• 제목/요약/키워드: multiple wells

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군정의 주입량의 정밀 제어를 위한 유량조절밸브의 개도 및 최소 펌프 소요양정 (Valve Openings and Minimum Pump Head for Precise Operation of Multiple Groundwater Injection Wells)

  • 박남식;장치웅;조광우
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제48권10호
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    • pp.869-877
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    • 2015
  • 해수침투 방지나 대수층 인공함양을 위하여 다수의 관정을 통하여 대수층으로 물을 주입하는 공법이 있다. 이러한 공법의 경우 소기의 목적을 달성하기 위해서는 관정의 위치와 주입량, 그리고 결과되는 관정의 지하수위 등이 별도의 지하수 모델링을 통하여 결정된다. 주입수는 통상 관망을 통하여 관정으로 공급되는 데 이 때 관망에는 관정별 주입량을 조절하기 위한 밸브가 설치된다. 본 연구에서는 다수의 주입 관정이 연결된 관망에서 사전에 산정된 주입량 분포를 준수하기 위한 밸브 개도와 주입관망 가동에 필요한 펌프 최소 소요양정 산정방안을 제시하였다. 본 연구결과는 주입군정 운영의 정밀도를 향상시키는 데 기여할 수 있다.

담금질모사 기법을 이용한 인공함양정 최적 위치 결정 (Global Optimization of Placement of Multiple Injection Wells with Simulated Annealing)

  • 이현주;구민호;김용철
    • 지질공학
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    • 제25권1호
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    • pp.67-81
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    • 2015
  • 선형 또는 군집형으로 배치된 양수정 배열 조건에서 최적의 복수 주입정 위치를 결정하는 최적화 프로그램을 개발하였다. 다양한 목적함수를 제시하였으며 담금질모사 기법을 이용하여 목적함수를 만족시키는 주입정의 최적 위치를 평가하였다. 주입수의 회수율의 최대화를 목적함수로 설정할 경우, 우물 배열에 관계없이 두 개의 주입정을 모두 우물 군집 내부에 설치하는 것이 가장 효율적인 것으로 나타났다. 회수율의 최대화와 동시에 기존 양수정의 양수량을 고르게 증가시키는 통합목적함수를 고려하여 두 개의 주입정을 설치할 경우, 우물 배열에 관계없이 우물 배열의 양측면부가 주입정 위치로 적합한 것으로 분석되었다. 주입정 위치 최적화를 위한 다수의 시나리오 분석 결과, 최적의 결과에 근접하는 지역적 최솟값 또는 최댓값이 다수 존재하는 것으로 나타났으며, 이는 주입정의 최적 위치를 현장의 조건에 맞게 선택적으로 결정할 수 있는 개연성이 존재하는 것을 의미한다. 결론적으로, 본 연구는 담금질모사 기법이 다양한 목적함수에 부합하는 복수 주입정의 최적 위치 평가에 성공적으로 이용될 수 있음을 보여 주었다.

방사형 집수정의 적정 설계를 위한 조사 물량 제안 (A Proposal for the Number of Investigation Wells for Optimal Radial Collector Well Design)

  • 최명락;김규범
    • 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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    • 제25권2호
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    • pp.1-8
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    • 2020
  • In general, the estimation of optimum yield for the radial collector well is determined by the empirical equation or numerical modeling, in which hydraulic conductivity of the aquifer is a main influence factor. Hydraulic conductivities of 164 soil samples collected from boreholes and horizontal wells (average length: about 50 m) installed during well construction in the Anseong stream were drawn in two-dimensional map by the Kriging method and utilized in this study. Hydraulic conductivity analyses by Representative Elementary Count (REC) indicated the average hydraulic conductivity is similar to that of the pumping test when the number of samples reaches about 1,000, which correspond to 1,000 ㎡. Pumping test was also conducted at 1 pumping well and 13 observation wells to estimate hydraulic conductivities at each observation well. REC analysis indicated that the average value of hydraulic conductivity calculated from at least four observation wells is valid as a representative value. The overall result suggested that multiple observation wells or multiple pumping-observation well systems that are located within the range of horizontal wells should be utilized to properly estimate the representative hydraulic conductivity values and the yield of a radial collector well.

강변여과 취수정의 간섭효과와 하천수 비율에 대한 해석적 평가 (Analytical Evaluation of Interference and Ratio of River Water at Riverbank Filtration Pumping Wells)

  • 박남식
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제47권8호
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    • pp.685-691
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    • 2014
  • 강변여과는 하천 인근에 다수의 관정을 설치하여 하천수의 수질 개선을 추구하는 기술이다. 그런데 다수의 관정이 인접해 있는 경우 관정간의 상호간섭 현상으로 인하여 취수량에 영향을 미친다. 강변 여과 관정의 경우에는 관정이 관망으로 연결되기 때문에 간섭효과의 요인에는 지하수위 강하량 외에도 유량변화에 따른 관망 수두손실이 포함된다. 간섭효과는 취수정으로 유입되는 하천수와 배후 지하수의 비율에도 영향을 미친다. 본 연구에서는 강변여과시스템의 대수층과 관망흐름을 통합해석하는 기법을 이용하여 복수 관정의 간섭효과와 하천수 비율을 산정하는 방법을 제시하고 실제에 가까운 가상의 강변여과시스템에 적용하였다. 관정 가동 패턴에 따라 취수량은 5% 이상 차이가나고 배후지하수 유입비율도 30~40% 범위로 10% 이상 차이가 날 수 있는 것으로 나타났다.

Si(110)/SiGe 다중 양자 우물에서 수직 입사광에 의한 적외선 흡수 (Intersubband absorption in strained Si(110)/SiGe multiple quantum wells)

    • 한국광학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.306-310
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    • 1999
  • Sb가 $\delta$도핑된 Si(110)/SiGe 다중 양자 우물 구조에서 에너지 부준위간 전자 천이에 의한 적외선 흡수 현상을 관찰하였다. Si(110)/SiGe 다중 양자 우물 구조에서는 Si(001)이나 GaAs에서는 불가능한, 수직 입사광에 의한 전자 천이가 가능하다. SiGe 층의 Ge 구성비가 증가하면 적외선 흡수 강도는 감소하고 천이 에너지 증가하는 현상을 보여 Ge 구성비가 흡수 스펙트럼에 큰 영향을 미침을 확인하고 그 원인을 분석하였다. 또한 수직 입사광과 수평 입사광은 서로 다른 과정을 통해 흡수되는데 편광각과 입사각을 변화시킨 실험값과 계산값의 비교를 통해 이를 확인할 수 있었다.

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Growth of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Structural and Optoelectronic Properties

  • Kim, H.J.;Kwon, S.-Y.;Yim, S.;Na, H.;Kee, B.;Yoon, E.
    • Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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    • 제6권2호
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    • pp.88-91
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    • 2002
  • InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) were grown by metalorganic chemical vapor deposition and their structural and optical properties were studied. When the average In content was increased by increasing TMIn flow rate, PL measurement showed little change in PL peak position and large increase in PL intensity instead. Large changes in PL peak position could be achieved by changing growth temperature. We propose the formation of fixed In content, highly In-rich quantum dot-like phases in InGaN MQWs driven by spinodal decomposition.

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다중 언덕형 광도파로/양자우물의 WKB 고유방정식 (WKB eigenvalue equation for multiple graded-index waveguides/quantum-wells)

  • 김창민;임영준
    • 전자공학회논문지A
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    • 제33A권11호
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    • pp.120-127
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    • 1996
  • In the WKB analysis, we propose the new forms of the trial eigenfunctions which not only converge at the turning points but also approximate to the conventional WKB solutions away from the turning points. The eigenvalue equation of multiple waveguides with graded index profile are derived by using the proposed WKB analysis and the transfer matrix method. The drived equation sare represented in the recursive form. The results of the eigenvalue equation sare comapred with those of the FDM, one of the well-known computational methods, for a three-waveguide coupler.

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저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InAIAs 에피층과 InGaAs/InAIAs 양자 우물 구조의 성장과 분석 (Growth and characterizations of INAlAs epilayers and InGaAs/INAlAs quantum well structures by low pressure metalorganic chemical vapor deposition)

  • 유경란;문영부;이태완;윤의준
    • 한국진공학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.328-333
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    • 1998
  • 저압 유기금속 화학증착법을 이용하여 (001) InP 기판 위에 격자 일치된 InAlAs 에 피층 성장 결과 620~$700^{\circ}C$범위에서 성장 온도가 증가할수록 산소 유입량의 감소 때문으로 생각되는 광학적 성질의 향상이 관찰되었으나 $750^{\circ}C$이상의 고온에서는 InP완충층의 열화에 의한 결정성의 감소가 발견되었다. 또한, AsH3의 유량이 증가됨에 따라 성장된 InAlAs층의 Al함유량이 증가하는 현상이 관찰되었고, 이는 Al-As와 In-As의 bond strength 차이로 설 명하였다. InGaAs/InAlAs 단일 양자우물구조에서 측정된 우물두께에 따른 photoluminescence peak energy는 계산 값과 잘 일치하였고, high resolution x-ray diffraction 측정을 통하여 뚜렷한 satellite peak와 fine thickness fringe들이 관찰되는 우수 한 계면특성을 가지는 다중 양자우물구조가 성장됨을 확인하였다.

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