS에 대한 지식 수준이 AIDS에 대한 태도에 영향을 미친다는 연구 결과를 토대로 현재 치위생(학)과 학생들의 AIDS에 대한 지식 수준과 감염인에 대한 태도를 파악하고, 치위생(학)과에서는 CDC에서 발표한 보편주의 지침을 통해 감염방지에 대한 올바른 인식을 갖추도록 해야 하며 에이즈에 대한 교육이 전문가교육으로 이루어져 잘못된 지식으로 인한 감염자에 대한 낙인이 부정적인 태도로 이어지지 않도록 해야 할 것이다. 또한 향후 치과위생사로서 치과의료기관에서 보편주의 지침을 모든 환자에게 철저히 적용할 수 있어야 할 것이다. 감염 예방에 도움을 줄 수 있는 교육프로그램 개발의 기초자료로 활용하기 위해 SNS를 이용한 본 연구를 시도하였다.
Thin films of diamond-like carbon(DLC) have been deposited using a magnetron plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) method with an rf(13.56 MHz) plasma of $C_{3}H_{8}$. From the Langmuir probe I-V characteristics, it can be observed that increasing the magnetic field yields an increase of the temperature($T_e$) and density($N_e$) of electron. At a magnetic field of 82 Gauss, the estimated values of $T_e$ and $N_e$ are approximately $1.5\;{\times}\;10^5$ K(13.5 eV) and $1.3\;{\times}\;10^{11}\;cm^{-3}$, respectively. Such a highly dense plasma can be attributed to the enhanced ionization caused by the cyclotron motion of electrons in the presence of a magnetic field. On the other hand, the negative dc self-bias voltage($-V_{sb}$) decreases with an increasing magnetic field, which is irrespective of gas pressure in the range of $1{\sim}7$ mTorr. This result is well explained by a theoretical model considering the variation of $T_e$. Deposition rates of DLC films increases with a magnetic field. This may be due to the increased mean free path of electrons in the magnetron plasma. Structures of DLC films are examined by using various techniques such as FTIR and Raman spectroscopy. Most of hydrocarbon bonds in DLC films prepared consist of $sp^3$ tetrahedral bonds. Increasing the rf power leads to an enhancement of cross-linking of carbon atoms in DLC films. At approximately 140 W, the maximum film density obtained is about 2.4 $g/cm^3$.
본 연구는 산화물반도체의 저항을 이용한 메모리소자를 만들기 위해서 $V_2O_5$ 를 산소가스를 이용하여 증착하고 열처리를 하였다. 산소의 유량이 많을수록 산소공공의 형성을 위하여 높은 열처리온도가 필요하였으며, 산소공공은 쇼키접합을 형성하면서 전기적인 특성이 저항성 메모리소자에 적합한 구조로 만들어지고 있었다. $V_2O_5$ 박막은 열에 의한 이온화 반응에 의하여 산소공공이 형성되었으며, 전압 혹은 전류제어 가능한 저항성 메모리 소자를 위하여 쇼키접합이 +전압과 -전압에서 균형있게 이루어지는 것이 요구되며, 쇼키접합은 150도 혹은 200도에서 열처리가 이루어진 경우 쇼키접합이 잘 형성되는 것을 확인할 수 있었다. $V_2O_5$ 음이온인 산소공공은 역방향전압 혹은 순방향 전압인지에 따라서 저항이 변하면서 쓰기/지우기 상태로 전기적인 동작이 이루어졌으며 저항성메모리로서 구동을 하는 것을 확인하였다.
Effects at thermal treatment on the structural and electrical properties at DLC films have been studied. The DLC films were deposited by using a modified FCVA system as a function at negative substrate bias voltage, deposition time, and nitrogen flow rate. The thermal treatment on DLC films could be achieved by performing the RTA process at $600^{\circ}C$, 2min. Structural investigation on the thermal treatment effect was evaluated by inspecting the Raman spectroscopy, XPS, AFM, and internal compressive stress. In addition, the electrical properties of DLC films were evaluated by using the high current source and Lab-View data acquisition system. As the result at RTA treatment, $sp^3/sp^2$ ratio and internal compressive stress of the DLC films were decreased tram 5% to 22% and from 1GPa to 3GPa, and the $I_D/I_G$ intensity ratios was increased from 0.19 to 0.35. It was also found that the variation of internal stress of DLC films strongly agree with the variation of $sp^3/sp^2$ fraction and $I_D/I_G$ intensity ratio.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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